例文 (105件) |
ion implantation apparatusの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 105件
ION IMPLANTATION APPARATUS例文帳に追加
イオン打ち込み装置 - 特許庁
APPARATUS FOR GENERATING ION FOR ION IMPLANTATION DEVICE例文帳に追加
イオン注入装置用イオン発生装置 - 特許庁
MONITORING METHOD OF ION IMPLANTATION ENERGY AND ION IMPLANTATION APPARATUS例文帳に追加
イオン注入エネルギーのモニター方法およびイオン注入装置 - 特許庁
INTERNAL PROTECTING MEMBER FOR ION IMPLANTATION DEVICE, AND ION IMPLANTATION APPARATUS例文帳に追加
イオン注入装置用内部保護部材及びイオン注入装置 - 特許庁
ION BEAM MEASUREMENT METHOD AND ION IMPLANTATION APPARATUS例文帳に追加
イオンビーム計測方法およびイオン注入装置 - 特許庁
ELECTRON SHOWER DEVICE FOR ION-IMPLANTATION APPARATUS例文帳に追加
イオン注入装置用エレクトロンシャワー装置 - 特許庁
ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD FOR OBTAINING A NONUNIFORM ION IMPLANTATION ENERGY例文帳に追加
不均一なイオン注入エネルギーを得られるイオン注入装置及びその方法 - 特許庁
METHOD FOR REGULATING ION IMPLANTATION TREATMENT AND ION IMPLANTATION APPARATUS THEREOF例文帳に追加
イオン注入処理の調整に使用する方法及びそのイオン注入装置 - 特許庁
ION IMPLANTATION APPARATUS AND ITS ADJUSTMENT METHOD例文帳に追加
イオン注入装置およびその調整方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION APPARATUS AND DEFLECTION ANGLE CORRECTING METHOD OF ION BEAM例文帳に追加
イオン注入装置およびイオンビームの偏差角補正方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION APPARATUS, ION BEAM ROUTE FORMING APPARATUS AND ION BEAM PROCESSING OF WORKPIECE例文帳に追加
イオン注入装置、イオンビ—ム径路形成装置、及び加工物のイオンビ—ム処理方法。 - 特許庁
MASK FOR ION IMPLANTATION, METHOD AND APPARATUS FOR ION IMPLANTATION USING THE SAME例文帳に追加
イオン注入用マスクと、これを使用するイオン注入方法およびイオン注入装置 - 特許庁
METHOD FOR ION IMPLANTATION, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON-ON INSULATOR WAFER AND APPARATUS FOR ION IMPLANTATION例文帳に追加
イオン注入方法及びSOIウエハの製造方法、並びにイオン注入装置 - 特許庁
ION IMPLANTATION APPARATUS AND THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
イオン注入装置及び薄膜半導体装置 - 特許庁
To provide an ion implantation apparatus and an ion implantation method for performing ion implantation with a different implantation energy for each area of a wafer so as to obtain nonuniform ion implantation energy.例文帳に追加
ウエハー内の領域別に相異なる注入エネルギーでイオン注入を行う、不均一なイオン注入エネルギーを得られるイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。 - 特許庁
Moreover, the ion beam is sealed in the low- energy ion implantation apparatus.例文帳に追加
さらに、低エネルギーイオン注入装置内でイオンビームを封じ込める。 - 特許庁
METHOD OF CLEANING ION SOURCE, AND METHOD AND APPARATUS FOR ION IMPLANTATION例文帳に追加
イオン源のクリーニング方法、並びにイオン注入方法及び装置 - 特許庁
ION IMPLANTATION METHOD USING SPUTTERING METHOD, AND APPARATUS THEREFOR例文帳に追加
スパッタ法を用いたイオン注入法及びその装置 - 特許庁
MASS SPECTROMETER, ION IMPLANTATION APPARATUS, AND ION BEAM SEALING METHOD例文帳に追加
質量分析装置、イオン注入装置、およびイオンビームの封じ込め方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES例文帳に追加
イオン注入装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION APPARATUS, ION GENERATOR AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
イオン注入装置、イオン発生装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁
HIGH-TEMPERATURE ION IMPLANTATION APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING HIGH-TEMPERATURE ION IMPLANTATION例文帳に追加
高温イオン注入装置、および高温イオン注入を用いて半導体デバイスを製造する方法 - 特許庁
ELECTROSTATIC ACCELERATING TUBE AND ION IMPLANTATION APPARATUS PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加
