「inas」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the optical semiconductor device, an InAs layer 4b including a quantum dot equal to or smaller than a quantum dot included in an InAs layer 4a is multilayered on the InAs layer 4a through an InGaAs layer 5a.例文帳に追加

ＩｎＡｓ層４ａに含まれる量子ドットの大きさと等しいかまたは小さい量子ドットを含むＩｎＡｓ層４ｂがＩｎＧａＡｓ層５ａを介してＩｎＡｓ層４ａ上に多層化される。 - 特許庁

The quantum dots are self-assembled InAs quantum dots 406 formed in InGaAs quantum wells 404 that are grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy.例文帳に追加

量子ドットは、分子ビームエピキタシによってGaAs基板上に成長させられたInGaAs量子井戸４０４に形成された自己組織化InAs量子ドット４０６である。 - 特許庁

The InAs islands are covered with i-type GaAs to form the quantum dots.例文帳に追加

このＩｎＡｓ島をｉ型ＧａＡｓで覆うと量子ドットが形成される。 - 特許庁

In a mechanical semiconductor detecting element which is equipped with an InAs thin film 1 processed into a beam shape, and detects a minute force applied to the InAs film 1 with high sensitivity, by detecting the change in the physical properties of a semiconductor caused by elastic deformation of the InAs film 1, the InAs film 1 has jointing portions with niobium electrodes 2, 3 of superconducting materials.例文帳に追加

梁状に加工したＩnＡs薄膜１を備え、ＩnＡs薄膜１の弾性的な変形による半導体の物性変化を検出することにより、ＩnＡs薄膜１に加わった微小な力を高感度に検出するメカニカルな半導体検出素子において、ＩnＡs薄膜１が超伝導材料のニオブ電極２、３との接合部分を有する。 - 特許庁

The preferable thickness of the InAs layer or the InSb layer is 3 nm to 10 nm.例文帳に追加

ＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層の好ましい厚みは３ｎｍから１０ｎｍである。 - 特許庁

A plurality of quantum dots 5 made of InAs are formed on an intermediate layer 4.例文帳に追加

中間層４上に、ＩｎＡｓからなる複数の量子ドット５が形成されている。 - 特許庁

The quantum dot 611 is made of InAs, and the quantum dot 621 is made of InGaAs.例文帳に追加

量子ドット６１１は、ＩｎＡｓからなり、量子ドット６２１は、ＩｎＧａＡｓからなる。 - 特許庁

To appropriately control the size of InAs quantum dot formed on GaAs layer.例文帳に追加

ＧａＡｓ層上に形成されるＩｎＡｓ量子ドットのサイズを適切に制御する。 - 特許庁

According to this method, As/P substitution on the InAs quantum dot is prevented effectively, and the InAs quantum dots in the thickness direction of the layer can be jointed readily and electronically to each other.例文帳に追加

これにより、ＩｎＡｓ量子ドット上におけるＡｓ／Ｐ置換が効果的に防止され、層厚方向のＩｎＡｓ量子ドット同士を容易に電子的に接合することができる。 - 特許庁

The Hall element comprises a GaAs substrate 101, an InAs layer 102 formed on the GaAs substrate 101, a surface layer 103 formed on the InAs layer 102, a passivation layer 104 formed on the surface layer 103, and electrodes 105 that ohmic-contact the InAs layer 102.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１と、ＧａＡｓ基板１０１の上に形成されたＩｎＡｓ層１０２と、ＩｎＡｓ層１０２の上に形成された表面層１０３と、表面層１０３の上に形成されたパッシべーション層１０４と、ＩｎＡｓ層１０２とオーミック接触する電極１０５とを備える。 - 特許庁

A supply amount of material of the InAs layer 4b is made to be not larger than a half of that of the InAs layer 4a, so that the quantum dots of the InAs layers 4a and 4b are nearly equalized to each other to suppress dislocation etc. to form a high-quality multilayered quantum dot.例文帳に追加

ＩｎＡｓ層４ｂの材料供給量は、ＩｎＡｓ層４ａの材料供給量の半分以下にすることによって、ＩｎＡｓ層４ａ，４ｂの量子ドットの大きさをほぼ等しくすることができ、転位などを抑制し、高品質の多層量子ドットが形成される。 - 特許庁

Then, a quantum dot 611 consisting of InAs is formed by carrying out intermittent supply of In (c3).例文帳に追加

その後、Ｉｎを間欠供給してＩｎＡｓからなる量子ドット６１１を形成する（ｃ３）。 - 特許庁

A compound semiconductor layer 6 is formed as the foundation layer of the conductive layer 7.例文帳に追加

化合物半導体層６は、二元系（InP、InAs）、三元系（AlInAs、AlInP、AlGaP、AlGaAs、GaInAs、GaInP）、四元系（AlInAsP、AlGaInP、AlGaInAs、AlGaAsP、GaInAsP）、又は五元系（AlGaInAsP）からなる。 - 特許庁

