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「inclusion gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索
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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > inclusion gateに関連した英語例文

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inclusion gateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5



例文

The target ion responding part 20 is constituted of an inclusion compound 21 and an inorganic silane compound 22 for chemically bonding the inclusion compound 21 to the gate region 17 of the field-effect transistor 10.例文帳に追加

標的イオン感応部20を包接化合物21と、包接化合物21を電界効果型トランジスタ10のゲート領域17に化学的に結合させる無機シラン化合物22とで構成した。 - 特許庁

To provide a method of casting molten steel capable of preventing a gate of a tundish from being plugged by a non-metal inclusion, capable of making the non-metal inclusion float up surely on a molten steel face in the tundish, and capable of casting stably a prescribed composition of casted piece.例文帳に追加

非金属介在物によるタンディシュのゲート詰まりを防ぎ、且つ該非金属介在物をタンディシュ内における溶鋼の湯面に確実に浮上させられ、所定組成の鋳片を安定して鋳造できる溶鋼の鋳造方法を提供する。 - 特許庁

The potential change of the surface of the inclusion compound 21 due to the formation of the complex of the target ions and the inclusion compound 21 is detected as a change in the gate voltage of the field-effect transistor 10 and the target ions are approximately quantified using a Nernst equation.例文帳に追加

標的イオンと包接化合物21との錯形成による包接化合物21表面の電位変化を電界効果型トランジスタ10のゲート電圧の変化として検出し、標的イオンをネルンスト式を用いて近似的に定量する。 - 特許庁

This automatic stop unit comprises an engine automatic stop unit 3 which stops the engine subject to inclusion of the vehicle running at or lower than the set vehicle speed, and an ETC unit 2 which receives a compulsive stop signal transmitted from the ETC(Electric Toll Collection system) gate and forces the engine automatic stop unit to stop the engine even though the conditions are not met.例文帳に追加

車両が設定車速以下の状態であることを含むことを条件にエンジンを停止させるエンジン自動停止ユニット3と、ETCゲートから送信される強制停止信号を受信し条件を満たしていなくてもエンジン自動停止ユニットに対しエンジンを停止させるようにするETCユニット2とを備える。 - 特許庁

例文

The junction type field effect transistor formed on a semiconductor substrate 100 is constituted with inclusion of a source region 101, a drain region 102, a channel region 103 formed between the source region 101 and the drain region 102, and a gate region 107 formed under at least the channel region 103.例文帳に追加

半導体基板100に形成された接合形電界効果トランジスタは、ソース領域101と、ドレイン領域102と、ソース領域101とドレイン領域102との間に形成されたチャネル領域103と、少なくともチャネル領域103の下に形成されたゲート領域107とを含で構成される。 - 特許庁





  
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