BLJとは 意味・読み方・使い方

A data write current for applying a data write magnetic field along an axis of easy magnetization to the selected memory cell is supplied to bit lines BLj and /BLj corresponding to a selected column.例文帳に追加

選択列に対応するビット線ＢＬｊ，／ＢＬｊには、磁化容易軸に沿ったデータ書込磁界を選択メモリセルに印加するためのデータ書込電流が供給される。 - 特許庁

At the time of write-in time of data, a pseudo ground line VGj provided corresponding to the pair of bit lines BLj, /BLj to be written is connected to power source voltage VDD through a transistor 33_j.例文帳に追加

データ書き込み時には、書き込み対象のビット線対ＢＬｊ，／ＢＬｊに対応する疑似グランド線ＶＧｊが、トランジスタ３３_ｊを介して電源電圧ＶＤＤに接続される。 - 特許庁

The read bit line BLj is arranged on the laminated plurality of MTJ elements.例文帳に追加

読み出しビット線ＢＬｊは、積み重ねられた複数のＭＴＪ素子上に配置される。 - 特許庁

A plurality of blocks from BKj0 to BKjn are connected with read bit lines BLj.例文帳に追加

読み出しビット線ＢＬｊには、複数のブロックＢＫｊ０，・・・ＢＫｊｎが接続される。 - 特許庁

A plurality of blocks BLj0,... BLjn are connected to a read bit line BLj.例文帳に追加

読み出しビット線ＢＬｊには、複数のブロックＢＬｊ０，・・・ＢＬｊｎが接続される。 - 特許庁

The read bit lines BLj are arranged on the stacked plural MTJ elements.例文帳に追加

読み出しビット線ＢＬｊは、積み重ねられた複数のＭＴＪ素子上に配置される。 - 特許庁

Thereby, the bit line BLj (or /BLj) corresponding to a 'L' level is connected to ground voltage GND through an acceleration circuit AC in the memory cells 11_i,_j, read-out speed is accelerated.例文帳に追加

これにより、メモリセル１１_i,j 中の加速回路ＡＣを介して“Ｌ”レベルに対応するビット線ＢＬｊ（または、／ＢＬｊ）が接地電圧ＧＮＤに接続され、読み出し速度が加速される。 - 特許庁

At the time of read-out of data, a pseudo ground line VGj provided corresponding to a pair of bit lines BLj, /BLj of memory cells 11_i,_j to be read out is connected to ground voltage GND through a transistor 31_j.例文帳に追加

データ読み出し時には、読み出し対象のメモリセル１１_i,j のビット線対ＢＬｊ，／ＢＬｊに対応して設けられた疑似グランド線ＶＧｊが、トランジスタ３１_ｊを介して接地電圧ＧＮＤに接続される。 - 特許庁