「ion acceleration voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A CPU 21 sends a signal for turning off an ion acceleration voltage to an ion acceleration power control part 15 so that an ion beam is not irradiated to a sample when the sample is analyzed.例文帳に追加

試料分析の時に試料にイオンビームが照射されないように、ＣＰＵ２１は、イオン加速電圧オフの信号をイオン加速電源制御部１５に送る。 - 特許庁

Acceleration voltage of the ion beam when irradiation with the ion beam is performed in the milling step is in the range of 400 to 1,400 V.例文帳に追加

ミリング工程におけるイオンビームを照射する際のイオンビームの加速電圧は、４００〜１４００Ｖである。 - 特許庁

Thereafter, high-energy ion implantation such as well formation, etc., is performed by an acceleration voltage of 200 kV or higher.例文帳に追加

その後、ウェル形成などの加速電圧２００ｋＶ以上の高エネルギーイオン注入をおこなう。 - 特許庁

To provide a vertical acceleration type TOFMS which cannot be affected by withstand voltage performance of an ion detecting means.例文帳に追加

イオン検出手段の耐電圧性能に左右されない垂直加速型TOFMSを提供する。 - 特許庁

Ion injection is performed by a first acceleration voltage with respect to the inter-layer insulating film 140, thereby to form a first ion layer 310.例文帳に追加

層間絶縁膜１４０に対して第１の加速電圧でイオン注入を行い第１イオン層３１０を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the resist 2 is dissolved and eliminated, a new resist 2 is applied, an opening part is formed on another place and the ion implantation is performed with another acceleration voltage different from the acceleration voltage in the ion implantation performed previously.例文帳に追加

続いて、レジスト２を溶解除去し、新しいレジスト２を塗布して、別の場所に開口部を設け、先に行ったイオン注入における加速電圧とは別の加速電圧でイオン注入を行う。 - 特許庁

Ion implantation into the treating object is carried out using bivalent ions and establishing the total value of the bivalent extraction voltage and the bivalent acceleration voltage in implantation of the bivalent ions at a half value of the total value of a monovalent extraction voltage and a monovalent acceleration voltage in implantation of monovalent ions of the same ion species as the bivalent ions, and establishing the bivalent acceleration voltage smaller than the monovalent acceleration voltage.例文帳に追加

２価イオンを用い、その２価イオンを注入する際の２価用引出電圧及び２価用加速電圧の合計値を、その２価イオンと同一イオン種の１価イオンを注入する際の１価用引出電圧及び１価用加速電圧の合計値の半分の値に設定し、かつ、２価用加速電圧を１価用加速電圧よりも小さく設定して被処理体へのイオン注入を行なう。 - 特許庁

A positive voltage is applied to the split acceleration grid on the side for turning off an ion beam, and a negative voltage is applied to a deceleration grid 117.例文帳に追加

イオンビームをオフする側の分割加速グリッドに正電圧を印加し、更に減速グリッド１１７に負電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a low acceleration voltage ion beam projection aligner as an ion beam proximity projection exposure system for solving the problem of increase in the scale of an optical system, the decrease in resist sensitivity at a high acceleration voltage, and the problem of damage in masks and wafers in the ion beam projection aligner using the conventional high-acceleration ion beam.例文帳に追加

従来の高加速イオンビームを用いるイオンビーム露光装置における、光学系の大規模化の問題、また高加速電圧ではレジスト感度が低いことや、マスクやウェハの損傷の問題を解決するため、イオンビーム近接投影露光方式として低加速電圧のイオンビーム露光装置を提供する。 - 特許庁

The ion implantation is performed under conditions of 3MV acceleration voltage and 1.0×10^15/cm^2 implantation rate.例文帳に追加

加速電圧３ＭＶ、注入量１．０×１０^15／ｃｍ^2の条件でイオン注入を行った。 - 特許庁

The ion-implantation is carried out at 0.05-50 μA/cm^2 ion current and the thickness of the ion implanted layer is changed by continuously changing the acceleration voltage in the ion-implantation.例文帳に追加

また、注入電流が０．０５μＡ／ｃｍ^２〜５０μＡ／ｃｍ^２の範囲でイオン注入を行い、イオン注入時の加速電圧を連続的に変化させて、イオン注入層の厚みを変える。 - 特許庁

