「hfe」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the current Ia reaches a value of nearly 1/hFE^2 of a gate discharge current flowing through the TR 40, a voltage drop across a resistor 28 is decreased when a line to a load 22 is broken.例文帳に追加

電流Ｉａはトランジスタ４０を介して流れるゲート放電電流のほぼ１／ｈFE^^２の大きさとすることができるため、負荷２２の断線時において抵抗２８での電圧降下が小さくなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of facilitating obtaining the semiconductor device with a smaller number of processes, wherein a plurality of bipolar transistors having different DC current amplification factors (hfe) is mixedly mounted.例文帳に追加

異なる直流電流増幅率（ｈｆｅ）を有する複数のバイポーラトランジスタを混載した半導体装置を、簡易且つ工程数が少なく得られる半導体装置の製造方法を提供すこと。 - 特許庁

To form a base width in a depthwise direction so as to be uniform, and improve the hFE while enabling a high electric current to be passed in a semiconductor device having a lateral bipolar transistor.例文帳に追加

横型バイポーラトランジスタを有する半導体装置において、大電流を流すことを可能にしながら、深さ方向に関するベース幅を均一に形成してｈＦＥを向上できるようにする。 - 特許庁

Then, HFE used as rinse liquid is supplied onto both the surfaces Wa and Wb of the wafer W from the upper and lower nozzles 64 and 14, and the fluoric acid on the surface of the wafer W is cleaned away (a rinsing process).例文帳に追加

次に、上ノズル６４および下ノズル１４よりリンス液としてのＨＦＥのウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給されて、ウエハＷ表面のふっ酸が洗い流される（リンス工程）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing with a low cost which can adjust with high precision only the Zener voltage Vz of a Zener diode without giving an influence to the current amplification factor hFE of a bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタの電流増幅率ｈＦＥに影響を与えることなく、ツェナーダイオードのツェナー電圧Ｖｚのみを高精度に調整することのできる、低コストの製造方法を提供する。 - 特許庁

The flashlight from the flash lamp 35 is applied toward the substrate W, thereby boiling and vaporizing the rinse liquid and HFE on the surface of the substrate W so that the liquid component in the fine recessed parts are pushed out.例文帳に追加

このフラッシュランプ３５からの閃光を基板Ｗに向けて照射することにより、基板Ｗ表面のリンス液およびＨＦＥが沸騰して蒸気化し、微細な凹部内の液成分が押し出される。 - 特許庁

To provide a power amplifier which can require only low power and a saved chip area, prevents current variation due to hFE relative variation and can be driven even by low power supply voltage.例文帳に追加

低電力かつ省チップ面積とすることが可能であり、ｈＦＥ相対バラツキによる電流バラツキを防止し、しかも低電源電圧においても駆動可能な電力増幅器を提供する。 - 特許庁

The premix for producing a rigid polyurethane foam or a polyisocyanurate foam comprises using a combination of HFE-254pc (1,1,2,2-tetrafluoroethylmethyl ether) having high compatibility to the polyester-based polyol, HFC-245fa and water as a foaming agent.例文帳に追加

発泡剤としてポリエステル系ポリオールとの相溶性が高いＨＦＥ−２５４ｐｃ、ＨＦＣ−２４５ｆａおよび水を組み合わせ用いることを特徴とする硬質ポリウレタンフォームまたはポリイソシアヌレートフォーム製造用プレミックス。 - 特許庁

Then, a pnp transistor T4 is provided, where its collector is connected between the emitters of the npn transistors T1, T2 and the constant current source 10, and the pnp transistor T4 compensates variations in hFE in the pnp transistor T3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮ型トランジスタＴ１、Ｔ２のエミッタと定電流源１０の間にコレクタが接続され、ＰＮＰ型トランジスタＴ３のｈＦＥの変動を補償するためのＰＮＰ型トランジスタＴ４が設けられる。 - 特許庁

