「ion acceleration voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Since dielectric breakdown strength of the gate insulation film 12b can be controlled by ionic species, an acceleration voltage or a dose, etc., during ion implantation, both high dielectric breakdown strength required for an MOS transistor and low dielectric breakdown strength required for a fuse capacitor can be realized, thus reducing the development period.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜１２ｂの絶縁破壊耐圧はイオン注入時のイオン種、加速電圧、またはドーズ量等により制御出来るため、ＭＯＳトランジスタに求められる高い絶縁破壊耐圧と、フューズキャパシタに求められる低い絶縁破壊耐圧とを両立でき、更に開発期間の短縮を図ることが出来る。 - 特許庁

The energy loss due to ion acceleration in a cathode sheath caused near a cathode can be reduced, by lowering the potential of a display electrode in synchronism in a sustain discharge period, and the discharge efficiency can be improved, even if the drive voltage is raised to increase the xenon excitation energy, so that vacuum ultraviolet rays can be emitted efficiently.例文帳に追加

維持放電期間において、表示電極の電位を維持放電に同期して縮小することにより、陰極近傍に発生する陰極シースでのイオン加速によるエネルギー損失を低減することができ、キセノンガス励起エネルギーを上げるために駆動電圧を上げても、放電効率の向上を図ることができ、効率良く真空紫外線を放射することが可能となる。 - 特許庁

Since the accelerator is a folding type tandem accelerator, a 180° analysis electromagnet is arranged at a high voltage terminal part, and a slit having an energy analysis and diffusion restricting slit function is installed at the entrance part of the acceleration tube on high energy side, and once again the beam is accelerated by the accelerator having a single hole lens effect, and by focusing, an MeV region high energy ion nano beam is formed.例文帳に追加

加速器が、折り返し型タンデム加速器であるため、高電圧ターミナル部に１８０°分析電磁石を置き、高エネルギー側の加速管の入口部にエネルギー分析及び発散制限スリット機能を有するスリットを設置し、再度、単孔レンズ効果を有する加速管によりビームを加速するとともに、集束を行い、ＭｅＶ領域高エネルギーイオンナノビームを形成する。 - 特許庁

To prevent decrease in the sample transmission capacity of electron beams in a STEM observation with decreased acceleration voltage and the bad influence of a damaged layer generated by the application of ion beams, to remove the damaged layer effectively by minimizing the damage to a desired region in a sample, and to prevent processing failure by detecting an optimum processing completion point in time even if the thickness of a thin-film sample is reduced.例文帳に追加

加速電圧を下げたＳＴＥＭ観察での電子ビームの試料透過能力の低下やイオンビームの照射により生じるダメージ層の悪影響を防ぎ、試料の所望の領域への損傷を最小限にしてダメージ層を効果的に除去すること、および薄膜試料の厚さがより薄くなっても最適な加工終了時点を検出して加工失敗を防ぐ。 - 特許庁