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TMRsとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 膜貫通領域、テトラメチルローダミン
ライフサイエンス辞書での「TMRs」の意味 |
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TMRs
「TMRs」を含む例文一覧
該当件数 : 10件
A plurality of tunnel magnetoresistance elements TMRs integrated and disposed in a matrix shape.例文帳に追加
行列状に集積配置された複数のトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲが設けられる。 - 特許庁
The source lines SL is provided corresponding to each row of the two tunnel magnetoresistance elements TMRs.例文帳に追加
ソース線ＳＬは、２つのトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの行ずつに対応して設けられる。 - 特許庁
Also, bit lines BLs are provided corresponding to the columns of the tunnel magnetoresistance elements TMRs along a Y direction.例文帳に追加
また、Ｙ方向に沿ってトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの列に対応してビット線ＢＬが設けられる。 - 特許庁
In this memory, tunnel magneto resistance elements TMRs constituting an MTJ (magnetic tunneling junction) memory cell are connected among sub-bit lines SBLs and straps SLs.例文帳に追加
ＭＴＪメモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、サブビット線ＳＢＬとストラップＳＬとの間に接続される。 - 特許庁
Word lines WLs and source lines SLs are provided corresponding to the rows of the tunnel magnetoresistance elements TMRs along an X direction.例文帳に追加
Ｘ方向に沿って、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲの行に対応してワード線ＷＬとソース線ＳＬが設けられる。 - 特許庁
A test mode decode & latch circuit 101 decodes an input signal based on a latch signal TMRS to generate a TEST1 signal.例文帳に追加
テストモードデコード＆ラッチ回路１０１は、ラッチ信号ＴＭＲＳに基づいて、入力信号をデコードし、ＴＥＳＴ１信号を発生する。 - 特許庁
The strap SLs are shared by a plurality of tunnel magneto resistance elements TMRs which are adjacent in row directions in the same sub-array SA.例文帳に追加
ストラップＳＬは、同一サブアレイＳＡ内の行方向に隣接する複数のトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲによって共有される。 - 特許庁
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「TMRs」を含む例文一覧
該当件数 : 10件
Since the memory can carry out the reading of data without providing access transistors ATRs corresponding to respective tunnel magneto resistance elements TMRs, the array area can be miniaturized.例文帳に追加
各トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲに対応してアクセストランジスタＡＴＲを設けることなくデータ読出を実行できるので、アレイ面積を小型化できる。 - 特許庁
A latch circuit 105 for latching the TEST1 signal outputted from the test mode decode & latch circuit 101 based on the latch signal TMRS is inserted into the low resistance interconnect portion.例文帳に追加
低抵抗配線部分には、ラッチ信号ＴＭＲＳに基づいて、テストモードデコード＆ラッチ回路１０１が出力するＴＥＳＴ１信号をラッチするラッチ回路１０５が挿入される。 - 特許庁
A test mode signal TMRS is set to a H level at the time of burn-in test, word lines WL0-WL3 can be activated in accordance with row address signals RA0-RA3 respectively by compound gates 62-68 and compound gates 82-88.例文帳に追加
バーンイン試験時にはテストモード信号ＴＭＲＳはＨレベルに設定され、複合ゲート６２〜６８および複合ゲート８２〜８８によって、ロウアドレス信号ＲＡ０〜ＲＡ３にそれぞれ応じてワード線ＷＬ０〜ＷＬ３を活性化させることができる。 - 特許庁
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