「ion-irradiated」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Pulsing primary ion is irradiated from the primary ion irradiation device 12 toward the surface of the metal sample 17.例文帳に追加

一次イオン照射装置１２から金属試料１７の表面に向けてパルス状の一次イオンが照射される。 - 特許庁

To provide an ion implanting device suppressing variation of angles in a wafer surface at which a wafer is irradiated with an ion beam, and an ion implanting method.例文帳に追加

イオンビームがウェハに照射される角度のウェハ面内ばらつきを抑制するイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion irradiation apparatus capable of achieving both of clean ion irradiation for an object to be irradiated and close monitoring of ion beams.例文帳に追加

被照射物に対するクリーンなイオン照射と、イオンビームの厳重なモニタとを両立させることができるイオン照射装置を提供する。 - 特許庁

LITHIUM SECONDARY BATTERY USING ION-IRRADIATED CARBON MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

イオンを照射した炭素材料によるリチウム二次電池およびその製造方法 - 特許庁

The ion beam generating unit has a gas cluster ion source 101, so that the cluster is irradiated.例文帳に追加

イオンビーム発生手段はガスクラスターイオン源１０１を有しており、これによりクラスターが照射されるようになっている。 - 特許庁

Thereafter, while the wafer disk 12 is rotated and translated, the wafers 18 are irradiated with ion beams for ion implantation.例文帳に追加

その後、ウエハディスク１２を回転及び並進移動させながら、イオンビームをウエハ１８に照射してイオン注入を行う。 - 特許庁

To efficiently adjust a beam current density distribution of each ion beam in an ion-beam-superposed region on a glass substrate irradiated with a plurality of ion beams.例文帳に追加

ガラス基板上に照射された複数本のイオンビームによる重ね合わせ領域において、各イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。 - 特許庁

An argon ion is accelerated with 1 keV or less of low energy using an ion milling device, and the thin sample piece 30 is irradiated with argon ion to remove the damaged layer.例文帳に追加

イオンミリング装置を用いてアルゴンイオンを１ｋｅＶ以下の低エネルギーで加速し、アルゴンイオンを薄片試料（３０）に照射することで、ダメージ層を除去する。 - 特許庁

A lamp 5 is arranged at a location, at which an ion-accelerating region 25 between an ion trap 9 and at which an ion-accelerating electrode 4 is not irradiated with vacuum ultraviolet light 7.例文帳に追加

イオントラップ９とイオン加速電極４との間のイオン加速域２５に真空紫外光７が照射されない位置に、ランプ５を配置する。 - 特許庁

The surface of the absorber film 14 has been irradiated with an Ar ion beam.例文帳に追加

前記吸収体膜１４の表面にはＡｒイオンビームが照射されている。 - 特許庁

A camera 4 photographs the processing point P of the processing object W on which ion beams I are irradiated.例文帳に追加

カメラ４は、イオンビームＩが照射される被加工物Ｗの加工点Ｐを撮像する。 - 特許庁

One cross section 53c of the element forming part is irradiated with a converged ion beam to be exposed.例文帳に追加

収束イオンビームを照射することで素子形成部の一断面５３ｃを露出する。 - 特許庁

An ion beam irradiation system 1 and a gas inlet mechanism 21 are attached to an irradiated material chamber 2.例文帳に追加

被照射物チャンバー２にイオンビーム照射系１と、ガス導入機構２１を取り付ける。 - 特許庁

In the stage of the vapor deposition, the thin film 16 is irradiated with ions from an ion source 18.例文帳に追加

蒸着の工程において、イオン源１８からイオンを薄膜１６に照射する。 - 特許庁

An electron source is positioned on the surface of the wafer for an oxygen ion beam to be irradiated and outside a line of the ion beam, so that an electron beam is irradiated thereon by the same amount as an ion beam current value or less, with electron energy set at 50 eV or more.例文帳に追加

酸素イオンビームが照射されるウエハ面側に有ってイオンビームライン外に電子源を設置し、イオンビーム電流値と同量、それ以下の電子ビームを照射し、電子エネルギーが５０ｅＶ以上である。 - 特許庁

Thereby, a secondary ion 36 from the area where a primary ion beam 32 is irradiated is inputted in the mass spectrometer 40.例文帳に追加

こうして、１次イオンビーム３２が照射されている領域のみからの２次イオン３６を質量分析計４０に入射させる。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 is moved, with respect to the ion stream, while a state where the edge 1e is irradiated with the ion stream is maintained.例文帳に追加

エッジ部分１ｅにイオン流が照射された状態を保ちながら半導体基板１をイオン流に対して移動させる。 - 特許庁

As a result, the polarization inversion structures varying in the alignment directions of dipoles in the irradiated portions and non-irradiated portions with the ion beams may be formed.例文帳に追加

