non-dopedとは 意味・読み方・使い方

Such a structure promotes a chemical reaction of a material to be treated on the surface of the electrode, because of transporting electric charges, which are injected from the surface of the doped diamond layer 2 into the non-doped diamond layer 3, to the surface of the non-doped diamond layer 3 while accelerating them in the non-doped diamond layer 3.例文帳に追加

このような構成により、ドープダイヤモンド層２の表面からノンドープダイヤモンド層３に注入された電荷がノンドープダイヤモンド層３中で加速された上でノンドープダイヤモンド層３の表面まで輸送され、電極表面における被処理物質の化学反応を促進する。 - 特許庁

A crystalline film, hydrogen non-doped silicon alloy film and doped silicon film are formed by a preferable ion implanting method.例文帳に追加

好ましいイオン注入法によって、結晶膜を含めて、水素非添加のシリコン合金膜およびドープシリコン膜が製造される。 - 特許庁

A non-doped Al_pGa_1-pN layer with non-uniform composition p is used as a buffer layer 12.例文帳に追加

この上に、緩衝層１２として、組成ｐが一定でないノンドープのＡｌ_ｐＧａ_１−ｐＮ層が用いられる。 - 特許庁

Portions near the resonator end faces 9A and 9B of the multiple quantum well active layer 3 are windows 3a and 3b in which the non-doped GaInP well layer formed a mixed crystal with a non-doped AlGaInP optical guide layer adjacent thereto or a non-doped AlGaInP barrier layer.例文帳に追加

多重量子井戸活性層３の共振器端面９Ａ，９Ｂ近傍の部分は、ノンドープＧａＩｎＰウェル層が隣接するノンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層またはノンドープＡｌＧａＩｎＰバリア層と混晶化した窓部３ａ，３ｂである。 - 特許庁

Into a p-layer region 107 constituted of a non-doped GaAlN layer 105 and a non-doped GaN layer 106, first, a p-type dopant is implanted by an ion implantation.例文帳に追加

ノンドープＧａＡｌＮ層１０５とノンドープＧａＮ層１０６から構成されるｐ層領域１０７に対し、まず、イオン注入によりｐ型ドーパントを注入させる。 - 特許庁

NON-UNIFORMLY DOPED HIGH-VOLTAGE DRAIN-EXTENDED TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD OF SAME例文帳に追加

非均一にドープされた高電圧ドレイン拡張型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

In order to fuse the emission end face of the non-doped optical fiber 11A and the incidence end face of the rare earth doped optical fiber 11B, the coating of the emission end of the non-doped optical fiber 11A and the coating of the incidence end of the rare earth doped optical fiber 11B are removed.例文帳に追加

ノンドープ光ファイバ１１Ａの出射端面と希土類添加光ファイバ１１Ｂの入射端面とを融着するために、ノンドープ光ファイバ１１Ａの出射端の被覆および希土類添加光ファイバ１１Ｂの入射端の被覆が除去されている。 - 特許庁

The non-doped polysilicon layer is removed by wet etching through the through-hole 30.例文帳に追加

次に、貫通ホール３０を介してウェットエッチングを行い、ノンドープドポリシリコン層を除去する。 - 特許庁