VBP-1とは 意味・読み方・使い方

The bias circuit 22 of the power amplifier 1 is provided with a VBP dependent voltage source circuit 20 and a Nagata current mirror circuit 21.例文帳に追加

電力増幅器１のバイアス回路２２には、ＶＢＥ依存型電圧源回路２０とナガタ・カレントミラー回路２１とが備えられている。 - 特許庁

To solve such a problem that when bit line pre-charge voltage VBP is lowered to improve a retention property of "1" data, since a tunnel leak current of a high dielectric constant insulation film is increased remarkably in a miniaturization mix DRAM process, inversely, a retention property of "0" data is deteriorated, and a retention time is rate-limited.例文帳に追加

“１”データのリテンション特性を改善するために、ビット線プリチャージ電圧ＶＢＰを下げたとき、微細化混載ＤＲＡＭプロセスでは高誘電率絶縁膜のトンネルリーク電流の増大が顕著であるため、逆に“０”データのリテンション特性が悪化し、リテンション時間を律速する。 - 特許庁

An ESD protection circuit 1 includes an input terminal 18 supplied with a high voltage VBP used at program time and normally with voltages VSS to VDD, a ground terminal 17, a thyristor 11 arranged between the input terminal 18 and ground terminal 17, and a trigger circuit 19 operative to enable the thyristor 11 to operate.例文帳に追加

ＥＳＤ保護回路１は、プログラム時に用いられる高電圧ＶＢＰと通常時における電圧ＶＳＳ〜ＶＤＤが印加される入力端子１８と、接地端子１７と、入力端子１８及び接地端子１７間に設けられたサイリスタ１１と、サイリスタ１１を動作させるトリガ回路１９を備える。 - 特許庁

TFT 40P, 40N constituting flop-flop F1-Fn+1 of a shift register 24a or the like are back-gate structured, and a back bias change-over circuit 25 makes the back-gate voltages VBP, VBN differ in value from each other at the time of the operational state and the stand-by state of the TFT 40P, 40N, respectively.例文帳に追加

シフトレジスタ２４ａのフリップフロップＦ１〜Ｆｎ＋１等を構成するＴＦＴ４０Ｐ，４０Ｎをバックゲート構造とし、バックバイアス切換え回路２５は、バックゲート電極４３Ｐ，４３Ｎに、前記ＴＦＴ４０Ｐ，４０Ｎの動作状態と待機状態とで、バックゲート電圧ＶＢＰ，ＶＢＮをそれぞれ異なる値とする。 - 特許庁