SF4とは 意味・読み方・使い方

This method for synthesizing the aminosulfurtrifluoride includes a process where a secondary amine is reacted with SF4 to form the aminosulfurtrifluoride product and a liquid amine-HF adduct.例文帳に追加

この方法は、第二アミンをＳＦ_4と反応させて三フッ化アミノイオウ生成物と液体のアミン‐ＨＦ付加物を生成させることを含む。 - 特許庁

Namely, a positive voltage is applied to the sub-fields SF1, SF3, SF5, and a negative voltage is applied to the sub-fields SF2, SF4, SF6.例文帳に追加

即ち、サブフィールドＳＦ１，ＳＦ３，ＳＦ５では、正極性の電圧が印加され、サブフィールドＳＦ２，ＳＦ４，ＳＦ６では、負極性の電圧が印加される。 - 特許庁

A first sub-frame period SF1 to a fourth sub-frame SF4 are regarded as block frames BF, which are repeated during the operation of the liquid crystal display device.例文帳に追加

第１のサブフレーム期間ＳＦ１から第４のサブフレーム期間ＳＦ４までをブロックフレームＢＦとして、液晶表示装置の動作中、ブロックフレームＢＦが繰り返される。 - 特許庁

One frame is composed of 12 pieces of sub-fields SF1-SF12, and only SF2, SF4, SF6, SF8, SF10, and SF12 have a preliminary discharge period.例文帳に追加

１フレームを１２個のサブフィールドＳＦ１乃至ＳＦ１２で構成し、予備放電期間をサブフィールドＳＦ２、ＳＦ４、ＳＦ６、ＳＦ８、ＳＦ１０及びＳＦ１２のみに設ける。 - 特許庁

In each of sub-fields SF1-SF4, corresponding bits among the gradation data of each pixel is read, and ON/OFF of the pixel is set within a write period Tr.例文帳に追加

各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ４においては、各画素の階調データのうち対応するビットが読み出され、書込み期間Ｔｒ内に画素のオン／オフが設定される。 - 特許庁

Although an ON or OFF voltage is applied in sub-fields sf1 to sf4 according to the grayscale, the OFF voltage is applied irrelevant of the grayscale in the sub-field sf0.例文帳に追加

このうち、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ４については、階調レベルに応じてオンまたはオフ電圧を印加するが、サブフィールドｓｆ０については、階調レベルにかかわらずオフ電圧を印加する。 - 特許庁

When the count value is not 4, the game control part stores the received direction commands in a register in the inside (SF4) and the direction is controlled according to the direction commands stored in the register (SF5).例文帳に追加

カウント値が４となっていなければ、遊技制御部は、受信した演出コマンドを内部のレジスタに格納し（ＳＦ４）、このレジスタに格納した演出コマンドに従って演出を制御する（ＳＦ５）。 - 特許庁

This is formed by directly fluorinating the surface of the carbon particle using at least one kind selected from a group of fluorine gas, a mixed gas of C4F8/CH4, HF gas, SF4 and a complex of IF5/Et3N-3HF.例文帳に追加

これは、フッ素ガス，Ｃ4Ｆ8/ＣＨ4の混合ガス，ＨＦガス，ＳＦ4，ＩＦ5/Ｅt3Ｎ−３ＨＦ錯体よりなる群から選ばれた少なくとも１種を用いて，カーボン粒子の表面を直接フッ素化したものである。 - 特許庁