S-IBとは 意味・読み方・使い方

Further the metal-based catalyst comprises at least one or more transition metal(s) contained in one or more of group VIIIA, group IB, and group IIB of the periodic table.例文帳に追加

更に、金属系触媒は、周期律表の第ＶＩＩＩＡ族、第ＩＢ族、第ＩＩＢ族の一つ以上に含まれる少なくとも１種の遷移金属を含む。 - 特許庁

A substrate S is positioned with inclination angles θ set to A, B, C to an ion beam IB in this order and etched for etching times corresponding to the angles A-C.例文帳に追加

イオンビームＩＢに対する基板Ｓの基板傾きθを、角度Ａ，角度Ｂ、角度Ｃの順に位置決めし、各角度Ａ〜Ｃに対応したエッチング時間で各々エッチングを行うようにした。 - 特許庁

The thin film can be manufactured by irradiating a surface of a substrate S with ion beams IB so as to be incident at an angle α which exceeds 10° and smaller than or equal to 40°, while depositing a material M having the wurtzite crystal structure on the surface of the substrate S.例文帳に追加

この薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料Ｍを基板Ｓの表面に堆積させつつ、基板Ｓの表面に対して10°を超え40°以下の角度αで入射するようにイオンビームＩＢを照射することにより製造することができる。 - 特許庁

Switches SW1, SW2, and SW3 are closed in an initialization period to supply a bias current Ib from a constant current source Ires1 to a drain D of an MOS transistor M1, and a voltage Vgs determined by the current is generated between a source S and a gate G.例文帳に追加

初期化期間にスイッチＳＷ1、2、6が閉路され、定電流源Ｉres1がＭＯＳトランジスタＭ1のドレインＤにバイアス電流Ｉbを流し、ソースＳとゲートＧの間に該電流によって決まる電圧Ｖgsを発生する。 - 特許庁

To provide a chalcopyrite film by a safe method by sufficiently combining a group Ib metal, a group IIIb metal, and a group VIb element only by heat treatment without using an atmosphere including a group VIb element (Se, S, Te).例文帳に追加

ＶＩｂ族元素（Ｓｅ、Ｓ、Ｔｅ）を含有する雰囲気を使用せずに、Ｉｂ族金属およびＩＩＩｂ属金属とＶＩｂ族元素とを加熱処理のみにより十分に化合させて、カルコパイライト膜を安全性の高い手段により得る。 - 特許庁

When recording is performed by a recording laser power Pp, a reproduced RF signal inputted from a signal amplification circuit is monitored, and a signal level Im of a mark area and a signal level Ib of a space area are acquired on the basis of a sampling and holding (S/H) signal.例文帳に追加

記録レーザパワーＰｐにて記録を行う際に、信号増幅回路から入力される再生ＲＦ信号をモニターし、サンプルホールド（Ｓ／Ｈ）信号をもとに、マーク領域の信号レベルＩｍとスペース領域の信号レベルＩｂを取得する。 - 特許庁

Elements belonging to a group 8 or a group Ib, or a laminated film or an alloy film of them are used for a constituent of the upper electrode of the thin-film electron source, and the quantity of an S content or the like adhering to the upper electrode is set not larger than 20 mol% of the total of the elements used for the upper electrode in terms of element.例文帳に追加

薄膜電子源の上部電極成分として８族またはＩｂ族に属する元素、あるいはそれらの積層膜、合金膜を用い、上部電極に付着しているＳ分等の量を、元素換算で、上部電極として用いられている元素総量の２０mol％以下とした。 - 特許庁

The depletion of the beam is detected by measuring a beam current flowing through each head and comparing the present beam current IB with a beam depletion threshold JB to a beam control signal S at that time, the voltages of a common power source is maintained to maintain a filament current of normal heads and that of an abnormal head which causes the drop in the beam current is interrupted.例文帳に追加

各々のヘッドに流れるビーム電流を計測し、ビーム切れを現在のビーム電流Ｉ_Ｂとそのときのビーム制御信号Ｓに対するビーム切れ閾値Ｊ_Ｂとを比較することによって検出し、共通の電源電圧を維持し正常ヘッドのフィラメント電流は維持し、ビーム電流低下を起こした異常ヘッドのフィラメント電流を遮断する。 - 特許庁