X-junctionとは 意味・読み方・使い方

A first signal path X (X-) piercing a Josephson junction JJ in series is connected to a superconducting closed loop being constitution elements of an AC magnetic fluxes quantum interference device including an inductor Lo and a Josephson junction JJ in series, such relation is made that the inductor Lo and the Josephson junction JJ are connected in parallel and they are connected to the first signal line in series.例文帳に追加

インダクタLoとジョセフソン接合JJを直列に含み、交流磁束量子干渉デバイスの構成要素となる超伝導閉ループに対し、ジョセフソン接合JJを直列に貫く第一の信号線路Ｘ（Ｘ−）を接続し、インダクタLoとジョセフソン接合JJとが互いに並列になって第一の信号線路Ｘ（Ｘ−）に直列に入った関係となるようにする。 - 特許庁

A magnetoresistance tunnel junction element is formed, which represented by a chemical equation L2(A1-wRw)2An-1MnnO2n+4+x, comprises a laminar perovskite type manganese oxide 14 comprising (L-O)2 layer in a crystal structure.例文帳に追加

化学式Ｌ_2(Ａ_1-wＲ_w)_2Ａ_n-1Ｍｎ_nＯ_2n+4+xにより表され、結晶構造内に(Ｌ−Ｏ)_2層を有する層状ペロブスカイト型マンガン酸化物１４を含む磁気抵抗トンネル接合素子を形成した。 - 特許庁

The surface of a light emitting diode chip having at least a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) layer and a light emitting layer containing a pn junction inside on a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) substrate is roughed by chemical etching with a mixed solution containing iodine acid, hydrofluoric acid, and sulfuric acid.例文帳に追加

ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）基板上に、少なくともＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）層および内部にｐｎ接合を有する発光層が形成された発光ダイオードチップの表面を、ヨウ素酸、フッ化水素酸および硫酸を含む混合液を用いて化学エッチングすることにより粗面化する。 - 特許庁

The power terminal 21 of the semiconductor module 2 has a junction surface 211 which parallels the direction X of stacking between the plurality of semiconductor modules 2 and the plurality of cooling tubes 3, and also it is joined with the bus bar 4, at the junction surface 211.例文帳に追加

半導体モジュール２のパワー端子２１は、複数の半導体モジュール２と複数の冷却管３との積層方向Ｘに沿った接合面２１１を有すると共に、接合面２１１において、バスバー４と接合されている。 - 特許庁

To provide a top plate for an X-ray fluoroscopic radiography table having a structure without a gap or a step difference in junction parts between a metal frame in both end parts of the top plate and a central plate.例文帳に追加

天板両端部の金属枠と中央の板との接合部に隙間や段差を作らない構造のＸ線透視撮影台用天板を提供する。 - 特許庁

To provide a nondestructive inspection method for easily and reliably detecting inconvenient defects at a junction, without using any X-rays or gumma-rays poorly affecting human bodies.例文帳に追加

人体に悪影響を与え得るＸ線やガンマ線を使用せず、接合部における不都合な欠陥を容易かつ確実に検出できる非破壊検査方法を提供する。 - 特許庁

A package substrate 30 mounted with a semiconductor chip seals the semiconductor chip inside therein and has first junction electrodes 32 arranged on the backside 30a and second junction electrodes 33 arranged on a pair of side faces 30b opposite to each other in the X direction.例文帳に追加

半導体チップを搭載するパッケージ基板３０は、半導体チップを内部に封止するとともに、裏面３０ａに第１接合電極３２が配置され、Ｘ方向に対向する一対の側面３０ｂに第２接合電極３３がそれぞれ配置されている。 - 特許庁

Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加

また、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ｇａ_XＩｎ_1-XＰ（０≦Ｘ≦１）でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Ｘを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