As. Mos.とは 意味・読み方・使い方

The potential of a source line ssl of a driving MOS transistor in an SRAM memory cell MC is controlled so as to reduce the leakage current of MOS transistors in a memory cell.例文帳に追加

SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。 - 特許庁

CONTROL OF MOS TRANSISTOR AS RECTIFIER ELEMENT例文帳に追加

整流素子としてのＭＯＳトランジスタの制御 - 特許庁

N channel MOS TRs are newly added to the conventional level shift circuit so as to always bring the gate potential for the N channel MOS TRs in cross connection a Vtn or over when it is turned on, independently of the capability of the MOS TRs so as to permit state transition even when P channel MOS TRs with an extremely high capacity are not employed.例文帳に追加

レベルシフト回路にNチャネル型MOSトランジスタを新たに追加することにより、たすきがけになるNチャネル型MOSトランジスタがONになる際のゲート電位をMOSトランジスタの能力に関係なく、必ずVtn以上にすることにより、Pチャネル型MOSトランジスタを極端に大きくしなくても、状態を遷移することができる。 - 特許庁

A power MOS FET Q1, as the high side of a composite power MOS-FET PM which constitutes a DC-DC converter, is composed of a lateral MOS-FET, and a power MOS-FET Q2 as the low side of the composite power MOS-FET PM is composed of a vertical MOS-FET.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータを構成する複合パワーＭＯＳ・ＦＥＴ ＰＭのハイ側のパワーＭＯＳ・ＦＥＴＱ１を横型のＭＯＳ・ＦＥＴで構成し、ロウ側のパワーＭＯＳ・ＦＥＴＱ２を縦型のＭＯＳ・ＦＥＴで構成した。 - 特許庁

The first MOS capacitor 2 is a depletion type MOS capacitor and the second MOS capacitor 105 is an enhancement type MOS capacitor having the same conductivity type as that of the first MOS capacitor 2.例文帳に追加

第１のＭＯＳ容量２はデプリーション型のＭＯＳ容量であり、第２のＭＯＳ容量１０５はエンハンスメント型であって、第１のＭＯＳ容量２と同一導電型のＭＯＳ容量である。 - 特許庁

The MOS transistor M2 is operated as the load of the MOS transistor M1 and an output voltage is generated at the drain of the MOS transistor M1.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ２はＭＯＳトランジスタＭ１の負荷として動作し、ＭＯＳトランジスタＭ１のドレインに出力電圧が生成される。 - 特許庁

Such +Vh is used as a substrate bias of the MOS transistor.例文帳に追加

この＋ＶｈをＭＯＳトランジスタの基板バイアスとして用いる。 - 特許庁