TR Areaとは 意味・読み方・使い方

When a colored state of the test area TR is read as a gray value, a similarity between template information TP representing the colored state of the test area TR stored in a pattern storage means 23 and the test area TR read by a reading means 21 is calculated.例文帳に追加

テスト領域ＴＲの呈色状態が濃淡値として読み取られた際、パターン記憶手段２３に記憶したテスト領域ＴＲが呈色した状態を表したテンプレート情報ＴＰと読取手段２１により読み取られたテスト領域ＴＲとの類似度が算出される。 - 特許庁

As the method for optimization, from an approximate related equation on the area of an optimized fat suppressing pulse to the effective TR obtd. by an experiment, the optimum pulse area in accordance with the effective TR is calculated.例文帳に追加

最適化の方法としては、実験によって得られた実効ＴＲに対する最適な脂肪抑制パルスの面積を近似した関係式から、実効ＴＲ応じた最適のパルス面積を算出する。 - 特許庁

The signal TR is a sum of a correction value TR(f0) at a tracking frequency f0 obtained at tracking adjustment and a predicted correction amount C predicted by a delivered area and by a reception frequency band, and a memory 31 stores the signal TR.例文帳に追加

前記ＴＲはトラッキング調整時に得られるトラッキング周波数ｆ０での補正値ＴＲ（ｆ０）と、仕向け地別、受信周波数帯別に予測された予測補正量Ｃとの和であり、メモリ３１に格納される。 - 特許庁

In the driving thin film TR 21, a low density dopant area 27 is formed only on the drain area 25 side (single side LDD structure).例文帳に追加

ドライビング薄膜トランジスタ２１では、ドレイン領域２５側にのみ低濃度ドーパント領域２７が形成されている（片側ＬＤＤ構造）。 - 特許庁

To reduce an area of a switching transistor(TR) occupied in a modulation circuit by using the switching TR with a small rated current so as to realize a large current load for an antenna coil.例文帳に追加

定格電流の小さいスイッチングトランジスタで、アンテナコイルに対して大きな電流負荷を実現し、該スイッチングトランジスタの変調回路に占める面積を小さくする。 - 特許庁

A word line is connected to the gate electrode of the cell Tr of the corresponding cell, and a bit line is connected to the 1st impurity diffusion area of the corresponding cell Tr.例文帳に追加

ワードラインが、対応するセルのセルＴｒのゲート電極に接続され、ビットラインが、対応するセルＴｒの第１の不純物拡散領域に接続される。 - 特許庁

In the case of allowing each pixel to execute image pickup operation, a signal ϕVPS to be applied to the source of a MOS transistor(TR) T1 is set up as 1st voltage, a MOS TR T3 is turned off and the MOS TR T1 is driven in a subthreshold area.例文帳に追加

各画素が撮像動作を行う際、ＭＯＳトランジスタＴ１のソースに与える信号φＶPSを第１電圧にするとともにＭＯＳトランジスタＴ３をＯＦＦにして、ＭＯＳトランジスタＴ１をサブスレッショルド領域で動作させる。 - 特許庁

Furthermore, since the TR T4 is a component of the current mirror circuit, the TR T4 has immunity against a characteristic fluctuation due to a temperature change and can be formed in the semiconductor chip without much increasing its area.例文帳に追加

また、カレントミラー回路であるので、温度変化による特性の変動に対する耐性があり、また、それほど面積を増大させることなく半導体チップ内に形成することができる。 - 特許庁