An intrusion prevention liquid is supplied to a surface Wf of a substrate, then a liquid to be frozen is supplied to the surface Wf of the substrate to allow a HFE to remain in a patten gap and in the vicinity of the pattern.例文帳に追加

基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for making high hFE and low base resistance compatible in the semiconductor device mounting a horizontal bipolar transistor on a semiconductor substrate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板上に横型バイポーラトランジスタを搭載した半導体装置において、高いｈＦＥと低いベース抵抗を両立させることができるような優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, particles P sticking on the upper surface of the pattern FP are present in the liquid film 12 of the HFE liquid, and completely separated from solidified bodies even after the DIW in the gaps of the pattern FP is solidified.例文帳に追加

このため、パターンＦＰ上面に付着するパーティクルＰはＨＦＥ液の液膜１２中に存在し、パターンＦＰの間隙内部のＤＩＷを凝固させた後も当該凝固体から完全に縁切りされる。 - 特許庁

Droplets of HFE being a low-surface-tension liquid having lower surface tension relative to that of the pure water is hit against the surface of the wafer W covered with the pure water with the pure water jetted from the treatment liquid nozzle 3.例文帳に追加

さらに、処理液ノズル３から純水を吐出させた状態で、純水よりも表面張力が低い低表面張力液体であるＨＦＥの液滴を、純水で覆われたウエハＷの表面に衝突させる。 - 特許庁

When a current i0 is outputted from a PD 10 in the incidence of a pulse light, the output current i0 of the PD 10 is amplified by a Tr 12, and a current of i0×hfe is carried to the corrector of the Tr 12.例文帳に追加

パルス光が入射したとき、ＰＤ１０から電流ｉ_O が出力されたとすると、このＰＤ１０の出力電流ｉ_O はＴｒ１２によって電流増幅され、Ｔｒ１２のコレクタには、ｉ_O×ｈ_feの電流が流れる。 - 特許庁

The intrinsic gettering performance of an IGBT 1 is inspected by measuring the current amplification rate (HFE) of an PNP transistor 30 formed of a channel region 12, a drift layer 11, a buffer layer 17 and a collector layer 18.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１のイントリンシックゲッタリング能力の検査は、チャネル領域１２、ドリフト層１１、バッファ層１７及びコレクタ層１８により形成されたＰＮＰトランジスタ３０の電流増幅率（ＨＦＥ）を測定することにより行う。 - 特許庁

To improve lowering of hFE and degradation in reliability with a low current caused by the increase of a surface recoupling current by preventing the exposure of a silicon part in a bipolar transistor forming area when forming the sidewall of an MOS transistor in a Bi-CMOS process.例文帳に追加

Ｂｉ−ＣＭＯＳプロセスにおいて、ＭＯＳトランジスタのサイドウォール形成時にバイポーラトランジスタ形成領域のシリコン部分の露出を防いで、表面再結合電流の増加による低電流でのｈ_FEの低下、信頼性の悪化を改善する。 - 特許庁

To provide a solid state image pickup device and a camera system employing it, in which bias fluctuation suppressing effect can be enhanced for substrate current by increasing the current amplification factor hFE of the final stage emitter follower in a substrate bias circuit.例文帳に追加

基板バイアス回路をＣＣＤ撮像装置と同一基板上に搭載する場合に構造上制約があり、最終段のエミッタフォロワ部をラテラル型ｎｐｎトランジスタのみで構成したのでは、高い電流増幅率ｈ_FEを得ることができない。 - 特許庁

Since the space is kept liquid-tight until the HFE is supplied after the DIW is supplied to the substrate W, an atmosphere containing oxygen is suppressed from advancing into the space, thus suppressing the generation of water marks.例文帳に追加

ＤＩＷが基板Ｗに供給されてからＨＦＥが供給されるまで、前記空間は液密に保たれているので、当該空間に酸素を含む雰囲気が進入することを抑制し、ウォーターマークが発生することを抑制することができる。 - 特許庁

