2C-Pとは 意味・読み方・使い方

Error position polynomial-numerical polynomial arithmetic circuits 2a, 2b, 2c receive the syndrome orderly from the syndrome arithmetic circuit 1 without interruption, and respectively calculate them in parallel by (n/p) clock where (n/p) satisfies a relation of 3×(n/P)≥L>2×(n/P).例文帳に追加

誤り位置多項式・数値多項式演算回路２ａ，２ｂ，２ｃはシンドローム演算回路１から順次、途切れることなくシンドロームを受け取って、それぞれ３×（ｎ／Ｐ）≧Ｌ＞２×（ｎ／Ｐ）クロックで並列に演算する。 - 特許庁

Furthermore, a p-type well 42d, and the like, are formed in an n^--type layer 42a, and the like, composed of the active layer 2c, and a semiconductor element is formed in the p-type well 42d.例文帳に追加

また、活性層２ｃにて構成されるｎ^-型層４２ａ等の中にｐ型ウェル４２ｄ等を形成し、このｐ型ウェル４２ｄ内に半導体素子を形成する。 - 特許庁

Ni-P alloy electrodeposition films 2C, 2A of amorphous phase are provided on both sides of a base material 1, and a surface of the Ni-P alloy electrodeposition film 2C on the side forming at least a cathode electrode is finely uneven.例文帳に追加

基材１の両面にアモルファス相のＮｉ−Ｐ合金電析膜２Ｃ，２Ａが設けられ、少なくともカソード電極となる側のＮｉ−Ｐ合金電析膜２Ｃの表面が微細凹凸面になっていることにより上記課題を解決した。 - 特許庁

By having n-type carriers included in the n-type layer 2b diffuse into the p-type layer 2a, a compensation region 2c is formed in the portion of the p-type layer 2a, which is present in the vicinity of the interface between the p-type layer 2a and the n-type layer 2b.例文帳に追加

ｎ型層２ｂ中のｎ型キャリアがｐ型層２ａ中に拡散することにより、ｐ型層２ａとｎ型層２ｂとの界面近傍のｐ型層２ａ中に補償領域２ｃが形成される。 - 特許庁

Diameters (external sizes) of the coil antennas 2a to 2c are larger than distances (h) between the RFID tags 3a to 3c arranged closely on the coil antennas 2a to 2c and the centers of the coil antennas 2a to 2c and less than 3/4 times as large as the inter-center distance P of the coil antennas 2a to 2c.例文帳に追加

コイルアンテナ２ａ〜２ｃの直径（外形寸法）は、ＲＦＩＤタグ３ａ〜３ｃがコイルアンテナ２ａ〜２ｃ上に近接配置されたときのＲＦＩＤタグ３ａ〜３ｃとコイルアンテナ２ａ〜２ｃの中心との間の距離ｈよりも大きく、コイルアンテナ２ａ〜２ｃの中心間距離Ｐの４分の３よりも小さい。 - 特許庁

A p-type channel region 2c is formed between the n^--layer of the drain region 2d and the n^--layer of the source region 2s.例文帳に追加

ドレイン領域２ｄのｎ^−層とソース領域２ｓのｎ^−層の間にｐ型のチャネル領域２ｃが形成されている。 - 特許庁

The compositions of the Ni-P alloy electrodeposition films 2C, 2A provided on both sides of the base material 1 are preferably same, and the P content of the Ni-P alloy electrodeposition films is preferably ≥10 mass% and ≤20 mass%.例文帳に追加

基材１の両面に設けられたＮｉ−Ｐ合金電析膜２Ｃ，２Ａの組成が同じであることが好ましく、そのＮｉ−Ｐ合金電析膜のＰ含有率が１０質量％以上２０質量％以下であることが好ましい。 - 特許庁