MOVPEとは 意味・読み方・使い方

METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR MOVPE AND COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER USING THE SAME例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ用化合物半導体基板及びこれを用いた化合物半導体ウェハの製造方法 - 特許庁

To provide a compound semiconductor wafer for MOVPE hard to cause slippage in a wafer plane, even if rapid temperature change is applied, and to provide its manufacturing method, and a manufacturing method of a compound semiconductor epitaxial wafer for MOVPE.例文帳に追加

急激な温度変化が与えられても、ウェハ面内にスリップが発生し難いＭＯＶＰＥ用化合物半導体ウェハ、その製造方法及びＭＯＶＰＥ用化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

In S301, a silicon substrate 201 is carbonized using a carbon source whose decomposition temperature is within to the operation substrate temperature range of a metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) device, to form a silicon carbide layer 202, in the MOVPE device.例文帳に追加

Ｓ３０１で、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）装置において、このＭＯＶＰＥ装置の動作基板温度範囲に分解温度が属する炭素源を用いてシリコン基板２０１を炭化し、炭化珪素層２０２を形成する。 - 特許庁

A semiconductor wafer is provided with at least a channel layer 35, formed on a substrate 30 by an MOVPE method and planar doped layers 37 and 39 formed isolated in at least two layers on the layer 35 via a planar doped isolation layer 38 by the MOVPE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法により、基板３０上に形成されたチャネル層３５と、前記チャネル層上にプレーナドープ分離層３８を介して少なくとも２層に分離形成されたプレーナドープ層３７、３９とを少なくとも備える。 - 特許庁

To provide an MOVPE device with which epitaxial growth is enabled while reducing the dispersion of HBT performance between wafers.例文帳に追加

ＨＢＴ性能のウエハ間ばらつきが小さいエピタキシャル成長が可能なＭＯＶＰＥ装置の提供を目的とする。 - 特許庁

A sapphire substrate 11 having C face as a main face is introduced into a metal organic vapor phase epitaxial growth(MOVPE) furnace in the process shown in Fig. 1 (a).例文帳に追加

図１（ａ）に示す工程で、Ｃ面を主面とするサファイア基板１１をＭＯＶＰＥ炉内に導入する。 - 特許庁

In a semiconductor device, an N-InP buffer layer 2 0.5 to 2 μm in thickness is grown on an N-InP substrate 1 through a MOVPE method.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に，ｎ−ＩｎＰバッファ層２（厚さ０．５〜２μｍ）をＭＯＶＰＥ法によって成長させる。 - 特許庁

When the multilayer quantum well active layer 15 is grown by MOVPE method, triethyl gallium is employed as a gallium source.例文帳に追加

また、ＭＯＶＰＥ法を用いて多重量子井戸活性層１５を成長する際には、ガリウム源としてトリエチルガリウムを用いる。 - 特許庁