「ion depletion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Respective programmable elements are constituted of depletion type transistors D100, D101 being same as memory cells of a mask ROM apparatus, the depletion type transistors are programmed in a first program state of a conduction state in an ion injection process for memory cells of the mask ROM apparatus or in a second program state of a non-conduction state.例文帳に追加

プログラム可能な素子の各々はマスクＲＯＭ装置のメモリセルと同一の空乏型トランジスタＤ１００，Ｄ１０１で構成され、空乏型トランジスタはマスクＲＯＭ装置のメモリセルに対するイオン注入工程で導通状態の第１プログラム状態又は非導通状態の第２プログラム状態にプログラムされる。 - 特許庁

In the method for manufacturing MOS-FET semiconductor device using a perfect depletion type SOI layer, an impurity is ion-implanted adjusting implantation energy so that the peak concentration of the impurity to be ion-implanted into a channel area to control a threshold voltage exists in the SOI layer.例文帳に追加

本発明は、完全空乏型のＳＯＩ層を用いたＭＯＳ−ＦＥＴ半導体装置の製造方法であって、閾値電圧制御のためにチャネル領域にイオン注入される不純物の濃度のピークが前記ＳＯＩ層中に存在するように注入エネルギーを調節して、前記不純物をイオン注入する。 - 特許庁

By adopting gettering sites using ion doping at the same time, impurity elements such as heavy metals can be removed from the channel formation region of a TFT (amorphous silicon) and the depletion layer region of a p-n junction, thereby enhancing the gettering capability and the gettering efficiency.例文帳に追加

さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 - 特許庁

In a channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor, ion implantation for threshold control for the channel forming portion is executed for an interface between an SOI layer and a buried insulation film at plurality of times while changing acceleration energy and dividing a dose quantity.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、チャネル形成部へ閾値調整のためのイオン注入をＳＯＩ層/埋め込み絶縁膜との界面に、加速エネルギーを変えてドーズ量を分割して複数回行うことを特徴とする - 特許庁

The anodic bonding method by heating a glass substrate 1 and a silicon substrate 2 and applying a voltage to bond these substrates includes a step of controlling the thickness of the glass substrate 1 or the silicon substrate 2 in such a manner that the position of a neutral axis Ns of bending of the bonded substrate 3 is approximately coincident with the position of an alkali ion depletion layer 4.例文帳に追加

本発明は、ガラス基板１とシリコン基板２とを加熱及び電圧印加してこれらを接合する陽極接合方法において、接合基板３の曲げ中立軸Ｎｓの位置が、アルカリイオン欠乏層４の位置と略一致するようにガラス基板１又はシリコン基板２の板厚を調整する工程を含むものである。 - 特許庁

Thus four types of MOS transistors can be formed by combining an enhancement type with a depletion type for ion implanting to control the threshold in two ion implanting steps for controlling the threshold.例文帳に追加

少なくとも２種類以上のしきい値を有する複数のＭＯＳトランジスタ領域表面にイオン注入により形成されたしきい値制御のための基板とは逆導電型の第１の不純物層を有するＭＯＳトランジスタと、前記第１の不純物層を有するＭＯＳトランジスタの内の少なくとも１種類のしきい値を有するＭＯＳトランジスタに基板と同一導電型の第２の不純物層が配置されたＭＯＳトランジスタと、第２の不純物層が配置されたＭＯＳトランジスタで構成される。 - 特許庁