Furthermore, in another embodiment, while amplitude-modulating acceleration voltage added to an accelerating tube 6, the ion implantation is carried out.例文帳に追加

更に別の態様では、加速管６に加える加速電圧を振幅変調しながらイオン注入を行う。 - 特許庁

In a time of flight type mass spectrometer wherein an ion is flown from an ion reservoir with the multistage acceleration field and re- accelerated for detecting near the ion detector, the voltage in each acceleration field meeting secondary convergence condition corresponding to re-acceleration voltage is to be set so as to obtain resolution equivalent to that in the case of non re-acceleration.例文帳に追加

多段加速場によりイオン溜からイオンを飛行させ、イオン検出器近傍で再加速して検出する飛行時間型質量分析計であって、再加速電圧に応じて２次収束条件を満たす各加速場の電圧を設定するようにして、再加速しない場合と同等の分解能が得られるようにしたものである。 - 特許庁

Also, by using a low-acceleration voltage of 10 kV or less as an acceleration voltage, a high throughput, low-damage, and simple device configuration can be realized, thus providing a low-cost ion beam projection aligner.例文帳に追加

また加速電圧として１０ｋＶ以下の低加速電圧を用いることで、高スループット、低損傷でかつ簡単な装置構成を実現し、低コストなイオンビーム露光装置を提供できる。 - 特許庁

To provide an ion source which is excellent in convergence of the ion beam even when the ion acceleration voltage is as low as 100 V, high in sensitivity, and stably operated for a long time.例文帳に追加

イオン加速電圧が１００Ｖ以下の低電圧でも、イオンビームの収束性により優れ、高感度で長時間安定して動作する電子衝撃型イオン源を提供する。 - 特許庁

The n-type gallium nitride substrate 1 is irradiated with argon ions 5 by an acceleration voltage not higher than 1 kV by using an ion milling device.例文帳に追加

イオンミリング装置を用い加速電圧１ＫＶ以下にてアルゴンイオン５をｎ型窒化ガリウム基板１に向けて照射する。 - 特許庁

In an ion beam processing method for irradiating gas cluster ion beams to process works, the processing is performed by stepwise or continuously decreasing a value of an acceleration voltage which accelerates the gas cluster ion beams.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビームを照射してワークを加工するイオンビーム加工方法であって、ガスクラスターイオンビームを加速する加速電圧の値を段階的に又は連続的に減少させながら加工を行う。 - 特許庁

Germanium ions 14A are ion-implanted to the surface region of a semiconductor substrate 11 at a prescribed acceleration voltage and in a prescribed dose amount.例文帳に追加

半導体基板１１の表面領域に、所定の加速電圧、所定のドーズ量で、ゲルマニウムイオン１４Ａをイオン注入する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device which is capable of emitting a focused ion beam having a small beam diameter even if an acceleration voltage is reduced.例文帳に追加

加速電圧を小さくしてもビーム径の小さい集束イオンビームを照射可能な荷電粒子ビーム装置を提供すること。 - 特許庁

Only the regions of the active layer 5 that are to be the LDD regions are doped by ion-doping an impurity at a low concentration with a high acceleration voltage.例文帳に追加

不純物を高い加速電圧で低濃度にイオンドーピングして、活性層５のＬＤＤ領域14,15となる部分のみをドーピングする。 - 特許庁

The ion implanter for implanting ions into an object of ion implantation, by impressing a voltage on an acceleration electrode 5 contained in an accelerating tube 3 to accelerate an ion beam 51 taken out from an ion source by generating an acceleration electric field, is provided with an X-ray shielding material 6 in vacuum in the accelerating tube 3 so as to cover an orbit of the ion beam 51.例文帳に追加

イオン源から取出されたイオンビーム５１を、加速管３内に収められた加速電極５に電圧を印可して加速電場を生成することにより加速し、イオン注入対象物へイオン注入するイオン注入装置に、加速管３内の真空中にイオンビーム５１の軌道を覆うようにＸ線遮蔽材６を設置する。 - 特許庁

