P-Vとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 仮釈放中に違反をして刑務所に出戻りした人。PV=Parole Violatorの略
「P-V」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 498件
R. S. V. P.（＝répondez s'il vous plaît）.発音を聞く 例文帳に追加
御返事待上候 - 斎藤和英大辞典
The isolated peptide has an amino acid sequence A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-K corresponding to the amino acid sequence of a V-domain of RAGE.例文帳に追加
アミノ酸配列A-Q-N-I-T-A-R-I-G-E-P-L-V-L-K-C-K-G-A-P-K-K-P-P-Q-R-L-E-W-Kを有する単離されたペプチドを調製する。 - 特許庁
A verifier calculates K=H1(W) and m= DKs(C) to obtain the plain text m and calculates V=gavbmod p and verifies whether H3(W VjWimod p gjeimod p m)=i is true or not.例文帳に追加
検証者はK=H_1(W), m=D_K^s(C)を計算して平文mをもとめ、V=g^ay^bmod p,を計算し、H_3(W‖V^jW^imod p‖g^je^imod p‖m)=iが成立するかを検証する。 - 特許庁
P is also suitable for group V element.例文帳に追加
Ｖ族元素にはＰもよい。 - 特許庁
The maximum voltage V(P) of the short pulse P (based on voltage V0) is higher than the maximum voltage V(TP) of the tailing pulse TP (based on voltage V0).例文帳に追加
短パルスＰの最大電圧V(P)（電圧V0を基準とする）は、テーリングパルスＴＰの最大電圧V(TP)（電圧V0を基準とする）より高くなっている。 - 特許庁
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マイクロソフト用語集での「P-V」の意味 |
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PV
対訳 PV
解説
The difference between the cost price and the actual production price. The production variance is determined when the production order is calculated.
遺伝子名称シソーラスでの「P-V」の意味 |
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PV
| mouse | 遺伝子名 | PV |
| 同義語（エイリアス） | parvalbumin; Pvalb; Pva; Parvalbumin alpha | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P32848 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:19293 | |
| その他のDBのID | MGI:97821 |
| mouse | 遺伝子名 | Pv |
| 同義語（エイリアス） | pivoter | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:103932 | |
| その他のDBのID | MGI:97820 |
本文中に表示されているデータベースの説明
Weblio例文辞書での「P-V」に類似した例文 |
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pv
uj
体育をやる.
the fob
pv=
＝56.
＝7.
VIJ [vij]
platinotype
the rate of utilization
＝6.
a platinotype
a platinotype
the rate of increase
gò [g
額面価格.
＝60.
＝600.
「P-V」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 498件
The point P' is placed on a lightness plane V equal to that of the point P.例文帳に追加
点Ｐ’は、点Ｐと等しい明度平面Ｖ上にある。 - 特許庁
A conveying speed of transfer paper P is represented by V.例文帳に追加
転写紙Ｐの搬送速度をＶとする。 - 特許庁
In step (2), a slide face temperature T is estimated from Vc, a slide face pressure P, a slide linear velocity V, a low resin flow temperature Tm and an ambient temperature Tr by Equation (i): T=(V/Vc)×(Tm-23)+Tr.例文帳に追加
(２)Vc、摺動面圧P、滑り線速度V、低樹脂流動温度Tm、雰囲気温度Trから、摺動面温度Tを式（ｉ）：T＝(V/Vc)×(Tm-23)+Trにより推算する。 - 特許庁
The tailing pulse TP has a wave form which tails after the short pulse P, and in which voltage V gradually drops over a longer time than the applying time Δt(P) of the short pulse P.例文帳に追加
テーリングパルスＴＰは、短パルスＰの尾を引くような、短パルスＰの印加時間Δt(P)よりも長時間に渡って電圧Vが漸次低下する波形を有している。 - 特許庁
As the V group atom substituting for N, P (phosphorus), As (arsenide), Sb (animony), and Bi (bismuth) are used.例文帳に追加
Nに置換するＶ族原子としては、P（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）を用いることができる。 - 特許庁
The number of teeth is set to 2n×P (n; the number n of phases of an external power source, P; the number P of magnetic poles of the V-shaped permanent magnets).例文帳に追加
ティース数は、２×外部電源の相数ｎ×Ｖ字永久磁石の磁極数Ｐに設定される。 - 特許庁
III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加
ｐｎ接合を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 - 特許庁
The oscillation (rocking) condition in the horizontal (H) direction and the oscillation (rocking) condition in the vertical (V) direction of the micro mirror 1 are revised according to P temp.例文帳に追加
P tempによって、微小ミラー１の水平（H）方向の振動（揺動）条件、垂直（V）方向の振動（揺動）条件が変更される。 - 特許庁
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