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N-terminal regionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 N末端領域、N末端部、N末端部分、アミノ末端領域
「N-terminal region」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 54件
The n+ region and the n-type semiconductor region can form a second terminal in the semiconductor device.例文帳に追加
ｎ＋領域およびｎ型半導体領域は、第二の端子を半導体装置に対して形成し得る。 - 特許庁
ANTIBODY ENZYME TO N-TERMINAL REGION OF CHEMOKINE RECEPTOR CCR5例文帳に追加
ケモカインレセプターＣＣＲ５のＮ末端領域に対する抗体酵素 - 特許庁
INHIBITORS FOR VIRAL INFECTION TARGETING INTEGRASE N-TERMINAL REGION例文帳に追加
インテグラーゼＮ−末端領域を標的としたウイルス感染阻害剤 - 特許庁
Further, an n^+ diffusion region N1 is formed on the surface of the n-well NW1 to connect the same to a well terminal Vb.例文帳に追加
更に、ＮウエルＮＷ１の表面にｎ^＋拡散領域Ｎ１を形成し、ウエル端子Ｖｂに接続する。 - 特許庁
The semiconductor device 10 has a center region 10A having an incorporated n-type MOSFET, and a terminal region 10B formed around the center region 10A.例文帳に追加
半導体装置１０は、n型MOSFETが作り込まれている中心領域１０Ａとその中心領域１０Ａの周囲に形成されている終端領域１０Ｂを備えている。 - 特許庁
Also, a withstand voltage holding region 12 configured of semiconductor materials whose breakdown voltage is higher than that of the N^- drift region 5 is formed so as to be put through an N^- drift region 5 in the terminal region 2.例文帳に追加
また，終端領域２内には，Ｎ^- ドリフト領域５を貫通し，Ｎ^- ドリフト領域５よりも絶縁破壊電圧が高い半導体材料からなる耐圧保持領域１２が形成されている。 - 特許庁
The n well 22 and the p well 23 of the transistor T0 are connected to the input terminal 1 and the n-type region 24 is connected to the output terminal 3.例文帳に追加
トランジスタＴ０のＮウェル２２およびＰウェル２３は入力端子１に接続され、Ｎ型領域２４は出力端子３に接続されている。 - 特許庁
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「N-terminal region」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 54件
Disclosed is an AhR chimeric protein includes an N-terminal region of an AhR derived from a rat containing bHLH domain and PAS domain, and a C-terminal region of an AhR derived from a mouse containing a transcription activating domain in order from its N-terminal end.例文帳に追加
bHLHドメインおよびＰＡＳドメインを含む、ラット由来のアリルハイドロカーボン受容体（AhR）のＮ末端領域、および転写活性化ドメインを含む、マウス由来のAhRのＣ末端領域をＮ末端から順に含むAhRキメラタンパク質。 - 特許庁
The terminal region of the die includes a half trench at the edge portion of the die and an N-type region, extending from the bottom of the half trench to the substrate.例文帳に追加
ダイの終端領域は、ダイのエッジ部にハーフトレンチと、ハーフトレンチの底部から基板まで延びるＮ型領域とを含む。 - 特許庁
The semiconductor device 100 is provided with an element region 1 having a super-junction structure and a terminal region 2 adjacent to the element region 1 on an N^+ silicon substrate 17 (drain region).例文帳に追加
半導体装置１００は，Ｎ^+ シリコン基板１７（ドレイン領域）上に，スーパージャンクション構造を有する素子領域１と，素子領域１に隣接する終端領域２とを有している。 - 特許庁
Khd1 can bond with the ASH1mRNA through the N-terminal code region of the ASH1mRNA.例文帳に追加
さらに、Ｋｈｄ１は、ＡＳＨ１ｍＲＮＡのＮ末端コード領域を介して、ＡＳＨ１ｍＲＮＡと結合する。 - 特許庁
The Khd1 bonds to the ASH1mRNA through the N-terminal coding region of the ASH1mRNA.例文帳に追加
さらに、Ｋｈｄ１は、ＡＳＨ１ｍＲＮＡのＮ末端コード領域を介して、ＡＳＨ１ｍＲＮＡと結合する。 - 特許庁
The location of a mobile terminal is recognized by a GPS or the like, map data corresponding to a display screen region are divided into N parts, and down-loaded N divided element regions S-1-N are individually received.例文帳に追加
ＧＰＳ等により存在位置が知られ、表示画面領域に対応する地図データがＮ分割されてダウンロードされてくるＮ分割要素領域Ｓ−１〜Ｎを個別に受信する。 - 特許庁
A p^+-type source region 126 connected to a VCC terminal and owned by a pMOSFET is formed in the main surface of an n-type impurity region 121.例文帳に追加
ｐＭＯＳＦＥＴが有する、ＶＣＣ端子に接続されたｐ^+型ソース領域１２６は、ｎ型不純物領域１２１の主面内に形成されている。 - 特許庁
A p^+-type source region 126 owned by a pMOSFET and connected to a VB terminal is formed in the main surface of the n-type impurity region 121.例文帳に追加
ｐＭＯＳＦＥＴが有する、ＶＢ端子に接続されたｐ^+型ソース領域１２６は、ｎ型不純物領域１２１の主面内に形成されている。 - 特許庁
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