硫酸化速度の英語

リン酸や硫酸のような無機酸に酸化剤を加えたエッチング液であっても、エッチング速度を任意に制御し得る銀薄膜用エッチング液を提供する。例文帳に追加

To provide an etching liquid for a silver thin film with which an etching rate can optionally be controlled even in the case of the one obtained by adding an oxidizer to inorganic acids such as phosphoric acid and sulfuric acid. - 特許庁

エッチング装置に硫酸と過酸化水素水とを混合した反応速度の遅いエッチング液を用いており、ファインピッチのプリント配線基板等を時間をかけてエッチングする。例文帳に追加

The etchant of low reaction rate where sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed, is used in the etching device so as to etch the printed circuit board etc., of a fine pitch over a long time. - 特許庁

黄銅鉱を含む硫化銅鉱から、低硫酸使用量で、浸出速度を高め高浸出率で銅を浸出する経済的に効率的な方法を提供する。例文帳に追加

To provide an economically efficient method for leaching copper from copper sulfide ore including brass ore with the low use amount of sulfuric acid, in an increased leaching speed and in high leaching ratio. - 特許庁

本発明では、（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）過硫酸塩、（Ｃ）砥粒、（Ｄ）複素環を有する化合物、（Ｅ）研磨速度向上剤、および（Ｆ）界面活性剤を含み、前記（Ａ）過酸化水素と、前記（Ｂ）過硫酸塩の質量比（Ａ）／（Ｂ）は、０．０１〜１０である化学機械研磨用水系分散体が提供される。例文帳に追加

The watery dispersing element for chemical/mechanical polishing including hydrogen peroxide A, persulfate B, abrasive grain C, a compound D having a heterocyclic ring, a polishing speed improver E, and a surface-active agent F, wherein mass ratio A/B of hydrogen peroxide A/persulfate B is 0.01 to 10 is provided. - 特許庁

亜硫酸塩を含むコバルトイオン供給体水溶液を、懸濁液中の水酸化ニッケル粉末１ｋｇに対してコバルト換算で０．４５ｇ／ｍｉｎ以下の添加速度で加えるとよい。例文帳に追加

It is desirable that the cobalt ion supplying solution that contains nitride be added at the addition rate of 0.45 g/min or less by cobalt conversion, to the nickel hydroxide powder of 1 kg in the suspension. - 特許庁

（ａ）ポリブチレンテレフタレート樹脂 （ｂ）ポリブチレンテレフタレート樹脂よりも結晶化速度の遅いポリエステル樹脂又は非晶性樹脂 （ｃ）硫酸バリウム全体を１００重量％として、粒径が０．３μｍ以上の粒子９７〜６０重量％、０．３μｍ未満の粒子３〜４０重量％を含有する硫酸バリウム例文帳に追加

The molded article is produced from this polyester resin composition. - 特許庁

硫化砒素含有物から抽出して固形分とした亜砒酸を、酸化して溶解させる際に、硫酸濃度を制御して反応速度の低下を防ぐと共に、触媒として必要な銅イオンを硫酸銅溶液に代えて系内で生成させ、効率的で低コストの亜砒酸の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently producing arsenious acid at a low cost by preventing the lowering of reaction rate by controlling sulfuric acid concentration when solid arsenious acid extracted from an arsenic sulfied- containing material is oxidized and dissolved, and by generating a copper ion necessary as a catalyst instead of adding a copper sulfate solution in a system. - 特許庁

シリカ、セリア等の無機砥粒と、カルボキシル基、ヒドロキシル基、硫酸エステル基、スルホン酸基等のアニオン基を有するポリメチルメタクリレート、ポリスチレン等からなる有機粒子とを含有し、酸化ケイ素膜の研磨速度が窒化ケイ素膜の研磨速度の５倍以上、特に１０倍以上である化学機械研磨用水系分散体を得る。例文帳に追加

This aqueous dispersion for polishing the chemical machinery comprises inorganic abrasive grains such as silica or ceria and organic particles composed of polymethyl methacrylate, polystyrene, or the like, having anionic groups such as carboxyl group, hydroxyl group, sulfuric ester group or sulfonic acid group and has a polishing rate of a silicon oxide film of ≥5 times, especially ≥10 times that of a silicon nitride film. - 特許庁