The etching is carried out until it reaches the top of dots, and InAs quantum dots with a uniform height can be obtained.例文帳に追加

ドットの頂上に達するまでエッチングを行ない、高さの揃ったＩｎＡｓ量子ドットを得る。 - 特許庁

In the trap layer 13, when an InAs layer grows on a GaAs layer or InGaAs layer, quantum dots of InAs are formed in a self-organized manner on the GaAs or InGaAs layer.例文帳に追加

該トラップ層１３は、ＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓ層の上にＩｎＡｓ層を成長する場合に、ＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓ層の上に、ＩｎＡｓからなる量子ドットが自己組織的に形成される。 - 特許庁

In this compound semiconductor laminate, an InAs layer is formed in thickness of not less than 0.3 μm on a GaAs substrate, and a compound semiconductor protective layer having the same lattice constant in a parallel direction to the substrate as that of the InAs layer and having a lattice constant difference of ≤3% in a vertical direction to the substrate is formed on the InAs layer.例文帳に追加

本発明に係る化合物半導体積層体は、ＧａＡｓ基板上にＩｎＡｓ層を０．３μｍ以上と厚く形成し、そのＩｎＡｓ層上にＩｎＡｓ層と基板に平行方向の格子定数が等しく、基板に垂直方向の格子定数差が３％以内の化合物半導体保護層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

InAs dot formed by using strain relaxation on a GaAs layer is buried in a GaAs film 4 to a thickness not more than a thickness of dot thickness.例文帳に追加

ＧaＡs層上に歪み緩和を利用して形成したInＡsドットをＧaＡs膜でドットの厚さ以下の厚さまで埋め込む。 - 特許庁

After that, epitaxial growth of a semiconductor film 36 (e.g. an InAs film or an InGaAs film) is performed in the trench 27.例文帳に追加

その後、半導体膜３６（例えば、ＩｎＡｓ膜又はＩｎＧａＡｓ膜）を溝２７内にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Continuous supply of arsenic (As) and indium (In) is carried out to a cladding layer 5 consisting of GaAs so that the crystal growth of an InAs film 600 of a 1.9 mono-layer may be deposed crystal growth, and a grain 610 may be formed in the surface of the InAs film 600 (c1, c2).例文帳に追加

ＧａＡｓからなるクラッド層５に、砒素（Ａｓ）およびインジウム（Ｉｎ）を連続供給して１．９モノレイヤーのＩｎＡｓ膜６００を結晶成長させ、ＩｎＡｓ膜６００の表面にグレイン６１０を形成する（ｃ１，ｃ２）。 - 特許庁

A structure in which an InAs nucleus is formed in the shape of a dot (the shape of an island) in a flat surface between the GaAs substrate 1 and the active layers 40, and a buffer layer 20 of a group III-V compound semiconductor is grown to be the grade in which the InAs nucleus is buried on it.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と能動層４０との間に、平面内にＩｎＡｓ核をドット状（島状）に形成し、その上にＩｎＡｓ核が埋まる程度にIII−Ｖ族化合物半導体のバッファ層２０を成長した構造を設ける。 - 特許庁

The InAs layer 32 is constituted in a transmission type which uses the surface 3a of the layer 32 as the plane of incidence of pulsed pumping light L1 and the surface 3b of the Si substrate 30 as the emitting surface of the terahertz wave L2 generated in the InAs layer 32 by the pumping light L1.例文帳に追加

そして、ＩｎＡｓ層３２の面３ａをパルス励起光Ｌ１の入射面とし、Ｓｉ基板３０の面３ｂをパルス励起光Ｌ１によってＩｎＡｓ層３２内で発生したテラヘルツ波Ｌ２の出射面とする透過型の構成とする。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device comprises a first GaAs layer, a second InAs thin film layer having many InAs quantum dots formed on the first GaAs layer, a third InGaAs layer formed on the second InAs thin film layer having many InAs quantum dots, and a fourth GaAs layer formed on the third InGaAs layer, wherein the As_2 is used as the As material.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１層のＧａＡｓ層と、前記第１層のＧａＡｓ層上に形成される第２層である複数のＩｎＡｓ量子ドットを有するＩｎＡｓ薄膜層と、前記第２層である複数のＩｎＡｓ量子ドットを有するＩｎＡｓ薄膜層上に形成される第３層のＩｎＧａＡｓ層と、前記第３層のＩｎＧａＡｓ層上に形成される第４層のＧａＡｓ層からなる半導体発光素子であって、前記Ａｓ原料をＡｓ_２としたことを特徴とする。 - 特許庁

To enable a field effect transistor having a heterostructure constituting a channel layer from InAs to be stably operated at a high speed.例文帳に追加

