BHFとは 意味・読み方・使い方

Alternatively, a re-grown interface which contains Al is subjected to a cleaning treatment by the use of BHF or the like before re-growth.例文帳に追加

或いは、再成長前にＡｌを含む再成長界面をＢＨＦ等で清浄化処理する。 - 特許庁

A second step S2 removes a natural oxide film formed on a substrate surface by being processed by a buffered hydrofluoric acid (BHF).例文帳に追加

第２ステップＳ２では、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）で処理して基板表面に形成された自然酸化膜を除去する。 - 特許庁

This batch-type multi-bath cleaner is an apparatus for cleaning a wafer, and there is provided a lid of the inner bath of a BHF bath and a pure water nozzle in a reception plate between the BHF bath and a first flowing water bath.例文帳に追加

本バッチ式多槽型洗浄装置は、ウエハを洗浄する装置であって、ＢＨＦ槽の内槽の蓋及びＢＨＦ槽と第１流水槽との間の受け板に純水ノズルを設けたことを除いて、従来のバッチ式多槽型洗浄装置と同じ構成を備える。 - 特許庁

Next, the basket 11 is dipped in a BHF (buffered hydrofluoric acid) bath 2 which is an etchant of an ammonium fluoride aqueous solution added with a hydrofluoric acid for a relatively short time.例文帳に追加

次にバスケット１１は、フッ化アンモニウム水溶液にフッ酸を加えたエッチング液のＢＨＦ（バッファード・フッ酸）槽２に、比較的短い時間漬浸される。 - 特許庁

In the cleaning device 2, a natural oxide film on the surface of the wafer is removed by chemical cleaning which can remove the natural oxide film such as DHF and BHF, for example.例文帳に追加

洗浄装置２では、例えば、ＤＨＦやＢＨＦといった自然酸化膜を除去可能な薬液洗浄によって、ウエハ表面の自然酸化膜が除去される。 - 特許庁

Thereafter, the residual half of the HTO film 109 is subjected to wet etching for seven minutes and 40 seconds using a BHF 63U kept at 23°C to have a taper angle of 26° in a second etching process.例文帳に追加

その後、残り半分のＨＴＯ膜１０９を、テーパー角度が２６°となる２３℃のＢＨＦ６３Ｕで７分４０秒ウエットエッチングする第２のエッチング工程を実施する。 - 特許庁

A first pure water nozzle 50 comprises a plurality of nozzle holes 50a, and is provided along one edge 21b of a one-sided door 21a of a lid 21 of a double-leafed hinged door of the BHF bath.例文帳に追加

第１の純水ノズル５０は、多数のノズル孔５０ａを備え、ＢＨＦ槽１２の観音開きの蓋２１の片側扉２１ａの一方の縁部２１ｂに沿って設けられている。 - 特許庁

According to the manufacturing process, an inter-layer insulating film 9 is subjected to wet etching with 10:1 BHF followed by dry etching using the same resist mask 10 for the wet etching, to form contact holes 11, 12 consecutively on the inter-layer insulating film 9 and a gate insulating film 4.例文帳に追加

層間絶縁膜９に対する１０：１ ＢＨＦによるウェットエッチングに続いて、同一レジストマスク１０を用いたドライエッチングを行うことにより、層間絶縁膜９およびゲート絶縁膜４にコンタクトホール１１，１２を連続して形成する。 - 特許庁