P-32とは 意味・読み方・使い方

In a semiconductor device 30 comprising a plurality of input parts 20da, 20db, output parts 20sa, 20sb, gate parts 20ga, 20gb and ground parts 31 or 32 in a semiconductor substrate 32, a (p) layer 33 is formed in the semiconductor substrate 32 and this (p) layer 33 is connected to the ground parts 31 or 32.例文帳に追加

本発明は半導体基板３２に複数の入力部２０da、２０db、出力部２０sa、２０sb、ゲート部２０ga、２０gbおよびグランド部３１または３２を備えた半導体装置３０において、半導体基板３２にp層３３を形成し、このp層３３をグランド部３１または３２に接続したものである。 - 特許庁

A metallic "p" electrode 32 is formed on the reflective film 28.例文帳に追加

金属性のｐ電極３２が反射膜２８上に形成されている。 - 特許庁

A back electrode 32 is formed on a rear surface of the p-type silicon substrate 10.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０の裏面に裏面電極３２を形成する。 - 特許庁

Respective outlet passages 42 are disposed around an axis of the nozzle 32 and composed so that the jetting directions cross at one point P on the axis of the nozzle 32 in the recess 43.例文帳に追加

各出口流路（42）は、ノズル（32）の軸心周りに配列され、噴出方向が円弧凹部（43）内で且つノズル（32）の軸心上の一点（Ｐ点）で交差するように構成されている。 - 特許庁

The second protective element 28 is a p-n diode constituted on an n-type well and a p+-type diffused region 32 provided in the p-type well and lets positive charges escape to a p-side substrate via a leakage current from the p-n junction between the n-type well and p-type substrate.例文帳に追加

第２の保護素子は、ｎウエルと、ｎウエル内に設けられたｐ^+ 拡散領域３２とから構成されたｐｎダイオードであって、ｎウエルとｐ型基板との間のｐｎ接合間リーク電流を介して正の電荷をｐ側基板に逃がす。 - 特許庁

The gripper mechanisms are provided with holding parts 32 and 438 of the printing paper P respectively.例文帳に追加

前記各グリッパー機構には、印刷用紙Ｐの保持部３２，４３８を設ける。 - 特許庁

Accordingly, the reliability of a function for demounting the holding piece 32 from the pipe P is improved.例文帳に追加

したがって、保持片３２をパイプＰから外す機能の信頼性が高い。 - 特許庁

The p+ type electric circuit 36 is connected by a bridge 501 constituted of each p type electrode 32 and each metallic film.例文帳に追加

ｐ^+型の電路３６が各々ｐ型の電極３２と各々金属膜から成るブリッジ５０１により接続される。 - 特許庁