これにより、イオンビームの照射部位と非照射部位とでダイポールの配向方向が異なる分極反転構造が形成できる。 - 特許庁

A first exposure unit 103 on which electron beam is irradiated and a second exposure unit 104 on which ion beam is irradiated are formed by irradiating electron beam and ion beam on a resist film 102.例文帳に追加

レジスト膜１０２に電子ビームおよびイオンビームを照射して電子ビームが照射された第１露光部１０３およびイオンビームが照射された第２露光部１０４を形成する。 - 特許庁

A CPU 21 sends a signal for turning off an ion acceleration voltage to an ion acceleration power control part 15 so that an ion beam is not irradiated to a sample when the sample is analyzed.例文帳に追加

試料分析の時に試料にイオンビームが照射されないように、ＣＰＵ２１は、イオン加速電圧オフの信号をイオン加速電源制御部１５に送る。 - 特許庁

A focused ion beam IB is irradiated on a penetrated hole part 16 to form a drawing hole on a drawing base plate 2a by an operation of an ion etching.例文帳に追加

集束したイオンビームＩＢを穿孔部１６に照射し、イオンエッチングの作用により絞り基体２ａに絞り孔を形成する。 - 特許庁

Energy is given to ions 2 (B+ beams) having plus charges from the ion generation source of the ion injection device 1, and a wafer 3 is irradiated with the beam.例文帳に追加

イオン注入装置１のイオン発生源よりプラスの電荷を持ったイオン２（Ｂ^+ ビーム）にエネルギーを与え、ウエハ３に照射する。 - 特許庁

A carbon nanotube 3 held in a space is irradiated with gallium ion beam going through the carbon nanotube 3.例文帳に追加

空間に保持したカーボンナノチューブ３に、カーボンナノチューブ３を貫通するガリウムイオンビームを照射する。 - 特許庁

The surface of the mask 12 is obliquely irradiated with, for example, an ion beam such as helium and argon.例文帳に追加

そのマスク１２の上から、たとえばヘリウムまたはアルゴン等のイオンビームで斜方照射を行なう。 - 特許庁

A substrate is irradiated with the focused ion beams with raw material gas supplied onto it to form the microstructure made of diamond like carbon on a part irradiated with the focused ion beams (step S101).例文帳に追加

基板の上に原料ガスを供給した状態で集束イオンビームを照射し、集束イオンビームの照射箇所にダイアモンドライクカーボンからなる微小構造体を形成する（ステップＳ１０１）。 - 特許庁

A gas cluster ion beam irradiation part 20 ionizes and accelerated the gas cluster generated, and gas cluster ion beams G are irradiated on the surface of a substrate W.例文帳に追加

ガスクラスターイオンビーム照射部２０は、生成したガスクラスターをイオン化して加速し、ガスクラスターイオンビームＧを基板Ｗの表面に照射する。 - 特許庁

To realize an ion accelerating method, and a device capable of utilizing energy which laser light irradiated on a target has for ion acceleration with superior efficiency.例文帳に追加

ターゲットに照射したレーザー光がもつエネルギーを効率良くイオン加速に利用することができるイオン加速方法及び装置を実現する。 - 特許庁

The ion beam irradiation device is of a structure in which ion beams 100 scanned in an X direction are irradiated on the substrate 90 held by a holder 2.例文帳に追加

Ｘ方向に走査されるイオンビーム１００をホルダ２に保持された基板９０に照射する構成のイオンビーム照射装置に関する。 - 特許庁

As a result, the ion beam cannot pass through the mass spectrometry slit 28 and the ion beam does not reach a wafer 58 and the ion beam not satisfying the condition is not irradiated on the wafer.例文帳に追加

その結果、イオンビームは質量分析スリット２８を通過できなくなるので、イオンビームはウェハ５８に到達せず、条件を満たさないイオンビームがウェハに照射されることは無い。 - 特許庁

To provide a method for ion milling, which method is suitable for making the position irradiated by an ion beam coincide with a target machining position; and further to provide an apparatus for ion milling.例文帳に追加

本発明の目的は、イオンビームが照射されている個所と、加工目的位置とを一致するのに好適なイオンミリング加工方法、及びイオンミリング加工装置の提供にある。 - 特許庁

To provide an ion milling device and method capable of directly cooling a surface of a sample irradiated with an ion beam at the time of milling by irradiating the sample with the ion beam.例文帳に追加

イオンビームを試料に照射してミリングを行う際、試料におけるイオンビームの照射面を直接冷却することができるイオンミリング装置とイオンミリング方法とを提供する。 - 特許庁

The surface of the sample 18 is irradiated with a giant cluster from an ion source 20 to be etched.例文帳に追加

