Schottky defectsとは 意味・読み方・使い方

Insulating layers 8a and 8b are formed only at parts with defects 6a and 6b present in the lightly doped layer 4, and a Schottky electrode 12 is formed thereon.例文帳に追加

不純物低濃度層４に欠陥６ａ，６ｂが存在する部位にのみ、絶縁層８ａ，８ｂを形成し、その上にショットキー電極１２を形成する。 - 特許庁

To manufacture a Schottky diode 15, wherein a leakage current is hard to flow from a semiconductor substrate 5 in which a heavily doped layer 2 and a lightly doped layer 4 are laminated and defects 6a and 6b are present in the lightly doped layer 4.例文帳に追加

不純物高濃度層２と不純物低濃度層４が積層されており、不純物低濃度層４内に欠陥６ａ，６ｂ等が形成されている半導体基板５から、リーク電流が流れにくいショットキーダイオード１５を製造する。 - 特許庁

The surface impurity concentration of the lower implanted layer 12a can be easily set at a certain value suitable for forming a Schottky electrode or an ohmic electrode, and the upper implanted layer 12b containing many defects is removed, so that the surface region of the substrate 11 can be improved in crystallinity.例文帳に追加

この下部注入層１２ａの表面の濃度を、ショットキー電極やオーミック電極を形成するのに適した不純物濃度に制御することが容易であり、かつ、欠陥の多い上部注入層１２ｂを除去することで、基板の表面領域の結晶性も向上する。 - 特許庁