.vbpとは 意味・読み方・使い方

The bias circuit 22 of the power amplifier 1 is provided with a VBP dependent voltage source circuit 20 and a Nagata current mirror circuit 21.例文帳に追加

電力増幅器１のバイアス回路２２には、ＶＢＥ依存型電圧源回路２０とナガタ・カレントミラー回路２１とが備えられている。 - 特許庁

SRAM includes a memory cell 100, a voltage dropping circuit 15 generating pre-charge voltage VBP in accordance with reference voltage VREF generated by resistance-voltage-dividing power source voltage Vcc, and a pre-charge circuit 11 controlling supply of pre-charge voltage VBP for bit lines BL0.例文帳に追加

本発明によるＳＲＡＭは、メモリセル１００と、電源電圧Ｖｃｃを抵抗分圧することで生成された参照電圧ＶＲＥＦに応じてプリチャージ電圧ＶＢＰを生成する降圧回路１５と、ビット線ＢＬ０に対するプリチャージ電圧ＶＢＰの供給を制御するプリチャージ回路１１とを具備する。 - 特許庁

Since pre-charge voltage VBP can be lowered even when the second voltage VPP is lowered and the 'H' level memory write-in potential is reduced by generating bit line pre-charge voltage VBP by referring to the first voltage VDD and the second voltage VPP, the 'H' level read-out margin can be increased.例文帳に追加

第１の電圧ＶＤＤ及び第２の電圧ＶＰＰを参照することによってビット線プリチャージ電圧ＶＢＰを発生することにより、第２の電圧ＶＰＰが小さくなって”Ｈ”レベルメモリ書き込み電位が減少した際にもプリチャージ電圧ＶＢＰを低くすることができるため、”Ｈ”レベル読み出しのマージンを大きくすることができる。 - 特許庁

Finally, the drive signal shifts to a fourth signal 204 which rises at a third change rate (ΔVc/Trm = constant) from the lowest potential Vbp to the maximum potential Vps, and returns to the maximum potential Vps.例文帳に追加

最後に、最低電位Ｖpbから最大電位Ｖpsまで第３の変化速度（ΔＶc／Ｔrm＝一定）でする上昇する第４の信号２０４に移行して、再び最大電位Ｖpsに戻る。 - 特許庁

By this program, levels of the substrate bias voltages Vbp, Vbn are adjusted, and the variances of the threshold voltages of MOS transistor of CMOS-SRAM are controlled to be within a predetermined tolerance range.例文帳に追加

プログラムにより基板バイアス電圧Ｖｂｐ、Ｖｂｎのレベルが調整されて、ＣＭＯＳ・ＳＲＡＭのＭＯＳトランジスタのしきい値電圧のバラツキは、所定の誤差範囲に制御される。 - 特許庁

Further, voltage Vbp and voltage Vbn whose settings can be arbitrarily changed are respectively given to the substrate potential of the switching transistor Mpv and the substrate potential of the ground transistor Mnv by the control circuit.例文帳に追加

さらに、スイッチングトランジスタＭｐｖ、接地トランジスタＭｎｖの基板電位には、コントロール回路によって、それぞれ任意に変更設定可能な電圧Ｖｂｐ、Ｖｂｎが与えられている。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit, substrate bias voltages Vbp, Vbn are applied to substrates (well) of the MOS transistors of a SRAM memory cell by any one of active mode from among information-holding operation, writing operation and reading operation of SRAM.例文帳に追加

ＳＲＡＭの情報保持動作と書き込み動作と読み出し動作のいずれかのアクティブモードで基板バイアス電圧Ｖｂｐ、ＶｂｎがＳＲＡＭメモリセルのＭＯＳトランジスタの基板（ウェル）に印加される。 - 特許庁

An input signal Vin-P whose amplitude is VDD (power supply voltage)-VBp is given to the operating TR MP1 and an input signal Vin-N whose amplitude is VBb-GND (ground level) in the same as above is given to the operating TR MP2.例文帳に追加

動作トランジスタＭＰ１にはＶＤＤ（電源電圧）−ＶＢｐを振幅とする入力信号Ｖｉｎ＿Ｐを入力し、ＭＮ２にはこれと同位相のＶＢｎ−ＧＮＤ（接地電位）を振幅とする信号Ｖｉｎ＿Ｎを入力する。 - 特許庁