チャネル層をＩｎＡｓから構成するヘテロ構造の電界効果トランジスタで、高速で安定した動作ができるようにする。 - 特許庁

On a GaAs layer 3, an InAs quantum-dot 4 having the larger lattice constant is formed by utilizing the strain relaxation.例文帳に追加

ＧａＡｓ層３上に、これよりも格子定数の大きいＩｎＡｓ量子ドット４を歪み緩和を利用して形成する。 - 特許庁

A semiconductor laminate structure 24 having a dummy layer 14, a p type Al(Ga)InAs lower light lockup layer 16, AlGaInAs multiple quantum well active layer 18 and an n type Al(Ga)InAs upper light lockup layer 20 is formed on a p type InP substrate 10.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１０上に、ダミー層１４、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ下光閉込層１６、ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸活性層１８、ｎ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ上光閉込層２０を有する半導体積層構造２４を形成する。 - 特許庁

Next, stripes of grooves 54 are formed on the GaAs layer 53 by photo-lithography, and an InAs layer is then formed by MBE.例文帳に追加

次に、フォトリソグラフィ法により、ＧａＡｓ層５３にストライプ状の溝５４を形成した後、ＭＢＥ法によりＩｎＡｓ層を形成する。 - 特許庁

To provide ferromagnetic group III-V compounds in which ferromagnetism can be obtained by using the group III-V compounds (GaAs, InAs, GaP, InP) transmitting light, and a method for controlling the ferromagnetic properties of the ferromagnetic group III-V compounds.例文帳に追加

光を透過するＩＩＩ-Ｖ族系化合物（GaAs, InAs, GaP, InP）を用いて強磁性が得られる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系化合物の提供、およびその強磁性特性を調整することができる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系化合物の強磁性特性を調整する方法を提供する。 - 特許庁

As material of the compound, GaAs or one selected from the group comprising CdTe, InAs and GaSb is adopted.例文帳に追加

化合物の材料としては、ＧａＡｓとするか、または、ＣｄＴｅ、ＩｎＡｓおよびＧａＳｂからなる群から選ばれるいずれか１つとする。 - 特許庁

The p-type Al(Ga)InAs electron barrier layer 22 is present on the whole surface between the ridge 28 and the first p-type InP clad layer 20.例文帳に追加

リッジ２８と第１のｐ型ＩｎＰクラッド層２０との間の全面にｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２が存在する。 - 特許庁

To provide a III-V compound semiconductor polycrystalline thin film of excellent electric conductivity and a band gap larger than InAs.例文帳に追加

電気伝導性が良く、バンドギャップもＩｎＡｓより大きいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a Hall element whose active layer is formed of InAs and whose deterioration of constant-current sensitivity is prevented to an extent necessary for industrial mass production.例文帳に追加

素子の定電流感度の劣化が、工業的量産のために必要な程度に防止されている、活性層がＩｎＡｓであるホール素子を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor force detecting device is mechanical, and equipped with an InAs thin film 2 as a semiconductor thin film that is processed into a beam shape, and is capable of detecting minute forces applied to the cantilever beam 11 with high sensitivity, by detecting the elastic deformation of the cantilever beam 11 formed of the InAs thin film 2.例文帳に追加

梁状に加工した半導体薄膜としてＩｎＡｓ薄膜２を備え、ＩｎＡｓ薄膜２によって形成される片持ち梁１１の弾性的な変形を検出することにより、片持ち梁１１に加わった微小な力を高感度に検出するメカニカルな半導体力検出装置である。 - 特許庁

Instead of a conventional PbS detector for covering the near infrared region, an InAs detector is employed, three detectors of a photomultiplier detector 20, an InGaAs detector 24, and an InAs detector 25 are used, the detectors are switched in response to the measurement wavelength by moving control of a movable mirror 15 and a switching mechanism 23.例文帳に追加

従来、近赤外領域をカバーするＰｂＳ検出器に代えてＩｎＡｓ検出器を採用し、光電子増倍管検出器２０、ＩｎＧａＡｓ検出器２４、及びＩｎＡｓ検出器２５の３つを用い、可動鏡１５及び切替機構２３の移動制御により、測定波長に応じて検出器を切り替える。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device formed on a barrier layer containing GaAs and provided with a quantum dot containing InAs, capable of easily obtaining a polarization-insensitive gain.例文帳に追加

ＧａＡｓを含む障壁層上に形成され、ＩｎＡｓを含む量子ドットを備える光半導体装置において、容易に偏波無依存な利得を得られるようにする。 - 特許庁

The quantum dots of the first and second infrared ray absorbing layers 54a and 54b are respectively formed from InAs, and the intermediate layer is formed respectively from Al_0.5Ga_0.5As.例文帳に追加

