XO-typeとは 意味・読み方・使い方

The light emitting element 100 has an emission layer part 9 comprising an active layer 5 composed of an Mg_xZn_1-xO type oxide semiconductor, a p-type clad layer 6 similarly composed of an Mg_xZn_1-xO type oxide semiconductor, and an n-type clad layer 3.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部９が、Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ型酸化物半導体にて構成される活性層５、及び、同じくＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ型酸化物半導体にて構成されるｐ型クラッド層６、ｎ型クラッド層３にてなる。 - 特許庁

A p-type Mg_xZn_1-xO-based thin film 1 is formed on a substrate 2 formed of a ZnO-based semiconductor.例文帳に追加

ｐ型Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ系薄膜１は、ＺｎＯ系半導体からなる基板２上に形成されている。 - 特許庁

While the p-type Mg_xZn_1-xO layer is growing and/or after its growing has completed, the Mg_xZn_1-xO layer which is under growing state and/or is completed in growing is heat-treated in an atmosphere containing oxygen.例文帳に追加

そして、該ｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ層の成長途中及び／又は成長完了後に、当該成長途中及び／又は成長完了後のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ層を酸素含有雰囲気中にて熱処理する。 - 特許庁

At the same time, a first current mirror circuit 10 amplifies the current flowing to the N-type transistor 1 predetermined times, enhances current driving capability for an inverted output node XO and quickly changes the inverted output node XO into an L level.例文帳に追加

これに伴い、第１のカレントミラー回路１０は、前記Ｎ型トランジスタ１に流れる電流を所定倍して増幅し、反転出力ノードＸＯに対する電流駆動能力を高め、反転出力ノードＸＯを素早くＬレベルに変化させる。 - 特許庁

The light emitting element 1 has an emission layer part where a p-type clad layer 2, an active layer 33 and an n-type clad layer 34 are formed sequentially in this order and the p-type clad layer 2 comprises a p-type MgxZn1-xO layer (0<x≤1).例文帳に追加

発光素子１は、ｐ型クラッド層２、活性層３３及びｎ型クラッド層３４がこの順序にて積層された発光層部を有し、かつｐ型クラッド層２がｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０＜ｘ≦１）層からなる。 - 特許庁

X as the proportion of Mg to Zn within the p-type Mg_xZn_1-xO-based thin film 1 is designed to be 0≤X<1, preferably 0≤X≤0.5.例文帳に追加

ｐ型Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ系薄膜１内のＺｎに対するＭｇの比率であるＸは、０≦Ｘ＜１、好ましくは、０≦Ｘ≦０．５となるように構成されている。 - 特許庁

An organic metal gas to be a metal component source, an oxygen component source gas and a p-type dopant gas are supplied into a reaction container, thereby growing a p-type Mg_xZn_1-xO layer by a metal organic vapor phase deposition.例文帳に追加

反応容器内に、金属成分源となる有機金属ガス、酸素成分源ガス及びｐ型ドーパントガスとを供給することにより、有機金属気相成長法によりｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ層を成長させる。 - 特許庁