静電加速管およびそれを備えるイオン注入装置 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD OF ION IMPLANTATION AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
イオン注入装置、イオン注入方法、及び半導体装置 - 特許庁
ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR USING THE SAME例文帳に追加
イオン打込み装置及びこれを用いた半導体製造方法 - 特許庁
GRAPHITE MEMBER FOR INTERNAL MEMBER OF BEAM LINE OF ION IMPLANTATION APPARATUS例文帳に追加
イオン注入装置のビームラインの内部部材用黒鉛部材 - 特許庁
This ion implantation apparatus has an ion implantation chamber in which a substrate support 22 for supporting nonionic implantation plate W is provided, and leads an ion beam into the ion implantation chamber and implants ions into the substrate supported by the substrate support.例文帳に追加
本イオン注入装置は、被イオン注入基板Wを保持する基板保持部22を内部に備えたイオン注入室を有し、イオン注入室にイオンビームを導いて、基板保持部に保持された基板にイオンを注入する装置である。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ION IMPLANTATION APPARATUS USING SAME例文帳に追加
半導体装置の製造方法及びそれを用いたイオン注入装置 - 特許庁
To provide an ion implantation apparatus which achieves ion implantation of low COO into a glass substrate without using a collimator lens.例文帳に追加
平行化レンズを用いずに、ガラス基板に対してのイオン注入を実現するCООに優れたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁
To provide a mass spectrometer, an ion implantation apparatus, and an ion beam sealing method.例文帳に追加
質量分析装置、イオン注入装置、およびイオンビームの封じ込め方法を提供すること。 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING CONTAMINATED SURFACE IN ION-IMPLANTATION SYSTEM例文帳に追加
イオン注入装置の汚染された表面を除去する装置および方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ION IMPLANTATION APPARATUS例文帳に追加
半導体装置、イオン注入装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁
ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
イオン注入装置とこの装置を用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF SOLID-STATE IMAGING APPARATUS AND ION IMPLANTATION ANGLE CALCULATION PROGRAM例文帳に追加
固体撮像装置の製造方法およびイオン注入角度算出プログラム - 特許庁
ION IMPLANTATION METHOD, METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING APPARATUS, SOLID-STATE IMAGING APPARATUS, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加
イオン注入方法、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、並びに電子機器 - 特許庁
To provide an ion implantation apparatus which can avoid discharge tracks on the rear surface of a silicon wafer which has been generated, when ion implantation is carried out over the wafer at a temperature exceeding 300°C with use of a 10 mA-100 mA region ion implantation apparatus.例文帳に追加
10mAから100mA領域のイオン打込み装置を使い300℃を越える温度でシリコンウエハにイオン打込みを行うときに発生していたウエハ裏面放電痕のないイオン打込み装置を提供する。 - 特許庁
An internal protecting member for the ion implantation apparatus, mounted in the ion implantation apparatus, is formed of a semiconductive material doped with the impurities.例文帳に追加
イオン注入装置の内部に取り付けられる保護部材であって、不純物がドーピングされた半導体材料からなることを特徴とするイオン注入装置用内部保護部材。 - 特許庁
METHOD/AND APPARATUS FOR ION IMPLANTATION, METHOD/AND APPARATUS FOR OPERATION CONTROL, METHOD/AND APPARATUS FOR MANUFACTURING CIRCUIT, INFORMATION STORAGE MEDIUM, AND SILICON WAFER例文帳に追加
イオン注入方法/装置、動作制御方法/装置、回路製造方法/装置、情報記憶媒体、シリコンウェハ - 特許庁
例文 (105件) |
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