RF biasとは 意味・読み方・使い方

At this time, the RF transistor 1 carries out constant voltage operation by a set bias output from the bias circuit 3.例文帳に追加

この時、ＲＦトランジスタ１はバイアス回路部３から出力される設定バイアスにより定電圧動作をする。 - 特許庁

To provide a bias tee capable of appropriately measuring RF, DC and pulsation.例文帳に追加

ＲＦ、ＤＣ及びパルス化測定を好適に行うことができるバイアスティーを提供すること。 - 特許庁

The bias switching circuit 15 switches a bias of an RF amplifier 4 to a desired value in response to the switching control signal SWC1.例文帳に追加

バイアス切替回路１５は、切替制御信号ＳＷＣ１に応じて、ＲＦ増幅器４のバイアスを所望の値に切替える。 - 特許庁

A post-stage quadrupole 6 is operated under an ion guide mode by applying thereto an RF voltage smaller than the RF voltage applied to the pre-stage quadrupole 3, and such a DC bias voltage as accelerating ions is applied.例文帳に追加

後段四重極６には前段四重極３に印加されるRF電圧よりも小さなRF電圧を印加してイオンガイドモードで動作させるとともに、イオンを加速するような直流バイアス電圧を印加する。 - 特許庁

An RF bias is applied and a plasma 32 is generated inside the plasma chamber and a wafer is exposed to the plasma 32.例文帳に追加

ＲＦバイアスを印加し、プラズマチャンバ内にプラズマ３２を発生させてウェハをプラズマ３２に曝す。 - 特許庁

Then, a difference between the time of starting the film formation and the time of applying the RF bias is detected (S111).例文帳に追加

そして、成膜開始時刻とＲＦバイアスを印加した時刻のずれを検出する（Ｓ１１１）。 - 特許庁

In addition, the RF bias value when performing a plasma etching may be 1.2 W/cm^2 or larger.例文帳に追加

また、プラズマエッチングを行う場合のＲＦバイアス値は、１．２Ｗ／ｃｍ^２以上とするとよい。 - 特許庁

Then, silane gas is supplied into the chamber, and in addition RF bias is applied to the wafer (S108).例文帳に追加

次に、チャンバ内にシランガスを供給するとともに、ウェハにＲＦバイアスを印加する（Ｓ１０８）。 - 特許庁