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S-gateとは 意味・読み方・使い方
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「S-gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 290件
The gate is then converted to a tapered gate and is given paths going through the bottom gate input(s) that are not timing critical.例文帳に追加
ゲートは次にテーパ付きゲートに変換され、タイミング・クリティカルでない底部ゲート入力を通る経路を与えられる。 - 特許庁
The 'Toriigata (shrine gate shape)' bonfire on Mt. Mandara-yama, Saga Toriimoto, Ukyo Wardi s ignited at 20:20.発音を聞く 例文帳に追加
「鳥居形」（右京区嵯峨鳥居本・曼陀羅山、20時20分点火） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
An S/D extension 36 is formed after narrowing a line width of the gate hardmask more than that of the gate electrode.例文帳に追加
ゲートハードマスクの線幅をゲート電極よりも狭くした後、Ｓ／Ｄエクステンション３６を形成する。 - 特許庁
Data are stored in the capacitor connected to the first gate electrode F-GATE, the second gate electrode S-GATE of the pair of gate electrodes is controlled and the data stored in the capacitor are read.例文帳に追加
第１のゲート電極Ｆ−ＧＡＴＥに接続した容量にデータを蓄え、一対のゲート電極のうち第２のゲート電極Ｓ−ＧＡＴＥを制御して容量に蓄えたデータを読み出す。 - 特許庁
Then, the molding material injected into the gate 21 and the cavity 23 is solidified to form a molded article S and a gate G.例文帳に追加
そしてゲート２１、キャビティ２３に射出された成形材料が固化して成形品Ｓ、ゲートＧが形成される。 - 特許庁
A control signal /S(0,0) is applied to a gate of the PMOS TR T13 and an inverse of the control signal /S(0,0) is applied to a gate of the NMOS TR T14.例文帳に追加
ＰＭＯＳトランジスタＴ１３のゲートには制御信号／Ｓ（０，０）が、ＮＭＯＳトランジスタＴ１４のゲートには制御信号／Ｓ（０，０）の反転信号が接続される。 - 特許庁
To simultaneously attain to the lowering of S/D diffused layer resis tance and the decrease in gate parasitic capacity.例文帳に追加
Ｓ／Ｄ拡散層抵抗の低減とゲート寄生容量の低減を動じ実現する。 - 特許庁
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「S-gate」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 290件
A capacitor C is laid over between the gate assembly point g leading to each gate and the source assembly point s leading to each source.例文帳に追加
各ゲートへ連なるゲート集合点ｇと各ソースへ連なるソース集合点ｓとの間にコンデンサＣを渡して設ける。 - 特許庁
The gate 46 is formed in the gate opening and raised source/drain(S/D) blocks 40 and 42 are formed in the source/drain openings.例文帳に追加
ゲート開口部にゲート４６を形成し、ソース／ドレーン開口部内に隆起ソース／ドレーン（Ｓ／Ｄ）ブロック４０，４２を形成する。 - 特許庁
A gate electrodes GM are formed on a silicon substrate 1 via a gate insulating film 4, and a source region S and a drain region D are provided between the gate electrodes GM.例文帳に追加
シリコン基板１にゲート絶縁膜４を介してゲート電極ＧＭが形成され、ゲート電極ＧＭの間にソース領域Ｓ、ドレイン領域Ｄが設けられる。 - 特許庁
When the sheet S is pushed by the blade 14, the flexible gate members 20, 22 are displaced, and the nip 16 receives the sheet S.例文帳に追加
シートＳ等がブレード１４により押されると可撓性ゲート部材２０，２２が変位しニップ１６がシートＳ等を受け取れる状態となる。 - 特許庁
Since there is no bottom plate 3 on the under side of each pellet S coming to each hole 20 position, each pellet S is put into the state of being placed on a gate plate 14.例文帳に追加
孔２０の位置に来たペレットＳの下側には底板３がないから、ペレットＳはゲート板１４の上に乗った状態になる。 - 特許庁
Source/drain regions S/D are provided on the gate electrode 15 on the substrate 11.例文帳に追加
ゲート電極１５の両側の基板１１にはソース／ドレイン領域Ｓ／Ｄが形成されている。 - 特許庁
The constant current switching element 26 and the discharge switching element 30 are connected to a gate of the switching element S*# via a gate resistor 28.例文帳に追加
定電流用スイッチング素子２６および放電用スイッチング素子３０は、ゲート抵抗体２８を介してスイッチング素子Ｓ＊＃のゲートに接続されている。 - 特許庁
A gate and an emitter of a power switching element S#* is shorted with an off-holding switching element 40, with a gate voltage drop as a trigger.例文帳に追加
パワースイッチング素子Ｓ＃＊のゲートおよびエミッタ間は、ゲート電圧が低下することをトリガとして、オフ保持用スイッチング素子４０によって短絡される。 - 特許庁
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