Ion implantation with a high dosage and a low acceleration voltage and ion implantation with a low dosage and a high acceleration voltage are successively performed using the mask to form an LDD (Lightly Doped Drain) region of the low-breakdown-voltage lateral trench MOSFET and an LDD region of the trench lateral power MOSFET at the same time.例文帳に追加

このマスクを用いて、高ドーズ量および低加速電圧で行うイオン注入と、低ドーズ量および高加速電圧で行うイオン注入を連続して行うことによって、低耐圧横型トレンチＭＯＳＦＥＴのＬＤＤ領域と、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴのＬＤＤ領域とを同時に形成する。 - 特許庁

The well is formed in two times of first impurity ion implantation by the prescribed incident angle from a first direction, an acceleration voltage and a dosage; and second impurity ion implantation by the same incident angle, acceleration voltage and dosage as the first impurity ion implantation from a second direction different from the first direction by 180 degrees in plane view.例文帳に追加

ウェルの形成を、第１の方向からの所定の入射角度および加速電圧、ドーズ量による第１の不純物イオン注入と、第１の方向と平面視で１８０度異なる第２の方向からの、第１の不純物イオン注入と同じ入射角度および加速電圧、ドーズ量による第２の不純物イオン注入の２回に分けて行う。 - 特許庁

A dopant is driven to the diamond thin film 5-12 at an acceleration voltage of 60 kV and a dose of 1×10^14 cm^-2 by using an ion implantation device.例文帳に追加

上記ダイヤモンド薄膜５−１２にイオン注入装置を用い、加速電圧６０ｋＶ、ドーズ量１×１０^１４ｃｍ^−２でドーパントを打ち込む。 - 特許庁

Only the regions of the active layer 5 that are to be the source region 12 and the drain region 13 are doped by ion-doping an impurity at a high concentration with a low acceleration voltage.例文帳に追加

不純物を低い加速電圧で高濃度にイオンドーピングして、活性層５のソース領域12およびドレイン領域13となる部分のみをドーピングする。 - 特許庁

In this case, the acceleration voltage is set so that ion species to be measured are emitted from the separation space 17 after receiving the action from the electric field for one cycle.例文帳に追加

この際、被測定イオン種が電場の作用を１周期間受けた後、分離空間１７から出射されるように、加速電圧を設定する。 - 特許庁

When implantation of the impurity ions is performed for the second time, ion implantation is performed under the condition where ion concentration is comparatively low and acceleration voltage is high, and the resistance value of a first polycrystalline silicon film 6 is adjusted.例文帳に追加

２回目に不純物イオンを注入するときには、イオン濃度を比較的低く高加速電圧の条件でイオン注入し、第１の多結晶シリコン膜６の抵抗値を調整する。 - 特許庁

By composing an ion source by a plasma source due to electron cyclotron resonance and an extraction electrode, a low-acceleration voltage ion beam that is uniform and has improved parallelism over a wise area can be drawn.例文帳に追加

電子サイクロトロン共鳴によるプラズマ源と引き出し電極でイオン源を構成することで、広い面積にわたり均一で平行性のよい低加速電圧のイオンビームを引き出すことができる。 - 特許庁

Mass spectrometry in which only target ions are selected out of the ions extracted by applying an extraction voltage by an ion source 1 is carried out only one time by a mass spectrometer 2, and ions are implanted into a treating object in an end station 5 by making shaping and scanning of ion beams in a beam line 3 and applying acceleration voltage in an acceleration tube 4.例文帳に追加

イオン源１で引出電圧をかけて引き出したイオンのうち目的とするイオンのみを選別する質量分析を質量分析器２で１回のみ行ない、ビームライン３にてイオンビームの整形及び走査をし、加速管４にて加速電圧をかけてエンドステーション５にて被処理体にイオン注入する。 - 特許庁

In a case of manufacturing the SRAM cell, when implantation of impurity ions is performed at first time, ion implantation is performed under the condition where the ion concentration is comparatively high and acceleration voltage is low, and a source/drain diffusion layer 13 is formed.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルの製造時において、１回目に不純物イオンを注入するときにはイオン濃度を比較的高く低加速電圧の条件でイオン注入し、ソース／ドレイン拡散層１３を形成する。 - 特許庁

