Mg-Nとは 意味・読み方・使い方

{(GM)n(MG)n}m...(I) and {(MM)n (2 M)(GM)n})m...(II) (where, m and n denote natural number and the film thicknesses of respective G and respective M are assumed to be equal).例文帳に追加

{(ＧＭ)^n(ＭＧ)^n}^m ・・・（Ｉ） {(ＭＧ)^n(２Ｍ)(ＧＭ)^n}^m ・・・（II） （但し、ｍ、ｎは自然数を表し、各Ｇ、各Ｍの膜厚は等しいものとする） - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

Concretely, the ammonia nitrogen sludge load falls into the range of ≥0.06 g-NH_4-N/g-SS/day and ≤0.30 g-NH_4-N/g-SS/day and the dissolved oxygen concentration falls into the range of ≥0.18 mg/L and ≤0.52 mg/L.例文帳に追加

具体的には、前記アンモニア性窒素汚泥負荷が0.06 g-NH_４-N /g-SS/日以上0.30 g-NH_４-N /g-SS/日以下の範囲内であり、かつ、前記溶存酸素濃度が0.18 mg/L以上0.52 mg/L以下の範囲内であるように制御する。 - 特許庁

It was found that Mg doping inverts growth of GaN on Ga-face to N-face in some situations.発音を聞く 例文帳に追加

Mgの注入が、いくつかの状況でGa面のGaNの成長をN面の成長に転化させることがわかった。 - 科学技術論文動詞集

The above steel sheet contains suitable amounts of C, N, Ti, Nb, Mo, Cu, Ni, B, Mg, Si, Mn and S.例文帳に追加

以上の鋼板が、Ｃ，Ｎ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｂ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｓの好適量を含有する。 - 特許庁

The electrolytic solution contains a fluorine containing salt of group II element of Mg(PF_6)_2, Mg (BF_4)_2 or Mg[N(CF_3SO_2)_2]_2 or the like as an additive.例文帳に追加

電解液は、添加剤としてＭｇ（ＰＦ_６ ）_２ ，Ｍｇ（ＢＦ_４ ）_２ あるいはＭｇ［Ｎ（ＣＦ_３ ＳＯ_２ ）_２ ］_２ などの２族元素のフッ素含有塩を含んでいる。 - 特許庁

In order to form a p-type III nitride semiconductor region, an Mg+ ion is, for example, implanted simultaneously with the N+ ion, its surface is covered with the SiO2, and heat annealed.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成するには例えばMg^+イオンをN^+イオンと同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをすれば良い。 - 特許庁