| 例文 (8件) |
ion-sensitive field-effect transistorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
ION-SENSITIVE MEMBRANE, ION-SELECTIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND ION SENSOR例文帳に追加
イオン感応膜、イオン選択性電界効果型トランジスタ、イオンセンサ - 特許庁
ION-SENSITIVE FIELD-EFFECT TRANSISTOR-TYPE SENSOR WITH REFERENCE ELECTRODE FUNCTION例文帳に追加
比較電極機能付イオン感応性電界効果トランジスタ型センサ - 特許庁
The method for using the ion-sensitive field-effect transistor to monitor properties of a medium includes the step of biasing the ion-sensitive field-effect transistor in a weak inversion region, exposing the ion-sensitive field-effect transistor to the medium, and analyzing the output of different ion-sensitive field-effect which depends on the properties.例文帳に追加
イオン感応電界効果トランジスタを用いて媒体の性質をモニタする方法は、弱反転領域のイオン感応電界効果トランジスタにバイアスをかけるステップと、イオン感応電界効果トランジスタを前記媒体に露出するステップと、前記性質に依存して異なるイオン感応電界効果の出力を分析するステップとを含む。 - 特許庁
To provide a processing system and a control using an ion-sensitive field-effect transistor.例文帳に追加
イオン感応電界効果トランジスタを利用する処理システムおよび制御システムを提供する。 - 特許庁
A signal processing circuit contains one or more ion-sensitive field-effect transistors, namely, ISFET, and a bias circuit for biasing them or each ion-sensitive field-effect transistor so as to operate in a weak inversion region.例文帳に追加
１つ以上のイオン感応電界効果トランジスタ、すなわちＩＳＦＥＴと、弱反転領域で動作するよう前記または各々のイオン感応電界効果トランジスタにバイアスをかけるためのバイアス回路とを含む信号処理回路である。 - 特許庁
To provide an ion sensor wherein a plasticized polyvinyl chloride often used for a sensitive film matrix part which is the central part of an ion- sensitive field effect transistor (ISFET), which is an ion sensor, has higher durability than film material.例文帳に追加
イオンセンサーであるイオン感応性電界効果型トランジスタ(ISFET)の心臓部である感応膜マトリックス部分に多く使われる可塑化ポリ塩化ビニルが膜材料よりも耐久性を有するイオンセンサーを提供する。 - 特許庁
In ISFET(ion sensitive field-effect transistor), a drain region 2 and a source region 3 are formed on the main surface of a P-type silicon substrate 1 in a spaced-apart state and an ion responsive film 6 is formed on the channel part 4 between both regions 2, 3 through a gate insulating film 5.例文帳に追加
ＩＳＦＥＴは、ｐ形シリコン基板１の主表面側にドレイン領域２とソース領域３とが離間して形成され、両領域２，３間のチャネル部４上にゲート絶縁膜５を介してイオン感応膜６が形成されている。 - 特許庁
To provide a pH meter which has a structure capable of exactly measuring a pH value of a sample liquid with high purity whose pH buffering capacity is low and conductivity is also low even when measurement of the pH value is repeated in a pH meter which has an ion-sensitive field effect transistor.例文帳に追加
イオン感応性電界効果トランジスタを有するｐＨ計において、ｐＨ値の測定を繰り返しても、ｐＨ緩衝能が低く、導電率も低い純度が高いサンプル液のｐＨ値の測定を正確に行える構造を有するｐＨ計を提供すること。 - 特許庁
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