OSF-1とは 意味・読み方・使い方

(1) A method for producing an epitaxial wafer comprises using a silicion single crystal wafer which is doped with nitrogen and contains oxygen in a concentration of ≤9×1017 atom/cm3 in an OSF ring area.例文帳に追加

(1) 窒素がドープされ、ＯＳＦリング領域の酸素濃度が９×10^17atoms/cm^3以下であるシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁

A face provided with a mask 6 for forming the ink supply orifice 8 in a substrate 1 has an area covered with the mask for anisotropic etching, the area of which consists of a part provided with OSF layers 11 and a part 15 not provided with the OSF layers, considering an amount of a side etching.例文帳に追加

基板１のインク供給口８を形成するためにマスク６が設けられる面について、異方性エッチング時にマスクで覆われる部分が、サイドエッチングの量を考慮して、ＯＳＦ層１１が設けられる部分と、設けられない部分１５とで構成されている。 - 特許庁

Etch residues 1 formed by carrying out wet etching to the silicon substrate containing OSF are removed from or moved on the silicon substrate by carrying out brush scrubber cleaning and applying a mechanical impact to it.例文帳に追加

ＯＳＦを含むシリコン基板に湿式エッチングを行って生成されるエッチング残り１を、ブラシスクラバ洗浄を行って機械的な衝撃を加えることにより、シリコン基板から除去しまたはシリコン基板上で移動させる。 - 特許庁

Where the applicant desires a normal accelerated examination through the ordinary procedure at the JPO or the USPTO, he is required to carry out a prior art search and describe the comparison between the prior art and the claimed invention, thereby explaining the patentability of the claimed invention to the OSF. Under the PPH, the applicant can omit to these requirements by submitting to the OSF the claims to which the OFF has granted a patent and the office actions that have been given by the OFF (see “Patent Prosecution Highway Pilot Program between the JPO and the USPTO”).発音を聞く 例文帳に追加

日本国特許庁及び米国特許商標庁で通常の早期審査を受けるためには、先行技術調査の実施、その結果及び先行技術と請求項に係る発明とを対比説明し、特許性があることの説明の提出が必要であるが、「特許審査ハイウェイ」においては、第1庁で特許された請求項や第1庁でのオフィス・アクション等を提出することにより、それらの要件を省略することができる。(「日米特許庁における特許審査ハイウェイ試行プログラムについて」参照) - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon substrate with a lifetime of 500 μsec or more that includes neither oxygen precipitates nor defects (RIE defect) detected by an RIE method such as COP or OSF at a depth of at least 1 μm from a surface serving as a device manufacture region, and to provide the silicon substrate manufactured by such method.例文帳に追加

デバイス作製領域となる表面から少なくとも１μｍの深さに、酸素析出物、ＣＯＰ、ＯＳＦ等のＲＩＥ法により検出される欠陥（ＲＩＥ欠陥）が存在せず、かつ、ライフタイムが５００μｓｅｃ以上のシリコン基板の製造方法及び当該方法により製造されたシリコン基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

This silicon single crystal ingot is characterized by pulling it out using Czochralski method from a molten silicon liquid 7 obtained by doping nitrogen N to a polysilicon, having 1×1013-1.2×1015 atoms/cm3 nitrogen concentration and setting ≤200 min passing time through 1,100-700°C temperature zone for solving the unevenness of the BMD density on the wafer surface caused by the OSF ring.例文帳に追加

ポリシリコンに窒素をドーピングしたシリコン融液からチョクラルスキー法を用いて引上げられ、その結晶中の窒素濃度は１×１０^１３〜１．２×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、結晶育成中に結晶が体験する１１００〜７００℃の温度領域の通過時間を２００分以下となるようにし、ＯＳＦリングに起因するＢＭＤ密度のウェーハ面内における不均一性を解消することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法。 - 特許庁