Then, by using a mask 73 with a narrow opening, a B ion is injected with a weak acceleration voltage to form a high-resistance layer 75 wide than a gate formation region.例文帳に追加

次に、狭い開口部を有するマスク７３を用いて、Ｂイオンを弱い加速電圧で注入して、ゲート形成領域よりも広く高抵抗層７５を形成する。 - 特許庁

In the negative ion generator which generates ions by corona discharge by applying high voltage on discharge electrodes and accelerates the speed of the ions with an acceleration electrode to emit through a blowing port, the acceleration electrode is grounded through a high voltage diode with its anode connected to the electrode.例文帳に追加

放電電極に高電圧を印加することにより、コロナ放電によって生成されたイオンを加速電極で加速し、吹出し口から放出するマイナスイオン発生装置において、前記加速電極はこれにアノード側を接続した高圧ダイオードを介して接地した。 - 特許庁

To arrange an electron microscope and a sample so that the distance therebetween is optimum, in a device which prepares a thin sample by focused ion beam for use in observation by a transmission electron microscope (TEM) and removes a damaged layer on the sample surface using a gaseous ion beam at a low acceleration voltage.例文帳に追加

集束イオンビームでＴＥＭ観察用の薄片化試料を作製し、低加速電圧の気体イオンビームで試料表面のダメージ層を除去する装置において、電子顕微鏡と試料とを最適な距離に配置すること。 - 特許庁

The concentration gradient of the metal ion in the thickness direction is intently generated by controlling the acceleration voltage and injection amount of the metal ion so that the thin film has a structure in which a band gap or potential gradation is changed in the thickness direction.例文帳に追加

その際、厚さ方向に金属イオンの濃度勾配を加速電圧及び注入量を制御することにより意図的にもうけて、バンドギャップもしくは電位勾配を厚さ方向に変化させた構造を有する薄膜を提供する。 - 特許庁

An energy determination processor 26 determines whether energy of the ion beams after acceleration is normal or abnormal, based on a frequency of the high-frequency voltage and a position of the beam orbit.例文帳に追加

エネルギー判定処理装置２６は高周波電圧の周波数及びビーム軌道の位置に基づいて加速終了後のイオンビームのエネルギーが正常であるか異常であるかを判定する。 - 特許庁

In the process of removing a part of the floating plane protection film 101, when the irradiation angle of the ion beams is ≥60° from the normal line of the floating face of the magnetic head slider and acceleration voltage of the ion beams is ≤300 V, high denseness and covering properties can be obtained.例文帳に追加

前記浮上面保護膜101の一部を除去する工程において、イオンビームの照射角が、磁気ヘッドスライダ浮上面法線から60度以上であり、イオンビームの加速電圧が300Ｖ以下であるとき、高い緻密性及び被覆性を得ることができる。 - 特許庁

Oxygen ion beams are emitted against the substrate from an ion beam generator 23 with the ion current density of ≥5 μA/cm^2 and ≤20 μA/cm^2 and the acceleration voltage of ≥50 V and ≤300 V, oxygen ion beams are non-charge gasified by a neutralizer 24, and the vaporized film deposition material is accelerated by non-charge gasified oxygen and deposited on the substrate.例文帳に追加

又は、イオン電流密度を５μＡ／ｃｍ^２以上、２０μＡ／ｃｍ^２以下、加速電圧５０Ｖ以上、３００Ｖ以下でイオンビーム発生装置２３から酸素イオンビームを基板に向けて出射すると共にニュートライザー２４により酸素イオンビームを無帯電気体化し、気化させた成膜材料を無帯電気体化した酸素で加速して基板に付着させる。 - 特許庁

In this method for forming a molding die for an optical element to deposit at least a hard carbon film as a release layer on the molding face by an ion beam vapor deposition method, the hard carbon film is deposited under the conditions of 6 to 21 kV acceleration voltage in the initial stage of film deposition and 0.4 to 4 kV acceleration voltage in the final stage of film deposition.例文帳に追加

イオンビーム蒸着法により、成形面に少なくとも硬質炭素膜を離型層として形成する光学素子成形用型の形成方法において、該硬質炭素膜を成膜初期に加速電圧を６〜２１ｋＶとし、成膜終期に加速電圧を０．４〜４ｋＶとして印加し、成膜することを特徴とする。 - 特許庁