イオン源２０から試料１８表面に巨大クラスターを照射し、試料１８表面をエッチングする。 - 特許庁

A focusing ion beam is irradiated to a top part of the second stage projection 13, and a through hole is opened.例文帳に追加

そして、その第２段突起１３の頂部に集束イオンビームを照射して貫通穴を開ける。 - 特許庁

The SiC wafer 1 is irradiated with an XeCl excimer laser beam simultaneously with hydrogen ion implantation.例文帳に追加

このように水素イオンを注入すると同時に、ＳｉＣウエハ１にＸｅＣｌエキシマレーザ光を照射する。 - 特許庁

He ions emitted from a conductive tip 186 as an ion source are irradiated to a sample 180.例文帳に追加

イオン源の導電性先端１８６から放出されたＨｅイオンは、試料１８０に照射される。 - 特許庁

To provide an ion beam distribution detection apparatus for electrically measuring the amount of irradiation of an ion beam irradiated to any location to be processed with the ion beam and detecting the divergence of the ion beam on the basis of measurement results and to provide an ion beam orientation processing apparatus.例文帳に追加

任意のイオンビーム処理位置に照射されるイオンビームの照射量を電気的に測定し、この測定結果をもとに、このイオンビームのダイバージェンスを検出するイオンビーム分布検出装置およびこれを用いたイオンビーム配向処理装置を提供すること。 - 特許庁

The current density of the ion beam 2 is favorably at most 65 μA/cm^2, and the magnetic material thin film can be irradiated with the ion beam during the deposition of the thin film.例文帳に追加

イオンビーム２の電流密度は、６５μＡ／ｃｍ^2以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。 - 特許庁

To reduce the necessary amount of ion irradiation and provide a large margin to the necessary energy of the irradiated ions when a cantilever is bent by IIB (Ion Induced Bending) technique.例文帳に追加

IIB技術で片持ち梁を曲げ加工するに際し、必要なイオン照射量を低減し、かつ、必要な照射イオンのエネルギに大きなマージンを与える。 - 特許庁

To provide a micro ion beam generating apparatus with a light trestle, in which a sample can be irradiated with an ion beam having sufficient intensity.例文帳に追加

軽装な装置架台を備え、十分な強度をもつイオンビームを試料に照射することができるようにしたマイクロイオンビーム形成装置の提供。 - 特許庁

A processing cross-sectional surface 10 of a workpiece 4 is formed on an ion beam-irradiated side surface 26 obtained by moving a radiation axis 24 of an ion beam 20 along a processing line.例文帳に追加

イオンビーム２０の照射軸２４が加工ラインに沿って移動して得られるイオンビーム照射側面２６に、ワーク４の加工断面１０を形成する。 - 特許庁

In the method for forming an etching mask, a focused ion beam is irradiated to a surface of a substrate 200 and the etching mask 204 used for oblique etching which generates a portion including an ion in the irradiated region is formed.例文帳に追加

エッチングマスクの形成方法において、基板２００表面に、集束イオンビームを照射し、該照射領域にイオン含有部分からなる斜めエッチングに用いるエッチングマスク２０４を形成する構成とする。 - 特許庁

And the radiant rays such as soft X-rays and the like generating from the ionization source is irradiated to the ion transferring gas in the jet outlet 1 and changed to ion and the generated plus and minus ion are supplied to the desired charged body.例文帳に追加

そして、イオン化源１１から発生する軟Ｘ線等の放射線を、吹出口１内でイオン搬送ガスに照射してイオン化し、発生した正負イオンを、所望の帯電体に向けて供給する。 - 特許庁

An accelerated voltage is generated between an ion source and a sample P, and ion beam B released from the ion source are focused and irradiated on a given processing position P3 to process the surface of the sample P.例文帳に追加

イオン源と試料Ｐとの間に加速電圧を生じさせ、イオン源から放出されるイオンビームＢを集束し所定の加工位置Ｐ３に照射させて、試料Ｐの表面を加工する。 - 特許庁

An aperture of a focused ion beam device, which is irradiated by ions emitted from the ion source, is so constituted that a base of the aperture is made of tin and an indium lamina or a lamina of alloy consisting of indium and galium is disposed on an ion irradiating side of the aperture.例文帳に追加

放出イオンの照射を受けるアパーチャを、スズを基板としイオン照射を受ける側に、インジウム薄片またはインジウムとガリウムの合金からなる薄片を配設した構造とする。 - 特許庁

A die material being a composit material comprising a glassy carbon and a vapor grown carbon fiber is irradiated with a converged ion beam.例文帳に追加

ガラス状カーボンおよび気相成長炭素繊維の複合材である型材に集束イオンビームを照射する。 - 特許庁