CZ siliconとは 意味・読み方・使い方

A single-crystal silicon bulk is manufactured by growing single-crystal silicon in [100]-direction by the CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法により、［１００］方向に単結晶シリコンを成長させて、単結晶シリコンのバルクを作製する。 - 特許庁

The silicon wafer is a CZ-silicon wafer containing rod-shaped void defects and/or plate-like void defects in its inside.例文帳に追加

ＣＺシリコンウエーハであって、その内部に棒状の空洞欠陥および／または板状の空洞欠陥を含むシリコンウエーハ。 - 特許庁

The seed crystal used for the silicon crystal manufacture by the CZ method constitutes the support part.例文帳に追加

また、ＣＺ法によるシリコン結晶製造で用いられた種結晶を被把持部として有する。 - 特許庁

A silicon single crystal 4 is pulled from a melt 3 in a quartz crucible 1a by the CZ process.例文帳に追加

石英ルツボ１ａ内の融液３からＣＺ法によりシリコン単結晶４を引き上げる。 - 特許庁

To quickly and easily quantify a nitrogen concentration in a silicon crystal manufactured by a CZ method.例文帳に追加

ＣＺ法で作製されたシリコン結晶の窒素濃度を迅速かつ簡単に定量化する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER, EPITAXIAL WAFER AND CZ SILICON WAFER FOR EPITAXIAL GROWTH例文帳に追加

エピタキシャルウエーハの製造方法及びエピタキシャルウエーハ、並びにエピタキシャル成長用ＣＺシリコンウエーハ - 特許庁

The CZ silicon wafer for epitaxially growing at low temperatures lower than 1000°C is a CZ silicon wafer doped with carbon.例文帳に追加

並びに、１０００℃未満の温度でエピタキシャル成長を行うためのエピタキシャル成長用ＣＺシリコンウエーハであって、該ＣＺシリコンウエーハは炭素がドープされたものであるエピタキシャル成長用ＣＺシリコンウエーハ。 - 特許庁

To provide a silicon wafer by a CZ (Czochralski) method, suitably used as a substrate for an IGBT (insulating gate bipolar transistor), and to provide a method for producing the silicon wafer.例文帳に追加

ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