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AlGaAsとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ひ化ガリウムアルミニウム
「AlGaAs」を含む例文一覧
該当件数 : 264件
On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加
n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁
The p-type AlGaAs layer 18 is isolated by etching, and this etching is stopped in the undoped AlGaAs resistive layer 17 between the p-type AlGaAs layers 18.例文帳に追加
p型AlGaAs層１８の分離はエッチングにて行われており、このエッチングがp型AlGaAs層１８間のアンドープAlGaAs抵抗層１７で止まっている。 - 特許庁
An etching stop layer is formed between the undoped AlGaAs resistive layer 17 and the p-type AlGaAs layer 18.例文帳に追加
アンドープAlGaAs抵抗層１７とp型AlGaAs層１８との間に、エッチングストップ層が設けられている。 - 特許庁
In this semiconductor device, an AlGaInP negative strain layer 11 and an AlGaAs mixed crystal prevention layer 12 are grown on the GaAs growth substrate 1 by a vapor-phase growth method, and thereafter the thick-film AlGaAs layer 2 is grown by a liquid-phase growth method.例文帳に追加
GaAs成長基板１上にAlGaInPマイナス歪層１１及びAlGaAs混晶防止層１２を気相成長法で成長させ、その後、厚膜AlGaAs層２を液相成長法で成長させる。 - 特許庁
A second AlGaAs or GaAs barrier layer 402 is then grown to complete the quantum well.例文帳に追加
前記量子井戸を完成するために、第２のAlGaAsまたはGaAs障壁層４０２が成長させられる。 - 特許庁
There is provided a recess part 14 on the reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 just under the n+-type AlGaAs emitter layer 5.例文帳に追加
ｎ^+型AlGaAsエミッタ層５直下部のn^+型GaAs基板１裏面には凹部１４を有している。 - 特許庁
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「AlGaAs」を含む例文一覧
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An n-type AlGaAs layer 14, a p-type AlGaAs layer 16, an n-type AlGaAs layer 18, and a p-type AlGaAs layer 20 are formed sequentially on the lattice mismatch relaxation layer 32 by epitaxial growth.例文帳に追加
格子不整合緩和層３２上に、エピタキシャル成長により、ｎ形ＡｌＧａＡｓ層１４，ｐ形ＡｌＧａＡｓ層１６，ｎ形ＡｌＧａＡｓ層１８，ｐ形ＡｌＧａＡｓ層２０が順次積層されている。 - 特許庁
Zn and Be are doped simultaneously as p-type dopant of a p-type AlGaAs active layer 2 and a p-type AlGaAs clad layer 3 in an AlGaAs light emitting diode.例文帳に追加
ＡｌＧａＡｓ系発光ダイオードにおけるｐ型ＡｌＧａＡｓ活性層２、およびｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３のｐ型ドーパントとして、ＺｎとＢｅを同時にドープするようにした。 - 特許庁
That is, an AlGaAs layer 30-1 whose Al composition is 0.1, an AlGaAs layer 30-2 whose Al composition is 0.2, an AlGaAs layer 30-3 whose Al composition is 0.3, and an AlGaAs layer 30-4 whose Al composition is 0.35 are successively grown epitaxially.例文帳に追加
すなわち、Ａｌ組成が０．１のＡｌＧａＡｓ層３０−１，Ａｌ組成が０．２のＡｌＧａＡｓ層３０−２，Ａｌ組成が０．３のＡｌＧａＡｓ層３０−３，Ａｌ組成が０．３５のＡｌＧａＡｓ層３０−４を順次、エピタキシャル成長する。 - 特許庁
The clad layers 3 and 9 use AlGaAs respectively.例文帳に追加
クラッド層３，９には、いずれもＡｌＧａＡｓが用いられている。 - 特許庁
AlGaAs EPITAXIAL WAFER AND LIGHT EMITTING DIODE USING SAME例文帳に追加
ＡｌＧａＡｓエピタキシャルウエハおよびそれを用いた発光ダイオード - 特許庁
The gate region is formed as the p-type AlGaAs layer, and a channel region as the n-type AlGaAs layer.例文帳に追加
ゲート領域はｐ型ＡｌＧａＡｓ層として形成され、チャネル領域はｎ型ＡｌＧａＡｓ層として形成されている。 - 特許庁
The multilayered barrier layer 45 has a three-layered structure composed of an n-type AlGaAs layer 45a, a non-doped AlGaAs layer 45b of thickness 2.5 to 5 nm, and an n-type AlGaAs layer 54c of thickness 10 nm.例文帳に追加
多層障壁層４５は、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層４５ａ、膜厚２.５〜５ｎｍのノンドープＡｌＧａＡｓ層４５ｂ、膜厚１０ｎｍのｎ型ＡｌＧａＡｓ層５４ｃの３層構造となっている。 - 特許庁
To suppress formation of a transition layer in an AlGaAs/InGaP interface.例文帳に追加
ＡｌＧａＡs／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。 - 特許庁
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