第１及び第２の赤外線吸収層５４ａ，５４ｂの量子ドットはいずれもＩｎＡｓにより形成されており、中間層はいずれもＡｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓにより形成されている。 - 特許庁

According to this invention, carriers can be spin-injected into the ferromagnetic semiconductor film even when a voltage applied to the ferromagnetic metal film is low by using the ferromagnetic semiconductor film containing InAs.例文帳に追加

本発明によれば、ＩｎＡｓを含む強磁性半導体膜を用いることにより、強磁性金属膜に印加される電圧が小さくとも強磁性半導体膜にキャリアをスピン注入することができる。 - 特許庁

An indium arsenide (InAs)layer is placed on a gallium arsenide (GaAs) substrate, and an semiconductor layer is placed on the indium arsenide layer, which is larger than the gallium arsenide substrate and has a lattice constant smaller than the indium arsenide layer.例文帳に追加

ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上にインジウム砒素（ＩｎＡｓ）層を設け、インジウム砒素層上にガリウム砒素基板より大きくインジウム砒素層より小さい格子定数を有する半導体層設ける。 - 特許庁

Between a base layer comprising GaAs and an emitter layer comprising InGaP, a layer comprising one out of InAs, InGaAs, InAsP, GaAsP or AlGaAs that has a thickness of 2-3 nm is formed.例文帳に追加

ＧａＡｓより成るベース層とＩｎＧａＰより成るエミッタ層との間にＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｓＰ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＡｓの何れか一つの層を厚さ２から３nm形成したことにある。 - 特許庁

The InAs thin film 2 has a low-order quantum structure, the energy difference between an electron quantum level formed in the low-order quantum structure and the Fermi level is set equal to thermal energy or below.例文帳に追加

ＩｎＡｓ薄膜２は低次元量子構造を有し、この低次元量子構造に形成される電子の量子準位とフェルミ準位とのエネルギ差が、熱エネルギーと同等または小さくされている。 - 特許庁

A cavity 15 is formed by selectively etching the GaAs crystal of the substrate 11 from the lateral direction in the interface between the conductive layer 12 and the substrate 11, in which misfit transitions exist at a high density due to the difference in lattice constant between the InAs and GaAs.例文帳に追加

ＩｎＡｓとＧａＡｓの格子定数差から界面に高密度のミスフィット転移が存在しているＧａＡｓ結晶を選択的に横方向からエッチングすることにより空孔１５を形成している。 - 特許庁

A ridge 28 is formed by selectively etching the p-type InGaAsP contact layer 26 and the second p-type InP clad layer 24 by using the p-type Al(Ga)InAs electron barrier layer 22 as an etching stopper layer.例文帳に追加

そして、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２をエッチングストッパ層として、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２６及び第２のｐ型ＩｎＰクラッド層２４が選択エッチングされてリッジ２８が形成されている。 - 特許庁

At this time, when growing is conducted under growing conductions, wherein an InAs surface that becomes an In stabilized surface is formed, the mass transport of In is conducted sufficiently, and the dots are aligned to the size of the balanced state of the energy.例文帳に追加

このときＩｎ安定化面となるＩｎＡｓ表面が形成される成長条件で成長を行うと、Ｉｎのマストランスポートが充分に行われて、ドットはエネルギーの平衡状態の大きさに揃う。 - 特許庁

To provide a sealing method for molten materials wherein when compound semiconductors such as InAs, SnTe, PbTe are melted to perform a diffusional test or the like, evaporated matters of samples can be prevented from permeating a shear cell or a crucible.例文帳に追加

ＩｎＡｓ，ＳｎＴｅ，ＰｂＴｅ等の化合物半導体を溶融させて上述した拡散試験等を行う場合に、試料の蒸発物がシェアセルやるつぼを透過するのを防止することができる溶融材料の密封方法を提供する。 - 特許庁

This invention relates to a tunnel magnetoresistive element and a spin transistor which have a ferromagnetic semiconductor film containing InAs, a ferromagnetic metal film, and an insulating film provided between the ferromagnetic semiconductor film and the ferromagnetic metal film.例文帳に追加

本発明は、ＩｎＡｓを含む強磁性半導体膜と、強磁性金属膜と、前記強磁性半導体膜と前記強磁性金属膜との間に設けられた絶縁膜と、を具備するトンネル磁気抵抗素子およびスピントランジスタである。 - 特許庁

To provide a method for forming a quantum dot which can form a pure InAs quantum dot at a desired position or with a desired density on a GaAs substrate, an AlAs substrate, or a GaAlAs alloy substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板、ＡｌＡｓ基板あるいはＧａＡｌＡｓ混晶基板上において、所望する位置あるいは所望する密度で純粋なＩｎＡｓ量子ドットを形成することができる量子ドットの形成方法を提供する。 - 特許庁