SWCNTとは 意味・読み方・使い方

On the other hand, when the diameter of the SWCNT is made short, the defects are increased and the relax time is made made short, as shown in Fig. (C).例文帳に追加

一方、（Ｃ）に示すようにＳＷＣＮＴの径を小さくすると欠陥が多くなり、緩和時間が短くなる。 - 特許庁

The conduction wire 1 has high electric conductivity in the extension direction of the single-wall carbon nanotubes (SWCNT) 3.例文帳に追加

この電気伝導線１は、単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）３の延在方向に高い電気伝導度を有している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a SWCNT (single-walled carbon nanotube) achievable a higher growing rate, higher growing efficiency or vertical alignment synthesis or the like.例文帳に追加

より高い成長率、成長効率または垂直合成等を達成できるＳＷＣＮＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the blended film of a copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene and fullerene, after the copolymer of the vinylidene fluoride and trifluoroethylene, and an MWCNT or an SWCNT are dissolved in a solvent, a film (cast film) obtained by solution casting is stretched and then subjected to heat treatment crystallization.例文帳に追加

フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンの共重合体とＭＷCNTまたはSWCNTを溶媒に溶解後、これを溶液キャストして得られた膜(キャスト膜)を延伸し、その後、熱処理結晶化することを特徴とするフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンの共重合体とフラーレンとのブレンド膜の製造方法とする。 - 特許庁

The predetermined value is preferably determined in accordance with a range of electric resistance value exhibited by the SWCNT aggregate at the time of thermal measurement.例文帳に追加

その所定の値は、好ましくは熱測定の際にＳＷＣＮＴ集合体が示す電気抵抗の値の範囲に応じて決定される。 - 特許庁

An absorption peak of an SWCNT depends on its diameter: the longer the diameter is, at the lower energy side (the longer wavelength side) the absorption peak is positioned.例文帳に追加

ＳＷＣＮＴの吸収ピークは直径に依存し、大きな直径になるほど吸収ピークは低エネルギー側（長波長側）に位置する。 - 特許庁

This electric conduction wire 1 has a structure wherein a plurality of single-wall carbon nanotubes (SWCNT) 3 are bundled with spaces 5 formed.例文帳に追加

電気伝導線１は、複数本の単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）３を、隙間５を設けた状態でバンドルした構造を有している。 - 特許庁

Since the semiconductor layer 9 is formed by the SWCNT, the thin-film transistor has higher mobility than in the case that an organic semiconductor layer is used.例文帳に追加

半導体層９をＳＷＣＮＴにより形成したため、有機半導体層を用いた場合よりも、高い移動度を有する薄膜トランジスタが得られる。 - 特許庁