「ion beam irradiated」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An electron source is positioned on the surface of the wafer for an oxygen ion beam to be irradiated and outside a line of the ion beam, so that an electron beam is irradiated thereon by the same amount as an ion beam current value or less, with electron energy set at 50 eV or more.例文帳に追加

酸素イオンビームが照射されるウエハ面側に有ってイオンビームライン外に電子源を設置し、イオンビーム電流値と同量、それ以下の電子ビームを照射し、電子エネルギーが５０ｅＶ以上である。 - 特許庁

Then the substrate is irradiated with an ion beam under a vacuum and the alignment processing is performed.例文帳に追加

その後、真空中で基板へイオンビームを照射して、配向処理する。 - 特許庁

When a single atom ion beam is irradiated, the single atom ion formed in the ion source 1 is irradiated without introducing the gas into the gas supply part 11.例文帳に追加

単原子イオンビームを照射する場合には、ガス供給部１１にガスを導入せずに、イオン源１で生成された単原子イオンを照射する。 - 特許庁

To provide an ion beam distribution detection apparatus for electrically measuring the amount of irradiation of an ion beam irradiated to any location to be processed with the ion beam and detecting the divergence of the ion beam on the basis of measurement results and to provide an ion beam orientation processing apparatus.例文帳に追加

任意のイオンビーム処理位置に照射されるイオンビームの照射量を電気的に測定し、この測定結果をもとに、このイオンビームのダイバージェンスを検出するイオンビーム分布検出装置およびこれを用いたイオンビーム配向処理装置を提供すること。 - 特許庁

The surface of the absorber film 14 has been irradiated with an Ar ion beam.例文帳に追加

前記吸収体膜１４の表面にはＡｒイオンビームが照射されている。 - 特許庁

As a result, the ion beam cannot pass through the mass spectrometry slit 28 and the ion beam does not reach a wafer 58 and the ion beam not satisfying the condition is not irradiated on the wafer.例文帳に追加

その結果、イオンビームは質量分析スリット２８を通過できなくなるので、イオンビームはウェハ５８に到達せず、条件を満たさないイオンビームがウェハに照射されることは無い。 - 特許庁

One cross section 53c of the element forming part is irradiated with a converged ion beam to be exposed.例文帳に追加

収束イオンビームを照射することで素子形成部の一断面５３ｃを露出する。 - 特許庁

An ion beam irradiation system 1 and a gas inlet mechanism 21 are attached to an irradiated material chamber 2.例文帳に追加

被照射物チャンバー２にイオンビーム照射系１と、ガス導入機構２１を取り付ける。 - 特許庁

The ion beam generating unit has a gas cluster ion source 101, so that the cluster is irradiated.例文帳に追加

イオンビーム発生手段はガスクラスターイオン源１０１を有しており、これによりクラスターが照射されるようになっている。 - 特許庁

To provide an ion implanting device suppressing variation of angles in a wafer surface at which a wafer is irradiated with an ion beam, and an ion implanting method.例文帳に追加

イオンビームがウェハに照射される角度のウェハ面内ばらつきを抑制するイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, a region where a beam is actually irradiated is displayed on the screen superposed with focused ion beam scan image.例文帳に追加

また、実際にビームが照射される領域を集束イオンビーム走査像と重畳して画面上に表示して加工する。 - 特許庁

The current density of the ion beam 2 is favorably at most 65 μA/cm^2, and the magnetic material thin film can be irradiated with the ion beam during the deposition of the thin film.例文帳に追加

イオンビーム２の電流密度は、６５μＡ／ｃｍ^2以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。 - 特許庁

To provide a micro ion beam generating apparatus with a light trestle, in which a sample can be irradiated with an ion beam having sufficient intensity.例文帳に追加

軽装な装置架台を備え、十分な強度をもつイオンビームを試料に照射することができるようにしたマイクロイオンビーム形成装置の提供。 - 特許庁

A processing cross-sectional surface 10 of a workpiece 4 is formed on an ion beam-irradiated side surface 26 obtained by moving a radiation axis 24 of an ion beam 20 along a processing line.例文帳に追加

イオンビーム２０の照射軸２４が加工ラインに沿って移動して得られるイオンビーム照射側面２６に、ワーク４の加工断面１０を形成する。 - 特許庁

A carbon nanotube 3 held in a space is irradiated with gallium ion beam going through the carbon nanotube 3.例文帳に追加

空間に保持したカーボンナノチューブ３に、カーボンナノチューブ３を貫通するガリウムイオンビームを照射する。 - 特許庁

The surface of the mask 12 is obliquely irradiated with, for example, an ion beam such as helium and argon.例文帳に追加

