Si TFTとは 意味・読み方・使い方

The inorganic n-channel TFT has an amorphous Si active layer, and the organic p-channel TFT has an α-hexathienylene (α-6T) active layer.例文帳に追加

ｎ−チャネル無機ＴＦＴはアモルファスＳｉ活性層を有し、ｐ−チャネル有機ＴＦＴはα−ヘキサチエニレン（α−６Ｔ）活性層を有する。 - 特許庁

To provide a method for forming a poly-Si film of poly-Si TFT in which unevenness of TFT performance due to growth direction of crystal grains is prevented.例文帳に追加

結晶粒の成長方向に起因するＴＦＴ性能の不均一が招来されることを防止することができるｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the bottom gate type TFT small in leak current and using poly-Si can be provided.例文帳に追加

したがって、リーク電流の小さな、ｐｏｌｙ−Ｓｉを用いたボトムゲート型ＴＦＴを実現できる。 - 特許庁

After that, a TFT and capacity are created on the Poly-Si film with superior uniformity and the Poly-Si film with large surface area, respectively.例文帳に追加

その後、均一性の良いＰｏｌｙ−Ｓｉ膜上にＴＦＴを、表面積の大きなＰｏｌｙ−Ｓｉ膜上に容量をそれぞれ作製する。 - 特許庁

To prevent an increase in leakage current of a bottom gate TFT, having a poly-Si layer and an a-Si layer laminated, due to an influence of fixed charges.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層が積層されたボトムゲートのＴＦＴにおいて、固定電荷の影響によるリーク電流の増大を防止する。 - 特許庁

An a-Si film 12 becoming the active layer of a TFT is crystallized into polycrystal Si by enhancing a crystal growth length while adding Ni into the film 12.例文帳に追加

ＴＦＴの活性層となるａ‐Ｓi膜１２にＮiを添加することによって結晶生成長を促進して多結晶Ｓiに結晶化する。 - 特許庁

Contamination and the surface oxidation of the a-Si film 13a are prevented, and the characteristics of the TFT using a p-Si film obtained by crystalizing the film are stabilized.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ膜13aの汚染や表面酸化が防止され、これを結晶化して得られたｐ−Ｓｉ膜を用いたＴＦＴの特性が安定化する。 - 特許庁

An array includes cells, each cell 16 has a bottom gate amorphous silicon thin film transistor (a-Si TFT) 20.例文帳に追加

アレイはセルを含み、各セル１６が底部ゲートアモルファスシリコン薄膜トランジスタ（ａ−ＳｉＴＦＴ）２０を有する。 - 特許庁