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W ionとは 意味・読み方・使い方
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Wiktionary英語版での「W ion」の意味 |
Wion
語源
English surname of Norman origin, from the local form of the Proto-Germanic personal name *Wido, from which Guy.
統計情報
- According to the 2010 United States Census, Wion is the 39052nd most common surname in the United States, belonging to 564 individuals. Wion is most common among White (88.83%) individuals.
Further reading
- Hanks, Patrick, editor (2003), “Wion”, in Dictionary of American Family Names, volume 3, New York City: Oxford University Press, →ISBN.
「W ion」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 108件
(A group) Fe ion, Ni ion, Cu ion, Co ion, Cr ion, phosphoric acid ion (B group) Mo ion, Ti ion, W ion, Al ion, Mg ion, Sr ion, molybdic acid ion, titanic acid ion, tungstic acid ion.例文帳に追加
（Ａ群）Feイオン、Niイオン、Cuイオン、Coイオン、Crイオン、リン酸イオン （Ｂ群）Moイオン、Tiイオン、Ｗイオン、Alイオン、Mgイオン、Srイオン、モリブデン酸イオン、チタン酸イオン、タングステン酸イオン - 特許庁
The ion cleaning chamber 2 cleans a substrate W by electrolytic ion water sent from the electrolytic cell 4.例文帳に追加
イオン洗浄チャンバー２は、電解槽４から送られる電解イオン水によって基板Ｗを洗浄する。 - 特許庁
The medicine comprises 0.0005-1% (W/V) of iron ion (calculated as amount of iron) and 0.001-5% (W/V) of L-proline and has a formulation ratio of the iron ion (calculated as amount of iron) to L-proline of 1:0.5-1:20 (W/W).例文帳に追加
本薬剤は、鉄イン（鉄量として換算）を０．０００５〜１％（Ｗ／Ｖ）及びＬ−プロリンを０．００１〜５％（Ｗ／Ｖ）を含有し、鉄イオン（鉄量として換算）とＬ−プロリンの配合比が１：０．５〜１：２０（Ｗ／Ｗ）である。 - 特許庁
The hair growth/hair-fostering cosmetic contains an isopolyacid or heteropolyacid containing tungsten ion (W^6+) and/or molybdenum ion (Mo^6+).例文帳に追加
タングステンイオン（Ｗ^６+）及び/又はモリブテンイオン（Ｍｏ^６+）を含有するイソポリ酸又はヘテロポリ酸を含む、養毛・育毛料。 - 特許庁
A wafer W subjected to ion implantation processing is carried in the UV processing chamber 7, first.例文帳に追加
イオン注入処理後のウエハＷは、まず、ＵＶ処理室７に搬入される。 - 特許庁
A camera 4 photographs the processing point P of the processing object W on which ion beams I are irradiated.例文帳に追加
カメラ４は、イオンビームＩが照射される被加工物Ｗの加工点Ｐを撮像する。 - 特許庁
Ions generated from an RF type ion generating source 11 of an ion implantation device 10 is applied to a wafer W in an ion implantation chamber 15 through an ion acceleration part 12, an energy filter 13 and a scanning part 14, so that particles are secondarily generated from the wafer W.例文帳に追加
イオン注入装置１０のＲＦ型イオン発生源１１から発生されたイオンが、イオン加速部１２、エネルギフィルタ１３、走査部１４を介して、イオン注入室１５のウエハＷ上に照射されと、ウエハＷから二次的に粒子が発生される。 - 特許庁
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「W ion」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 108件
The ion implanter has a plasma source 32 which generates plasma in a vacuum vessel 21 and implants ion in the object W.例文帳に追加
イオン注入装置は真空容器２１内に放電によりプラズマを生成し、基体Ｗにイオンを注入するプラズマ源３２を備える。 - 特許庁
While wetting ion-exchange material 34b with a liquid and making the ion-exchange material 34a in contact with the resist application surface of the substrate W, the ion-exchange material 34a and the substrate W are relatively moved for removing the resist.例文帳に追加
イオン交換材料３４ｂを液体で湿潤させ、該イオン交換材料３４ａを基板Ｗのレジスト塗布面に接触させながら、イオン交換材料３４ａと基板Ｗとを相対移動させることでレジストを除去する。 - 特許庁
The method includes depositing metals electrolytically at a bath temperature of 40-80°C by using an electrolyte of a composition in which the total of Ni ion or Co ion and W ion or Mo ion is in a range of 0.1 to 0.3 mol/L, and in which a content ratio of Ni ion or Co ion against all metal ions is in a range of 20-40%.例文帳に追加
ＮｉイオンまたはＣｏイオンとＷイオンまたはＭｏイオンの総和が０．１〜０．３モル／Ｌの範囲で、全金属イオンに対するＮｉイオンまたはＣｏイオンの含有比率が２０〜４０％の範囲にある組成の電解浴を用いて、４０〜８０℃の浴温で電解析出させる。 - 特許庁
In the ion implantation apparatus 100 implanting ions into a wafer W, the ion implantation apparatus is provided with a slit (a current retaining part) 120a for retaining current fitted at a wafer holding part 130 holding the wafer W, and a current detection part 133 for detecting current of the slit 120a.例文帳に追加
ウエハWにイオンを注入するイオン注入装置１００において、ウエハWを保持するウエハ保持部１３０に設けられた電流を保持するスリット（電流保持部）１２０ａと、スリット１２０ａの電流を検出する電流検出部１３３とを設けたイオン注入装置による。 - 特許庁
Furthermore, the ion gun 2 has an ion deflection part 23 which deflects ion beams I out of the ion beam I extracted from the plasma source 21 to the extraction electrode 22 and light emitted together with the ion beams I from the plasma source 21, in the direction of the processed object W.例文帳に追加
更にイオン銃２は、プラズマ源２１から引き出し電極２２に引き出されたイオンビームＩ、及びプラズマ源２１からイオンビームＩと共に放射された光のうち、イオンビームＩを被加工物Ｗの方向に偏向するイオン偏向部２３を有する。 - 特許庁
Positive ions are discharged from the ion generator 31 and emitted to the substrate W.例文帳に追加
ここで、イオン発生器３１から正イオンが放出され、基板Ｗに正イオンが照射される。 - 特許庁
By this constitution, the charge up of the substrate W formed in an ion implanting process can be suppressed.例文帳に追加
この構成により、イオン注入過程で生じる基板Ｗのチャージアップを抑制できる。 - 特許庁
Then, the film forming on the lower surface of the substrate W by the first ion plating apparatus 51 is started.例文帳に追加
その後、第１イオンプレーティング装置５１による基板Ｗ下面への成膜が開始する。 - 特許庁
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