p-n junction solar cellとは 意味・読み方・使い方

The solar cell 10 includes a crystal Si layer 50 having p-n junction, and a semiconductor layer 60 formed on a first principal plane 50as of the crystal Si layer 50.例文帳に追加

、太陽電池１０は、ｐｎ接合を有する結晶Ｓｉ層５０と、結晶Ｓｉ層５０の第１主面５０ａｓ上に形成された半導体層６０とを備える。 - 特許庁

The method is used, thus diffusing a sufficient amount of dopant onto the semiconductor substrate, hence improving the p-n junction characteristics in the solar cell.例文帳に追加

かかる製造方法を用いることで、導体基板に十分量のドーパントを拡散させることが可能となり、太陽電池のｐ-ｎ接合特性を向上できる。 - 特許庁

To provide a backside junction type solar cell capable of forming a low-resistance electrode accurately on an n-type region and a p-type region, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ｎ型領域上及びｐ型領域上に精度良く低抵抗の電極を形成できる裏面接合型の太陽電池及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The solar cell has a pn junction defined by a p-type semiconductor layer 13 functioning as a light absorbing layer and an n-type semiconductor layer 14 formed thereon.例文帳に追加

光吸収層として機能するｐ形半導体層１３とｐ形半導体層１３に積層されたｎ形半導体層１４とによって構成されるｐｎ接合を含む。 - 特許庁

In a solar cell made of semiconductor Si having a p-n junction, Si layers 3 and 4 forming the p-n junction are formed in an insulation substrate 1 provided with a plurality of through holes 1a, and the front and rear sides of the substrate 1 are electrically connected with each other by means of Si parts buried in the through holes 1a.例文帳に追加

半導体Ｓｉのｐｎ接合を有する太陽電池において、ｐｎ接合を構成するＳｉ層３、４が、複数の貫通穴１ａを有する絶縁性基板１に形成され、その基板１の表裏が貫通穴１ａに埋め込まれたＳｉ部を介して電気的に接続された構成とする。 - 特許庁

This solar cell has a P-N junction on the light receiving face side of a semiconductor substrate 10 and a passivation film 18 on the rear surface thereof wherein a P type impurity diffusion layer 11 and a P electrode 12 connected therewith, and an N type impurity diffusion layer 13 and an N electrode 14 connected therewith are provided on the surface of the light receiving face.例文帳に追加

半導体基板１０の受光面側にＰＮ接合を有し、裏面上にパッシベーション膜１８を有する太陽電池であって、受光面の表面にＰ型不純物拡散層１１とＰ型不純物拡散層１１に接続されたＰ電極１２、Ｎ型不純物拡散層１３とＮ型不純物拡散層１３に接続されたＮ電極１４とを有している太陽電池。 - 特許庁

To provide a solar cell comprising a semiconductor body having an n+p junction and exhibiting mechanical stability and a good end of life(EOL) state without causing any trouble in the machining and handling.例文帳に追加

ｎ^＋Ｐ接合を有する半導体本体を備えたソーラーセルにおいて、機械的安定性が高く、機械加工ならびに取り扱いに支障がなく、良好な寿命の終端（EOL）状態を呈する厚さを備えたソーラーセルを提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device capable of improving electric power generation characteristics of a solar cell having a hetero junction cell composed of a p-type crystal Ge (substrate), an i-type amorphous silicon semiconductor layer, and an n-type amorphous silicon semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型結晶Ｇｅ（基板）／ｉ型非晶質シリコン半導体層／ｎ型非晶質シリコン半導体層からなるヘテロ接合セルを有する太陽電池の発電特性を向上させることのできる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