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PMOS deviceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 PMOS素子
「PMOS device」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 113件
The method is provided for forming a compressive channel layer in a PMOS device and a PMOS device formed by the method.例文帳に追加
ＰＭＯＳ素子の変形されたチャネル層形成方法及びこの方法により形成されたＰＭＯＳ素子が開示される。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING COMPRESSIVE CHANNEL LAYER OF PMOS DEVICE USING GATE SPACER, AND PMOS DEVICE MANUFACTURED BY SAME例文帳に追加
ゲートスペーサを用いたＰＭＯＳ素子の変形されたチャネル層形成方法及びこの方法により形成されたＰＭＯＳ素子 - 特許庁
To provide a memory cell layout of a dual port semiconductor memory device including a PMOS scan transistor.例文帳に追加
ＰＭＯＳスキャントランジスタを含むデュアルポート半導体メモリ装置のメモリセルレイアウトを提供する。 - 特許庁
A dual port semiconductor memory device comprises two PMOS load transistors, two NMOS pull-down transistors, two NMOS pass transistors, and one PMOS scan transistor, wherein the scan transistor being the PMOS transistor, thereby improving a noise margin of the dual port semiconductor memory device.例文帳に追加
２つのＰＭＯＳ負荷トランジスタ、２つのＮＭＯＳプルダウントランジスタ、２つのＮＭＯＳパストランジスタ及び１つのＰＭＯＳスキャントランジスタより構成されるが、スキャントランジスタがＰＭＯＳトランジスタであるゆえに、ノイズマージンが向上されるデュアルポート半導体メモリ装置である。 - 特許庁
To form a compressive channel layer in a PMOS device by simple processes and at a low price.例文帳に追加
工程が単純で、且つ低コストの方法でＰＭＯＳ素子に変形されたチャネル層を形成すること。 - 特許庁
To reduce formation area of an nMOS transistor and a pMOS transistor that a semiconductor device includes.例文帳に追加
半導体装置が備えるｎＭＯＳトランジスタ及びｐＭＯＳトランジスタの形成面積を縮小する。 - 特許庁
A first transistor is an NMOS device, a second transistor is a PMOS device, and a CMOS device is constituted of the first and the second transistor.例文帳に追加
第１トランジスタがＮＭＯＳデバイスで第２トランジスタがＰＭＯＳデバイスであり、第１トランジスタと第２トランジスタとがＣＭＯＳデバイスを構成する。 - 特許庁
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「PMOS device」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 113件
To restore characteristic deterioration of a PMOS transistor for switch element by NBTI (Negative Bias Temperature Instability) phenomenon in a semiconductor device provided with a switch circuit having the PMOS transistor for switch element.例文帳に追加
スイッチ素子用ＰＭＯＳトランジスタをもつスイッチ回路を備えた半導体装置において、ＮＢＴＩ現象によるスイッチ素子用ＰＭＯＳトランジスタの特性劣化を回復させる。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device of which the GIDL current in many PMOS transistors in the semiconductor storage device is reducible.例文帳に追加
半導体記憶装置内の多数のＰＭＯＳトランジスタにおけるＧＩＤＬ電流を低減可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a producing method of semiconductor device for actualizing both removal of a stresser film in a pMOS domain and control of withdrawal of the boundary between pMOS domain and nMOS domain toward the nMOS side.例文帳に追加
ｐＭＯＳ領域のストレッサー膜の除去と、ｐＭＯＳ領域とｎＭＯＳ領域との境界部のｎＭＯＳ側への後退の抑制とを両立できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device allowing further miniaturization by clarifying the boundary between an NMOS transistor and a PMOS transistor, and allowing both threshold voltages of the NMOS transistor and the PMOS transistor to be set at a low value of a practical level.例文帳に追加
ＮＭＯＳとＰＭＯＳとの境界を明確化して更なる微細化を可能とし、ＮＭＯＳとＰＭＯＳとの閾値電圧を共に実用レベルの低い値に設定できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of reducing dispersion in the drive capability of NMOS and PMOS transistors.例文帳に追加
ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタの駆動能力のバラつきを減らすことができる半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a high integration semiconductor device in which breakdown strength of a high breakdown strength PMOS transistor is ensured.例文帳に追加
高耐圧ＰＭＯＳトランジスタの耐圧を確保した高集積化された半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device composed of an NMOS having a Si channel and a PMOS having an SiGe channel, wherein a tensile stress can be applied to the NMOS and dangling bonds can be reduced from the surface of the PMOS.例文帳に追加
Ｓｉチヤネルを有するＮＭＯＳとＳｉＧｅチャネルを有するＰＭＯＳで、ＮＭＯＳには引張り歪みを与える、ＰＭＯＳには、表面のダングリングボンドを減少させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁
Therefore, there is provided a semiconductor device equipped with PMOS capable of preventing leakage current and improving the rate of the device.例文帳に追加
これによって、漏洩電流を防止して、素子の速度を向上させることができるＰＭＯＳを具備する半導体素子を形成することができる。 - 特許庁
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PMOS素子
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