To minimize variations in an output current of a pnp transistor even if a current amplification factor hFE in the pnp transistor varies in a circuit configuration for inputting the output of a differential amplifier to the base of the pnp transistor.例文帳に追加

差動増幅器の出力をＰＮＰ型トランジスタのベース入力とする回路構成において、ＰＮＰ型トランジスタの電流増幅率ｈＦＥが変動した場合においても、ＰＮＰ型トランジスタの出力電流の変動を最小限の範囲に抑える。 - 特許庁

Hydrofluoroether (HFE) is used as an organic solvent for example, so that the contact angle of the organic solvent to a pattern is set at 70° to reduce attraction producing among the patterns as much as possible as well as to prevent pattern failure.例文帳に追加

このような有機溶剤としては、例えばハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）を用いることにより、パターンに対する当該有機溶剤の接触角を７０°程度にすることができ、パターン間に生じる引力を極力低減させ、パターン倒れを防止することができる。 - 特許庁

Moreover, the peak is detected with the amplifier band expanded (BW: 500 MHz) by making it in an OEIC(optical IC) and using a high-frequency transistor (high in RF hfe at a small current with small input capacitance) for the transistor Q in the peak detector 200.例文帳に追加

また、ＯＥＩＣ（光ＩＣ）化によるアンプ帯域の拡大（ＢＷ：５００ＭＨｚ）を図り、ピーク検出部２００のトランジスタＱ１に高周波トランジスタ（小電流時の高周波ｈｆｅが高く、入力容量が小さいトランジスタ）を用いてピーク検出を行なう。 - 特許庁

A compensation circuit 40 is attached to the filter circuit 10, in order to increase a discharging current I11 by a current equivalent to an increment I3/hfe of a charging current I12, due to a current I3 flowing from a comparator 20 to an output terminal OUT 1 of the filter circuit 10.例文帳に追加

比較器２０からフィルタ回路１０の出力端子ＯＵＴ１に流れ込んだ電流Ｉ３による充電電流Ｉ１２の増加分Ｉ３／ｈｆｅに相当する分だけ、放電電流Ｉ１１を増加させるように、補償回路４０をフィルタ回路１０に付加する。 - 特許庁

Then, the hydrofluoric acid of the surface of the wafer W is cleansed by starting the rinse of the wafer W by HFE (hydrofluoroether) by supplying HFEs used as rinse liquids to the both surfaces Wa and Wb of the wafer W from the upper nozzle 64 and the lower nozzle 14 maintaining the rotation of the wafer W.例文帳に追加

次に、ウエハＷの回転は維持されたまま、上ノズル６４および下ノズル１４よりリンス液としてのＨＦＥのウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給されて、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）によるウエハＷのリンスが開始され、ウエハＷ表面のふっ酸が洗い流される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents reduction in hFE in low current due to an increase of the surface recombination current in a bipolar transistor and can microscopically form the device by forming an external base region in a self alignment manner to an emitter polycrystalline silicon film in a BiCMOS process.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳプロセスにおいて、バイポーラトランジスタの表面再結合電流の増大による低電流でのｈ_FEの低下を防止し、外部ベース領域をエミッタ多結晶シリコンに対して自己整合的に形成することで微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a planer type bidirectional photothyristor element which has a thyristor of a PNPN structure constituted of a PNP transistor Tr1 and an NPN phototransistor Tr2 on an Si substrate 1, hFE of the NPN phototransistor Tr2 is increased by using an SiGe layer as a base region 3a of the NPN phototransistor Tr2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＰＮＰトランジスタＴｒ１とＮＰＮフォトトランジスタＴｒ２とからなるＰＮＰＮ構造のサイリスタを有するプレーナ型双方向フォトサイリスタ素子において、ＮＰＮフォトトランジスタＴｒ２のベース領域３ａにＳｉＧｅ層を用いてＮＰＮフォトトランジスタＴｒ２のｈＦＥを高くする。 - 特許庁