そのマスク１２の上から、たとえばヘリウムまたはアルゴン等のイオンビームで斜方照射を行なう。 - 特許庁

To provide an ion milling device and method capable of directly cooling a surface of a sample irradiated with an ion beam at the time of milling by irradiating the sample with the ion beam.例文帳に追加

イオンビームを試料に照射してミリングを行う際、試料におけるイオンビームの照射面を直接冷却することができるイオンミリング装置とイオンミリング方法とを提供する。 - 特許庁

Thereby, a secondary ion 36 from the area where a primary ion beam 32 is irradiated is inputted in the mass spectrometer 40.例文帳に追加

こうして、１次イオンビーム３２が照射されている領域のみからの２次イオン３６を質量分析計４０に入射させる。 - 特許庁

The surface of the solid is irradiated with a water cluster ion beam, an oxygen cluster ion beam or a monomer cluster ion beam accelerated by predetermined accelerated voltage to impart super-hydrophilicity of a contact angle of 15° or above to the surface of the solid.例文帳に追加

所定の加速電圧で加速された水クラスターイオンビーム、若しくは、酸素クラスターイオンビーム及びモノマーイオンビームを固体表面に照射することによって、該表面に接触角１５°以下の超親水性を付与する。 - 特許庁

A focusing ion beam is irradiated to a top part of the second stage projection 13, and a through hole is opened.例文帳に追加

そして、その第２段突起１３の頂部に集束イオンビームを照射して貫通穴を開ける。 - 特許庁

The SiC wafer 1 is irradiated with an XeCl excimer laser beam simultaneously with hydrogen ion implantation.例文帳に追加

このように水素イオンを注入すると同時に、ＳｉＣウエハ１にＸｅＣｌエキシマレーザ光を照射する。 - 特許庁

A focused ion beam IB is irradiated on a penetrated hole part 16 to form a drawing hole on a drawing base plate 2a by an operation of an ion etching.例文帳に追加

集束したイオンビームＩＢを穿孔部１６に照射し、イオンエッチングの作用により絞り基体２ａに絞り孔を形成する。 - 特許庁

Energy is given to ions 2 (B+ beams) having plus charges from the ion generation source of the ion injection device 1, and a wafer 3 is irradiated with the beam.例文帳に追加

イオン注入装置１のイオン発生源よりプラスの電荷を持ったイオン２（Ｂ^+ ビーム）にエネルギーを与え、ウエハ３に照射する。 - 特許庁

The fine particle 2 is irradiated with a converged ion beam, and secondary ions discharged by the irradiation of the converged ion beam are detected so as to perform the component analysis of the fine particle 2.例文帳に追加

また、微粒子２に集束イオンビームを照射し、この集束イオンビームの照射により放出される二次イオンを検出して微粒子２の成分分析を行う。 - 特許庁

At first, a target material holder 3a is operated to direct a target material 3b toward an ion beam source 1 and then a substrate 5 is irradiated with an ion beam 2 thus forming one layer of film.例文帳に追加

まず、ターゲット材ホルダ３ａを操作してターゲット材料３ｂをイオンビーム源１に向け、イオンビーム２を照射して、基板５上に膜を１層形成する。 - 特許庁

An ion beam from the charged particle beam generator 2 is irradiated to an affected part 62 of a patient 61 by the radiation field forming device 15.例文帳に追加

荷電粒子ビーム発生装置２からのイオンビームは照射野形成装置１５より患者６１の患部６２に照射される。 - 特許庁

A converging ion beam is irradiated from a beam source 5 installed in a top part of the vacuum chamber 4 to the mixed gas supply region.例文帳に追加

そして、この混合ガス供給領域に真空チャンバ４の頂部に設置したビーム源５から収束イオンビームを照射する。 - 特許庁

In the case that large differences in level of the surface of the alignment layer 3 irradiated with the ion beam bring about parts shaded from an ion beam source, the ion beam is radiated to the shaded parts by radiation in a reverse direction.例文帳に追加

また、イオンビームを照射する配向膜３の表面の段差形状が大きく、イオンビーム源から影になる部分が生じる場合、逆方向からも照射することによって影になっていた部分にイオンビームを照射する。 - 特許庁

A CPU 21 sends a signal for turning off an ion acceleration voltage to an ion acceleration power control part 15 so that an ion beam is not irradiated to a sample when the sample is analyzed.例文帳に追加

試料分析の時に試料にイオンビームが照射されないように、ＣＰＵ２１は、イオン加速電圧オフの信号をイオン加速電源制御部１５に送る。 - 特許庁

A gas cluster ion beam irradiation part 20 ionizes and accelerated the gas cluster generated, and gas cluster ion beams G are irradiated on the surface of a substrate W.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビーム照射部２０は、生成したガスクラスターをイオン化して加速し、ガスクラスターイオンビームＧを基板Ｗの表面に照射する。 - 特許庁

