Al-Nとは 意味・読み方・使い方

A slab having a composition containing ≤0.02% Al and 0.0050 to 0.0250% N, and in which N/Al is controlled to ≥0.3 is subjected to hot rolling so as to satisfy FDT: ≥800°C and is thereafter coiled at CT: ≤750°C.例文帳に追加

Al：0.02％以下、Ｎ：0.0050〜0.0250％を含み、かつＮ／Alを0.3 以上としたスラブをFDT ：800 ℃以上とする熱延後、CT：750 ℃以下で巻き取る。 - 特許庁

The Al-N film has an opaque black color.例文帳に追加

Ａｌ−Ｎ膜は不透明な黒色である。 - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

Ti-Al-N FILM AND METHOD FOR DEPOSITING THE SAME例文帳に追加

Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ膜およびその形成方法 - 特許庁

≥0.0005%, in total, of one or more among Ca and metallic REM; and Al in an amount satisfying relations of %Ti/%Al≥5 or Al≤0.010% and %Ti/%Al<5.例文帳に追加

例えば、極低炭素鋼で、0.001％≦Sb≦0.02％、非酸化物Ti（Ti*）を0.5（C／12）≦（Ti*／48）−（N／14＋S／32）≦3（C／12）かつN≧0.2×Ti*-0.006を満足するように含有し、Ca、金属REMのいずれか１種または2種以上を合計で0.0005％以上、Alを％Ti／％Al≧5またはAl≦0.010％かつ％Ti／％Al＜5を満たす範囲で含有する。 - 特許庁

This phase shift mask is formed by using the material containing Cr, Al, O and N as the phase shift material on a transparent substrate.例文帳に追加

透明基板上に位相シフト物質としてCr、Al、OおよびNを含む物質を使用したことを特徴とする。 - 特許庁

A compound material of Al and N functioning as an n-dopant is formed by increasing Al concentration in a ZnS crystal than N concentration and alternately disposing Al and N at first closest lattice points.例文帳に追加

ＺｎＳ結晶中のＡｌ濃度をＮ濃度よりも高くし、ＡｌとＮが互いに第１近接格子点位置に配置されることで、ｎ型ドーパントとして機能するＡｌとＮの複合体を形成する。 - 特許庁

In the expressions, C, N, Ni, Cu, Mn, Cr, Si, Al, Mo, and Ti each denote the content (mass%) of each element.例文帳に追加

γmax=420C+470N+23Ni+9Cu+7Mn-11.5Cr-11.5Si-52Al+189…式１γpot =700C+800N+10(Mn+Cu)+20Ni-9.3Si-6.2Cr-9.3Mo-74.4Ti-37.2Al+63.2…式２ここで、C、N、Ni、Cu、Mn、Cr、Si、Al、Mo、Tiは、それぞれの元素の含有量(質量%)を示す。 - 特許庁