The current amplification rate (HFE) is measured while using an emitter electrode 16 of the IGBT 1 as a collector terminal C1 of the PNP transistor 30, an EQR (equipotential ring) 20 connected to the drift layer 11 of the IGBT 1 as a base terminal of the PNP transistor 30, and a collector electrode of the IGBT as an emitter terminal E1 of the PNP transistor 30.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１のエミッタ電極１６をＰＮＰトランジスタ３０のコレクタ端子Ｃ１とし、ＩＧＢＴ１のドリフト層１１に接続されるＥＱＲ２０をＰＮＰトランジスタ３０のベース端子とし、ＩＧＢＴのコレクタ端子をＰＮＰトランジスタ３０のエミッタ端子Ｅ１として電流増幅率（ＨＦＥ）を測定する。 - 特許庁

This substrate processing device includes: a substrate holding and rotating mechanism 2 for holding a substrate W and rotating the same; a light irradiating part 7 for applying flashlight to the substrate W; a processing liquid supply mechanism 3 for supplying pure water, IPA and HFE in order to the substrate W; and a chemical supply mechanism 4 for supplying a chemical to the substrate W.例文帳に追加

この基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持回転機構２と、基板Ｗに閃光を照射する光照射部７と、基板Ｗに純水、ＩＰＡおよびＨＦＥを順に供給する処理液供給機構３と、基板Ｗに薬液を供給する薬液供給機構４とを備えている。 - 特許庁

In this method for cleaning soil stuck to components in the semiconductor manufacturing device, the component is immersed in a cleaning liquid containing hydrofluorocarbon ether(HFE) or hydrofluorocarbon(HFC) whose solubility parameter(SP) is 5-15 (cal/cm3)0.5 and furthermore, either an external force action is added to the component or the cleaning liquid is boiled.例文帳に追加

半導体製造装置における部品に付着した汚染物を洗浄するための方法であって、溶解度パラメータ（ＳＰ）が５〜１５（ｃａｌ／ｃｍ^3 ）^0.5 であるヒドロフルオロカーボンエーテル（ＨＦＥ）またはヒドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）を含む洗浄液に前記部品を浸漬させ、さらに、前記部品に対して外力作用を加えるか、または、前記洗浄液を沸騰させることを含む方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a hydrofluorocarbon (HFE) which is promising as a substitute for CFC, HCFC, HFC or PFC due to its relatively small stratosphere ozone-depleting capacity and global warming capacity by using, as a raw material, a substance available on an industrial scale or a substance producible from a raw material available on an industrial scale.例文帳に追加

成層圏オゾン層の破壊、地球温暖化能がＣＦＣ、ＨＣＦＣ、ＨＦＣまたはＰＦＣに比べ相対的に小さい為これらの代替品として有望とされるヒドロフルオロカーボン（ＨＦＥ）を、工業的規模で入手できるかもしくは工業的規模で入手できる原料から比較的容易に製造可能な物質を原料とする製造方法を提供する。 - 特許庁

Droplets of HFE is supplied as cleaning liquid, conditioned to a temperature lower than the freezing point of DIW, from the two-fluid nozzle 418 of a droplet supply means 41 to the surface Wf of a substrate W which is held by substrate holding means 11 and to which DIW is adhered as liquid to be frozen, thus freezing the DIW near a pattern and performing physical cleaning.例文帳に追加

基板保持手段１１に保持され、凝固対象液としてのＤＩＷが付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し、液滴供給手段４１の二流体ノズル４１８から、ＤＩＷの凝固点より低い温度に調整された洗浄液としてのＨＦＥの液滴を基板表面Ｗｆに供給し、パターン近傍のＤＩＷを凝固させると共に物理洗浄する。 - 特許庁