The ion beam irradiation device is of a structure in which ion beams 100 scanned in an X direction are irradiated on the substrate 90 held by a holder 2.例文帳に追加

Ｘ方向に走査されるイオンビーム１００をホルダ２に保持された基板９０に照射する構成のイオンビーム照射装置に関する。 - 特許庁

A die material being a composit material comprising a glassy carbon and a vapor grown carbon fiber is irradiated with a converged ion beam.例文帳に追加

ガラス状カーボンおよび気相成長炭素繊維の複合材である型材に集束イオンビームを照射する。 - 特許庁

Ions in the plasma P is drawn out by a grid G, and is irradiated on a substrate S as an ion beam flux IB.例文帳に追加

このプラズマＰ中のイオンはグリッドＧにより引き出され、イオンビーム束ＩＢとして基板Ｓに照射される。 - 特許庁

To provide a method for ion milling, which method is suitable for making the position irradiated by an ion beam coincide with a target machining position; and further to provide an apparatus for ion milling.例文帳に追加

本発明の目的は、イオンビームが照射されている個所と、加工目的位置とを一致するのに好適なイオンミリング加工方法、及びイオンミリング加工装置の提供にある。 - 特許庁

Regarding the part irradiated with the ion beam through the transmissive part of the mask 12, the refractive index changes as shown in Fig. 11-1.例文帳に追加

マスク１２の透過部分を通ってイオンビームの照射を受けた部分は、１１−１のように屈折率が変化する。 - 特許庁

The element 3' is not irradiated by any kind of focused ion beam and accordingly never damaged.例文帳に追加

そして、磁気抵抗効果素子３’は、いかなる集束イオンビームもに照射されていないので、何の損傷も受けていない。 - 特許庁

The substrate 10 is irradiated with the ion beam IB, to thereby cut a cutting part 3a of the sample 3 together with the substrate 10.例文帳に追加

基板１０にイオンビームＩＢを照射することにより、基板１０と共に試料３の切削部３ａを切削する。 - 特許庁

In the case of an ion beam that is tilted against a sample surface, the region where the beam is actually irradiated is displayed and the line is processed in consideration of the tilting of the sample against the beam.例文帳に追加

試料表面に対して傾斜したイオンビームの場合にもビームに対する試料の傾斜を考慮して、実際にビームが照射される領域を表示して加工する。 - 特許庁

The ion beam 28 is reflected between a thin film 26 being an alignment layer on the substrate and the reflective surface 34 of the mask 20, and the alignment layer is formed by the ion beam with which the thin film 26 is finally irradiated.例文帳に追加

配向層となる基板上の薄膜２６とマスク２０の反射面３４との間でイオンビーム２８を反射させ、最終的に薄膜２６に照射されたイオンビームにより配向層を形成する。 - 特許庁

The cell recovery membrane is obtained by irradiating the surface of a polymer material containing carbon as a constituting element with an ion beam and peeling the resultant ion-beam-irradiated layer from the polymer material.例文帳に追加

炭素を構成元素として含む高分子材料の表面にイオンビームを照射することにより形成される該高分子材料表面のイオンビーム照射層を剥離させることにより得られる薄膜。 - 特許庁

Then, the thin film of PLLA on the substrate is irradiated with focused ion beam by using an FIB apparatus (FIB processing: S3).例文帳に追加

次に、ＦＩＢ装置を用いて、基板上のＰＬＬＡ薄膜に対して、集束されたイオンビームを照射する（ＦＩＢ加工：Ｓ３）。 - 特許庁

To provide a working method and a working device for a workpiece where, when a workpiece is irradiated with a gas cluster ion beam, the workpiece is heated so as to super-flatten its surface.例文帳に追加

被加工物にガスクラスターイオンビームを照射する際に、該被加工物を加熱してその表面を超平坦化する。 - 特許庁

When the wafer is irradiated with the ion beam, while rotating the wafer in milling, milling processing amount is made uniform on an entire surface of the wafer.例文帳に追加

ミリング加工時にウエハを回転させつつイオンビームをウエハに照射すると、ミリング加工量をウエハ全面で均一化できる。 - 特許庁

In this state, the sample 7 is irradiated with an ion beam 16 within the frame of the conductive plate 19, thus processing or observing the sample 7.例文帳に追加

その状態で、導電板１９の枠内にイオンビーム１６を試料７に照射して、加工もしくは観察を行う。 - 特許庁

An accelerated voltage is generated between an ion source and a sample P, and ion beam B released from the ion source are focused and irradiated on a given processing position P3 to process the surface of the sample P.例文帳に追加

イオン源と試料Ｐとの間に加速電圧を生じさせ、イオン源から放出されるイオンビームＢを集束し所定の加工位置Ｐ３に照射させて、試料Ｐの表面を加工する。 - 特許庁