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Schottky emissionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ショットキー放出
「Schottky emission」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
ZrO/W ENHANCED SCHOTTKY EMISSION TYPE ELECTRON GUN例文帳に追加
ＺｒＯ／Ｗエンハンスドショットキー放出型電子銃 - 特許庁
The new 200 kV TEM features a high-brightness Schottky field emission electron gun that produces a probe size of less than 0.15 nm.発音を聞く 例文帳に追加
その新型200kV-TEMは、0.15nmよりも小さなプローブサイズを生み出す高輝度のショットキー電界放出型電子銃を特徴とする。 - 科学技術論文動詞集
Either one of three kinds of electron sources such as a LaB6 electron source, a thermal electron emission type electron source of a tungsten hair pin and the like, a Schottky emission type electron source, and a tunnel field emission type electron source is used as an electron source 21.例文帳に追加
電子源２１としては、ＬａＢ_６ 電子源やタングステンヘアピン等の熱電子放射型の電子源、ショットキー放射型の電子源、トンネル電界放射型の電子源の３種類のうちの何れかの電子源を用いる。 - 特許庁
To provide a detection element capable of restraining a thermal electron emission characteristic (influence of Fermi-level pinning), in a Schottky junction part for detecting high frequencies such as terahertz waves.例文帳に追加
テラヘルツ波等の高周波を検出するためのショットキー接合部において、熱電子放出電流特性（フェルミレベルピニングの影響）を抑制することができる検出素子を提供する。 - 特許庁
Preferably, when the Schottky diode is formed, a current value under application of -5 V reverse voltage is not more than 50 times as the theoretical current value calculated as a sum of the calculated values by a thermal-field emission model and by a thermoelectronic emission model.例文帳に追加
好ましくは、前記ショットキーダイオードを形成した場合、逆方向電圧−５Ｖ印加時の電流値が、熱電界放出モデルおよび熱電子放出モデルの計算値の和として計算した理論電流値の５０倍以下となることを特徴とする自立基板。 - 特許庁
To achieve a stable operation by suppressing pressure elevation in the vicinity of the tip of an emitter caused by an extraction electrode without being limited by an acceleration voltage regarding a ZrO/W enhanced Schottky emission type electron gun.例文帳に追加
ＺｒＯ／Ｗエンハンスドショットキー放出型電子銃に関し、加速電圧に制限を受けずに、引出電極に起因するエミッターの先端近傍での圧力上昇を抑制して安定な動作を実現する。 - 特許庁
The side emission semiconductor element comprises an AlGaN layer of which Mg is doped down to 5×10^19 cm^-3 or less in concentration, a stripe ridge formed at the upper part of the lamination structure including the AlGaN layer and an active layer, and a Schottky barrier formed on the upper surface of the lamination structure other than the ridge where the AlGaN layer is exposed.例文帳に追加
本発明に係る側面発光半導体素子は、Ｍｇの濃度が、５×１０^19ｃｍ^-3以下にドープされたＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層及び活性層を含む積層構造の上部に形成されるストライプ状のリッジと、ＡｌＧａＮ層が露出するリッジ以外の積層構造の上面に形成されるショットキーバリアとを備える。 - 特許庁
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「Schottky emission」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
This flat display device has a plurality of electric field emission type cathodes K, a high voltage electrode which fixedly supplies an intense electric field forms a Schottky barrier which makes possible electrons being emitted from the cathodes K to the surfaces of the cathodes K, a two dimensional MOS gate array which controls electron emission from the cathodes K, and a phosphor layer which glows by impacts of electrons selectively emitted from the cathodes K.例文帳に追加
複数の電界放出型カソードＫと、その複数のカソードＫの表面に、その複数のカソードＫからの電子放射を可能にし得るショットキーバリアを形成する強電界を固定的に与える高圧電極と、複数のカソードＫに接続され、その複数のカソードＫからの電子の放射の有無を制御する２次元ＭＯＳゲートアレイと、複数のカソードＫから選択的に放出された電子の衝撃によって、光輝せしめられる蛍光体層Ｐとを有する。 - 特許庁
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