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pMOSFETとは 意味・読み方・使い方
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Wiktionary英語版での「pMOSFET」の意味 |
pMOSFET
出典:『Wiktionary』 (2025/04/22 01:27 UTC 版)
名詞
pMOSFET (plural pMOSFETs)
- (electronics, semiconductors) A type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that utilizes an p-type channel, conducting when a voltage voltage below a threshold is applied to the gate relative to the source. It is commonly used in complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) technology alongside nMOSFETs.
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1990 March, Katsushi Asahina, Shuji Murakami, Katsuki Ichinose, Fuyumi Minami, Yasuhiro Funakoshi, “A 256-K 13-Nanosecond CMOS SRAM”, in Electronics & Communications in Japan, Part 2: Electronics, volume 73, number 3, pages 44-45:
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As shown in Fig. 2, the source-drain breakdown characteristics of PMOSFETS exhibit an increase in the drain current under the same drain voltage as the gate length increases.
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2025 April, A. Tahiat, B. Cretu, A. Veloso, E. Simoen, “Investigation of DC and low frequency noise parameters of junctionless GAA Si VNW pMOSFETs in the temperature range from 80 K to 340 K”, in Solid-State Electronics, volume 225, page 1:
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In this article, the performance of vertical nanowire Gate All Around (GAA) junction-less pMOSFETs on SOI having an asymmetric architecture was investigated experimentally based on an in-depth study of their electrical characteristics.
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関連する語
「pMOSFET」を含む例文一覧
該当件数 : 75件
A drain of PMOSFET 12 is connected to a drain of NMOSFET 14.例文帳に追加
一方、PMOSFET 12のドレインはNMOSFET 14のドレインに接続される。 - 特許庁
Individual sources PMOSFET 11 and PMOSFET 12 constituting a current mirror circuit are connected to a power supply Vdd, with the gates of the sources connected to each other.例文帳に追加
カレントミラー回路を構成するPMOSFET 11及びPMOSFET 12の各ソースは電源Vddに接続され、そのゲートは互いに接続される。 - 特許庁
A drain of PMOSFET 11 in diode connection is connected to a drain of NMOSFET 13.例文帳に追加
ダイオード接続されているPMOSFET 11のドレインはNMOSFET 13のドレインに接続される。 - 特許庁
An output signal Vo is led from the common connection interconnecting the drains of PMOSFET 12 and NMOSFET 14.例文帳に追加
またPMOSFET 12及びNMOSFET 14の各ドレインを結ぶ共通接続点から出力信号Voが導出される。 - 特許庁
As the result of this, the pMOSFET 106 starts pulling up of an output signal OUT, and pMOSFET 111 and 112 supplements pulling up of the output signal OUT by the pMOSFET 106.例文帳に追加
この結果、ｐＭＯＳＦＥＴ１０６は出力信号ＯＵＴをプルアップし始めると共に、ｐＭＯＳＦＥＴ１１１、１１２は、ｐＭＯＳＦＥＴ１０６による出力信号ＯＵＴのプルアップを補充して加速する。 - 特許庁
To provide a PMOSFET which inhibits deteriorations such as of NBTI characteristics.例文帳に追加
ＮＢＴＩ特性等の劣化を抑制するＰＭＯＳＦＥＴを実現する。 - 特許庁
The differential amplifier 2 is driven in a voltage follower mode together with a PMOSFET Q2P.例文帳に追加
差動アンプ２はＰＭＯＳＦＥＴＱ２Ｐを含めて電圧フォロアモードで動作する。 - 特許庁
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The positive fixed charge present in the gate insulating film 105 of the PMOSFET decreases the channel impurity concentration of the PMOSFET, resulting in an increased operation current.例文帳に追加
ＰＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０５中に存在する正の固定電荷によってＰＭＯＳＦＥＴのチャネル不純物濃度を減らすことができ、動作電流を増大することができる。 - 特許庁
A semiconductor device 1000 comprises an NMOSFET 100A and a PMOSFET 100B.例文帳に追加
半導体装置１０００は、ＮＭＯＳＦＥＴ１００Ａと、ＰＭＯＳＦＥＴ１００Ｂとを有する。 - 特許庁
This reduces a gate direct tunnel current Ig and can do with a low off- current Ioff(PM1) of the pMOSFET 16, the off-current Ioff(PM2) of the pMOSFET 17 is also reduced, and the standby current becomes still smaller.例文帳に追加
そのため、ゲートダイレクトトンネル電流Ｉｇが少なくなり、ｐＭＯＳＦＥＴ１６のオフ電流Ｉ_off(PM1)は少なくてすみ、ｐＭＯＳＦＥＴ１６のオフ電流Ｉ_off(PM2)も減り、スタンバイ電流もさらに小さくなる。 - 特許庁
A pMOSFET Qp has a gate electrode 12 on the substrate 1 with a gate insulating film 11 interposed.例文帳に追加
ｐＭＩＳＦＥＴＱｐは、基板１上にゲート絶縁膜１１を介してゲート電極１２を有している。 - 特許庁
The semiconductor device for evaluating a leakage current includes the first PMOSFET 101, the first wiring 102, a potential monitoring circuit 103, the first NMOSFET 104, the third PMOSFET 105, a signal wire 106, the second wiring 107, the resistance element, and the second PMOSFET 109.例文帳に追加
リーク電流を評価する半導体装置は、第１のＰＭＯＳＦＥＴ１０１と、第１の配線１０２と、電位モニタ回路１０３と、第１のＮＭＯＳＦＥＴ１０４と、第３のＰＭＯＳＦＥＴ１０５と、信号線１０６と、第２の配線１０７と、抵抗素子１０８と、第２のＰＭＯＳＦＥＴ１０９とを備えている。 - 特許庁
A load control apparatus 1 for controlling power to be supplied to a load by performing switching control upon a PMOSFET 6 comprises a slope generating means 4 or 5 for adding a slope to at least either a turn-on portion or a turn-off portion of the PMOSFET 6 in an input pulse for ON/OFF-driving the PMOSFET 6.例文帳に追加
ＰＭＯＳＦＥＴ６をスイッチング制御し負荷に供給される電力を制御する負荷制御装置１において、前記ＰＭＯＳＦＥＴ６をオン／オフ駆動する入力パルスの前記ＰＭＯＳＦＥＴ６のターンオン部分、又はターンオフ部分の少なくとも一方にスロープを付加するスロープ生成手段４、又は５を備えた。 - 特許庁
When an input signal N changes from a low level to a high level, nMOSFET 107=ON state, inversion output signal OUTx=low level, pMOSFET 106=ON state and pMOSFET 112=ON state are satisfied.例文帳に追加
入力信号ＩＮがＬレベルからＨレベルになると、ｎＭＯＳＦＥＴ１０７＝ＯＮ状態、反転出力信号ＯＵＴｘ＝Ｌレベル、ｐＭＯＳＦＥＴ１０６＝ＯＮ状態、ｐＭＯＳＦＥＴ１１２＝ＯＮ状態となる。 - 特許庁
This suppresses the DIBL effect, and when a node 33 is at H, the difference between an off-current Ioff(PM2) of the pMOSFET 17 and an off-current Ioff(PM1) of the pMOSFET 16 is reduced and the standby current of the memory cells is reduced.例文帳に追加
そのためＤＩＢＬ効果が抑制され、ノード３３をＨとする場合、ｐＭＯＳＦＥＴ１７のオフ電流Ｉ_off(PM2)はｐＭＯＳＦＥＴ１６のオフ電流Ｉ_off(PM1)の差が小さくなり、メモリセルのスタンバイ電流が小さくなる。 - 特許庁
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