Bifetとは 意味・読み方・使い方

To increase manufacturability of an FET without causing degradation of HBT performance, in a BiFET situated on a substrate.例文帳に追加

基板上に位置するＢｉＦＥＴにおいて、ＨＢＴ性能の低下を引起すことなくＦＥＴの製造可能性増大を達成させる。 - 特許庁

The pseudomorphic high-electron-mobility transistors and the hetero-junction bipolar transistors are manufactured using a GaAs BiFET technology process.例文帳に追加

擬似構成整合型高電子移動度トランジスタおよびヘテロ接合バイポーラトランジスタは、ＧａＡｓ ＢｉＦＥＴ技術プロセスを用いて製造される。 - 特許庁

To provide an emitter-follower type bias circuit which can operate at a low reference voltage suited to a reference voltage generating circuit using a GaAs BiFET (HBT+FET) process.例文帳に追加

ＧａＡｓ系ＢｉＦＥＴ（ＨＢＴ＋ＦＥＴ）プロセスを用いた基準電圧発生回路に適した、低い基準電圧で動作できるエミッタフォロワ型バイアス回路を提供する。 - 特許庁

A BiFET 100 situated on a substrate includes an emitter layer segment 122 situated over the substrate, wherein the emitter layer segment includes a semiconductor of a first type.例文帳に追加

基板上に位置するＢｉＦＥＴ１００は、基板の上に位置するエミッタ層部分１２２を含み、エミッタ層部分は第１のタイプの半導体を含む。 - 特許庁

The BiFET further includes a FET 106 situated over the substrate, wherein the FET includes source and drain regions, wherein a second segment 146 of the etch stop layer is situated under the source and drain regions, and wherein the second segment of the etch stop layer contains InGaP.例文帳に追加

ＢｉＦＥＴは基板の上に位置するＦＥＴ１０６をさらに含み、ＦＥＴはソース領域およびドレイン領域を含み、エッチストップ層の第２の部分１４６はソース領域およびドレイン領域の下に位置し、エッチストップ層の第２の部分はＩｎＧａＰを含む。 - 特許庁