When forming the emitter region 2e and the collector region 2c, the acceleration voltage is set at 20 kV and the ion current is set at 10 μA by a secondary ion microanalyzer (IMA) and the two points on the Si substrate 1 are irradiated with Ar^+ and He^+, which are rare gas element ions, for about two hours.例文帳に追加

エミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃの形成に当たっては、二次イオン質量分析器（ＩＭＡ）により加速電圧を２０ｋＶ、イオン電流を１０μＡとして、希ガス元素のイオンであるＡｒ^+及びＨｅ^+を２時間程度、Ｓｉ基板１の２箇所にイオン照射する。 - 特許庁

A carbon atom cluster ion source is set in a vacuum chamber 7, a heating device 1 carries a current to heat a carbon nanotube 2 after the vacuum chamber 7 is vacuumized, and carbon atoms comprising the carbon nanotube 2 are vaporized in cluster state in an electric field by adjusting an acceleration voltage +E1 and an extraction voltage -E2.例文帳に追加

炭素原子クラスターイオン源を真空チャンバー７にセットし、真空チャンバー７を真空排気した後、加熱装置１に通電し、カーボンナノチューブ２を加熱し、加速電圧＋Ｅ_1 と引出電圧−Ｅ_2 を調節してナノチューブ２を構成する炭素原子をクラスターの状態で電界蒸発させる。 - 特許庁

In the plasma treatment, the DLC coating film is irradiated with plasma with an adjusted amount of ions of 1.30×10^16 to 1.85×10^17 ions/cm^2 at a bias (ion acceleration) voltage of 80-140 V.例文帳に追加

前記プラズマ処理は、照射イオン量を調整してＤＬＣ皮膜にプラズマ照射する処理であり、照射イオン量は１．３０×１０^１６〜１．８５×１０^１７イオン／ｃｍ^２であり、バイアス（イオン加速）電圧は８０〜１４０Ｖである。 - 特許庁

A magnetic circuit to form a magnetic field in which the plasma emitted from the target is converged on the substrate is disposed outside the target in the vicinity of the aperture, and an ion acceleration electrode is provided between the aperture and the substrate so as to apply the voltage in a range in which the etching is not predominant to the acceleration electrode.例文帳に追加

該開口部近傍で、該ターゲットの外側に、ターゲットから放出されたプラズマが基板上へ収束するような磁場を形成するための磁気回路が設けられ、また、該開口部と基板との間にイオン加速電極を設け、該加速電極に対してエッチングが優勢とならない範囲の電圧を印加するように構成される。 - 特許庁

The projection structure is grown and formed by irradiating the surface of the zinc substrate in vacuum with an Ar ion beam at an irradiation angle of 15 to 90 degrees and at an acceleration voltage of 2 to 10 kV to excite and diffuse zinc atoms on the surface.例文帳に追加

そして、これらの突起構造体は、真空中で亜鉛基板の表面上に、１５〜９０ｄｅｇの照射角にて加速電圧２〜１０ｋＶのＡｒイオンビームを照射し、励起した亜鉛原子の表面拡散で成長・形成させる。 - 特許庁

To provide a method, in which the thinning and working operation of a sample is executed by using a focused ion beam apparatus and to provide a method, in which the working operation can be performed in a short time irrespective of the sagging of its beam, in operation at a low acceleration voltage.例文帳に追加

本発明の課題は、集束イオンビーム装置を用いた試料の薄片化加工を実行する方法であって、低加速電圧下での作業においてそのビームダレにもかかわらず短時間で加工を行うことができる方法を提示することにある。 - 特許庁

A mechanism for measuring temperature of a high-voltage power supply circuit 16 output to an ion acceleration section of the flight-time type mass spectroscope is arranged, and correction of mass spectrum data measured at the same time is performed on a data processing section 18 by referring to temperature data.例文帳に追加

飛行時間型質量分析装置のイオン加速部に出力する高圧電源回路１６の温度を計測する機構を設け、同じ時間に測定した質量スペクトルデータについて、温度データを参照して、質量スペクトルデータの補正をデータ処理部１８で実施する。 - 特許庁