| 意味 | 例文 (513件) |
P-19とは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 P-19「ドゥナーイ」(ロシア語: П-19 "Дунай")は、ソ連で開発、運用されたUHFレーダーである。
遺伝子名称シソーラスでの「P-19」の意味 |
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p19
| fly | 遺伝子名 | p19 |
| 同義語（エイリアス） | caz; Pen19; SARFH; CG3606; cabeza; pen19; P19; BcDNA:GM09207; Sarcoma-associated RNA-binding fly homolog; RNA-binding protein cabeza; Sarfh: Sarcoma-associated RNA-binding fly homolog; anon-Pen19 | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q27294 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:32587 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0011571 |
| fly | 遺伝子名 | P19 |
| 同義語（エイリアス） | l(1)P-19; 33; section 33; P-19; l(1)P19; lethal (1) 20Ca; l(1)20Ca; l(1)D-19; 13E3; l(1)13E3; l13E3 | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:48279 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0001569 |
| human | 遺伝子名 | p19 |
| 同義語（エイリアス） | p19-INK4D; p19-INK4d; INK4D; Cyclin-dependent kinase 4 inhibitor D; CDKN2D | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P55273 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:1032 | |
| その他のDBのID | HGNC:1790 |
| human | 遺伝子名 | P19 |
| 同義語（エイリアス） | PSPS1; MGC12447; Islet of Langerhans regenerating protein; ICRF; Pancreatic stone protein; Regenerating protein I alpha; REG1A; PSPS; Pancreatic thread protein; Islet cells regeneration factor; REG Ialpha gene; Lithostathine 1 alpha precursor; REG | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P05451 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:5967 | |
| その他のDBのID | HGNC:9951 |
| human | 遺伝子名 | P19 |
| 同義語（エイリアス） | interleukin 23, alpha subunit p19; IL-23A; IL23P19; IL-23; MGC79388; IL23A; SGRF | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:51561 | |
| その他のDBのID | HGNC:15488 |
| mouse | 遺伝子名 | P19 |
| 同義語（エイリアス） | ||
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P38639 | |
| EntrezGeneのID | --- |
本文中に表示されているデータベースの説明
「P-19」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 513件
Metschnikowia koreensis LA1 (NITE P-19) has an ability to produce L-talitol from L-psicose.例文帳に追加
L-プシコースからL-タリトール生産能を有するメチニコビア・コレンシス（Metschnikowia koreensis）LA1（NITE P-19）。 - 特許庁
A pipe (P) with a mandrel (19) inserted therein is held by a bending die (17) and a holding die (18) to bend the pipe (P).例文帳に追加
マンドレル（19）が挿入されたパイプ（P）を曲げ型（17）と押さえ型（18）とで挟持し、パイプ（P）の曲げ加工を行う。 - 特許庁
After that, the p-Inx2Ga1-x2 As1-y2Py2 upper-part second optical waveguide layer 19 is removed, and a ridge stripe is formed.例文帳に追加
その後、p-In_x2Ga_1-x2As_1-y2P__y2上部第二光導波層19を除去して、リッジストライプを形成する。 - 特許庁
The first p-type contact layer 16a has an Mg concentration not higher than 3×10^19/cm^3.例文帳に追加
第１ｐ型コンタクト層１６ａは、Ｍｇ濃度が３×１０^19／ｃｍ^3 以下である。 - 特許庁
The second p-type contact layer 16b has an Mg concentration in a range between 4×10^19/cm^3 and 9×10^19/cm^3, and is 10 to 60 nm in thickness.例文帳に追加
第２ｐ型コンタクト層１６ｂは、Ｍｇ濃度が４×１０^19〜９×１０^19／ｃｍ^3 で、厚さは１０〜６０ｎｍである。 - 特許庁
A control means for driving a paper clamp 19 for clamping a leading end of the paper P on the paper table 7 for post-processing every time when the paper P is led in on the paper table is provided.例文帳に追加
用紙テーブル7上の用紙Pの先端部を後処理のためにクランプする用紙クランプ19を、用紙テーブル上に用紙Pが取込まれるごとに駆動する制御手段を設ける。 - 特許庁
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「P-19」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 513件
The p-type dopant concentration N_P1 of the first p-type embedded layer 15 is lower than the p-type dopant concentration N_P2 of the second p-type embedded layer 19.例文帳に追加
第１のｐ型埋込層１５のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１は第２のｐ型埋込層１９のｐ型ドーパントの濃度Ｎ_Ｐ２より低い。 - 特許庁
Thereafter, the current constricting layer 19 and p-type InxGa1-xP layer 18 are etched by using the SiO2 film 21 as a mask.例文帳に追加
SiO_2膜21を除去し、n-GaAsキャップ層20と溝の底面のp-In_x1Ga_1-x1As_1-y1P_y_1第二エッチング阻止層17を除去する。 - 特許庁
An n^+-type source region 18 and a p^+-type region 19 are formed on the p-type base layer 11.例文帳に追加
ｐ型ベース層１１上にはｎ^+型ソース領域１８とｐ^+型領域１９とが形成されている。 - 特許庁
Furthermore, the p-type dopant concentration of a p-type Al_ZGa_1-ZN layer 21 is prescribed, independently of the p-type dopant concentration N_P19 of a p-type AL_YGA_1-YN layer 19.例文帳に追加
また、ｐ型Ａｌ_ＺＧａ_１−ＺＮ層２１のｐ型ドーパント濃度がｐ型Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ層１９のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１９はと独立して規定される。 - 特許庁
On top of a p-type clad layer 6, a p-type contact layer 7 which is formed of p-type GaN having a carrier density of 5×10^19/cm^3 by Mg doping and has a thickness of about 120 nm is formed.例文帳に追加
ｐ型クラッド層６の上には、Ｍｇドープによるキャリア濃度５×１０^19／ｃｍ^3 のｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２０ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁
The p-type semiconductor layer 12 includes: a p-type AlGaN electron block layer 16; a p-type GaN guide layer 17; a p-type AlGaN clad layer 18; and a p-type AlInGaN contact layer 19.例文帳に追加
ｐ型半導体層１２は、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６、ｐ型ＧａＮガイド層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＡｌＩｎＧａＮコンタクト層１９を有している。 - 特許庁
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