BCL3とは 意味・読み方・使い方

An inert gas is blown into a raw material tank holding BCl3 containing phosgene as an impurity.例文帳に追加

本発明に基づくプロセスでは、不純物としてホスゲンを含有するＢＣｌ_３が貯えられている原料貯槽の中に、不活性ガスを吹き込む。 - 特許庁

An upper-layer titanium film 4 and an intermediate-layer aluminum film 3 of a gate electrode material layer are dry-etched, using Cl2 and BCl3.例文帳に追加

ゲート電極材料層における上層のチタン膜４および中間層のアルミニウム膜３のドライエッチングをＣｌ_2及びＢＣｌ_3を用いて行う。 - 特許庁

At this time, a major component in an etching gas is a combination of chlorine gases (of Cl2, BCl3, HCl, etc.), which is the same as in the etching of the metallic film 3.例文帳に追加

そのときのエッチングガスの主成分は、金属膜のエッチングと同一の、塩素系ガス（Ｃｌ_2、ＢＣｌ_3、ＨＣｌ等、Ｃｌを含むガス）を組み合わせたものにする。 - 特許庁

The generated gaseous mixture of BCl3 and the inert gas is brought into contact with a catalyst at a high temperature to decompose the phosgene into carbon monoxide and chlorine.例文帳に追加

これによって発生したＢＣｌ３と不活性ガスとの混合ガスを、高温下において触媒と接触させて、ホスゲンを一酸化炭素と塩素に分解する。 - 特許庁

After that, the semiconductor substrate is maintained at normal temperature or less, Cl2 is selected to be at least equal to BCl3, and the semiconductor substrate region at the lower part of an opening hole window is etched.例文帳に追加

その後常温以下に半導体基板を保持し、Ｃｌ_2をＢＣｌ_3の１倍以上選んで、前記開孔窓の下部の半導体基板領域をエッチングする。 - 特許庁

For the dry-etching with a lower-layer titanium film 2, the etchant is added with CHF3 whose aluminum etching rate is low, and Cl2, BCl3 and CHF3 are used for adjustment to a specified partial pressure ratio.例文帳に追加

下層のチタン膜２のドライエッチングは、上記のエッチャントに、アルミニウムのエッチングレートの低いＣＨＦ_3を加え、Ｃｌ_2、ＢＣｌ_3、及びＣＨＦ_3を用いて、所定の分圧比に調整して行う。 - 特許庁

To increase the production amount of a liquid BCl3 product having a phosgene content of ≤10 ppm, a chlorine content of ≤10 ppm and an HCl content of ≤10 ppm.例文帳に追加

本発明は、ホスゲンの含有量が１０ｐｐｍ以下、塩素の含有量が１０ｐｐｍ以下、ＨＣｌの含有量が１０ｐｐｍ以下の、液体状態のＢＣｌ_３製品の生産量を増大させる方法に関する。 - 特許庁

A gas containing a boron-containing halogenated compound such as BCl3 is used as the first gas, a gas containing a halogenated compound containing no boron such as Cl2 is used as the second gas, and these gases are activated in a plasma generation part 6 and fed into the chamber 1.例文帳に追加

第１のガスにはＢＣｌ３などのホウ素含有ハロゲン系化合物を含むものが、第２のガスには、Ｃｌ２などのホウ素を含まないハロゲン系化合物を含むものが用いられ、これらガスをプラズマ発生部６で活性化してチャンバー１内に送り込む。 - 特許庁