a-Siとは 意味・読み方・使い方

Incident luminous energy of the a-Si TFT 1 is reduced by a filter 3 to delay the progress of light deterioration in the a-Si TFT 1.例文帳に追加

a-Si TFT１の入射光量をフィルタ３で減らし、a-Si TFT１の光劣化の進行を遅らせる。 - 特許庁

He was a priest of Kai Yuan Si Temple.発音を聞く 例文帳に追加

開元寺の僧。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The method for manufacturing the Si-SiC material manufactured by impregnating the material with molten Si comprises manufacturing the Si-SiC material by heat treating a molding consisting of a powder mixture composed of SiC, Si and C at a temperature above the melting point of the Si to make a calcined body and impregnating the calcined body with the molten Si at a temperature above the melting point of the Si.例文帳に追加

溶融Siを含浸して製造するSi-SiC材料において、SiC、Si、Cの混合粉よりなる成形体をSiの融点以上の温度で熱処理して仮焼体を作製し、該仮焼体にSiの融点以上の温度で溶融Siを含浸させてSi-SiC材料を作製することを特徴とするSi-SiC材料の製造方法である。 - 特許庁

The phosphate-based zeolite catalyst meets conditions of: a particle size<1 μm; and the particle size (μm)×[Si/(Si+Al+P)]×1,000≤80, wherein [Si/(Si+Al+P)] is a molar ratio.例文帳に追加

粒径＜1μm；及び 粒径(μm)×[Si/(Si＋Al＋P)]×1000≦80；（式中、[Si/(Si＋Al＋P)]はモル比である）の条件を満たすリン酸塩系ゼオライト触媒により上記課題を解決することができる。 - 特許庁

To correct an amplitude defect in a Mo/Si multilayer film or Mo_2C/Si multilayer film in an EUVL mask.例文帳に追加

EUVLマスクのMo/Si多層膜またはMo_2C/Si多層膜中の振幅欠陥を修正する。 - 特許庁

Semantic information network components include a semantic information switch (SI-SW), a semantic information router (SI-R), a semantic information gateway (SI-GW), an event place, and a session.例文帳に追加

意味情報ネットワークのネットワーク構成要素には、意味情報スイッチ(SI-SW)、意味情報ルータ(SI-R)、意味情報ゲートウエイ(SI-GW)、イベントプレース、セッションなどがある。 - 特許庁

To correct phase defect in a Mo/Si multilayer film or Mo_2C/Si multilayer film of the blanks of an EUVL mask.例文帳に追加

EUVLマスクのブランクスのMo/Si多層膜またはMo_2C/Si多層膜中の位相欠陥を修正する。 - 特許庁

The Si oxide film 6/Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G and the anti-reflection film F are separated by a gap between the poly-Si transfer electrode 7 and the other poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内のSi酸化膜6/Si窒化膜5及び反射防止膜Fは、ポリSi転送電極7と他のポリSi転送電極7との間のギャップ部分で切り離している。 - 特許庁