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PN junctionsとは 意味・読み方・使い方
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「PN junctions」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 34件
To provide a manufacturing method of a semiconductor device wherein its impurity regions have shallow pn-junctions (shallow junctions).例文帳に追加
不純物層が浅いｐｎ接合（シャロージャンクション）を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
And further, the respective detection circuits include PN junctions.例文帳に追加
また、それぞれの検出回路は、ＰＮ接合をさらに備える放射線検出装置とする。 - 特許庁
This semiconductor magnetic resistance element is constituted of pn junctions 10 formed so as to be diffused at plural parts on a semiconductor substrate 1, and a conductor magnetic resistance film 2 having a semi- magnetic converting action formed on the pn junctions 10.例文帳に追加
半導体基板１上の複数箇所に拡散により形成するｐｎ接合部１０と、半磁気変換作用を有しｐｎ接合部１０上に形成する導体磁気抵抗膜２とからなる。 - 特許庁
Each solar cell has at least two overlapped and stacked pn-junctions (2,3,6), one of which (6) is an even pn-junction.例文帳に追加
各太陽電池が、重なり合って積層された少なくとも２つのｐｎ−接合（２，３，６）を備え、ｐｎ−接合の１つ（６）が、均一なｐｎ−接合である。 - 特許庁
A plurality of pn junctions between the p^--region 5 and the n^+-region 7 are formed in one active region.例文帳に追加
Ｐ^-領域５とＮ^+領域７との間のＰＮ接合が、１つの活性領域内に複数形成される。 - 特許庁
A varistor consisting of pn junctions 3 and 5 is fabricated and a GaN based III-V nitride semiconductor is employed as the semiconductor material of p-type semiconductor layers 2 and 6 and an n-type semiconductor layer 4 constituting the pn junctions 3 and 5.例文帳に追加
ｐｎ接合３、５からなるバリスタを作製し、ｐｎ接合３、５を構成するｐ型半導体層２、６及びｎ型半導体層４を構成する半導体材料にＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いる。 - 特許庁
The floating grid transistor is electrically isolated from the control grid by PN junctions that are inversely polarized.例文帳に追加
フローティング・グリッド・トランジスタは、逆方向に分極されるＰＮ接合によってコントロールグリッドから電気的に絶縁される。 - 特許庁
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「PN junctions」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 34件
The pn junctions of the drift semiconductor regions 32 and 33 are located between the source semiconductor section 61 and the drain semiconductor section 2.例文帳に追加
ドリフト半導体領域３２，３３のｐｎ接合は、ソース半導体部６１とドレイン半導体部２との間に位置する。 - 特許庁
Consequently, the charges generated by the light made incident to the scribe will not reach the P-N junctions which constitute the pixels of the sensor.例文帳に追加
このため、スクライブに入射した光により発生する電荷が光センサの画素を構成するPN接合に至ることはない。 - 特許庁
Subsequently, pn junctions on Fig. 6(a)-6(c) are formed using this zinc oxide thin film, thus obtaining a light-emitting element and a light-receiving element at low raw material cost and production cost with high yield.例文帳に追加
次に、この酸化亜鉛薄膜を用いて、図６(a) から(c)のpn接合を形成することで原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い発光素子と受光素子が得られる。 - 特許庁
A distance between the rings 5 of the adjacent PN junctions 4 is set at about 70 μm, and a P+ type isolation 6 is provided in between the adjacent zones 2.例文帳に追加
隣接するＰＮ接合のガードリング間の距離は７０μｍ程度とし、隣接するＮ^+ 領域間にはＰ^+ 型のアイソレーションを設けた。 - 特許庁
The stretching parts 11 are stretched in length by the heat generated by the electrical heating parts 12 of semiconductor pn-junctions and vary the shape of the mirror 10.例文帳に追加
伸長部１１は半導体のｐｎ接合からなる電気的加熱部１２で発生した熱により長さが伸びてミラー１０の形状を変化させる。 - 特許庁
A p-type ESD surge recovery layer 20 is provided at a region deeper than a region where the drift layers 11, 12 are provided, and the layer 20 forms pn junctions with the layers 11, 12.例文帳に追加
Ｐ型のＥＳＤサージ回収層２０はドリフト層１１，１２よりも深い領域に設けられ両層１１，１２とＰＮ接合を成している。 - 特許庁
When Cu wires 36 and 37 connected to pn junctions are formed in a chip formation region of a semiconductor wafer 1, first and second Cu electrodes 38 and 39 connected to the pn junction are also formed in a TEG region.例文帳に追加
半導体ウエハ１のチップ形成領域に、ｐｎ接合に接続されたＣｕ配線３６、３７を形成する際、ＴＥＧ領域にもｐｎ接合に接続された第１Ｃｕ電極３８、および第２Ｃｕ電極３９を形成する。 - 特許庁
A backside of a P type silicon substrate 1 is used as a common anode, and a plurality of N+ type zones 2 for formation of PN junctions 4 are formed in parallel in the vicinity of a main surface of the substrate 1.例文帳に追加
Ｐ型シリコン基板の裏面を共通のアノードとして、シリコン基板の主面付近にＰＮ接合を形成するＮ^+ 型領域を複数並列して設けた。 - 特許庁
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