CG2とは 意味・読み方・使い方

Various voltages VM are generated at a floating gate FG, corresponding to the combination of the voltages V1 and V2 which are applied to two control gates CG1 and CG2.例文帳に追加

２つのコントロールゲートＣＧ１、ＣＧ２に印加される電圧Ｖ１、Ｖ２の組合せにしたがってフローティングゲートＦＧに種々の電圧Ｖ_Mを生じさせる。 - 特許庁

A coil L3 is provided with a rectification circuit comprising a diode D2 and a capacitor C2, and a charger CG2 is provided to the output of the rectification circuit.例文帳に追加

巻き線Ｌ３には、ダイオードＤ２およびコンデンサＣ２から構成される整流回路が設けられ、その整流回路の出力に充電器ＣＧ２が設けられている。 - 特許庁

The discharge holes of the row CM1 of the middle discharge holes in a set CG1 of the rows of the discharge holes are offset by 1/2 pitch to the discharge holes of the row CM2 of the middle discharge holes in a set CG2 of the rows of the discharge holes.例文帳に追加

吐出口列組ＣＧ１における中吐出口列ＣＭ１の吐出口は吐出口列組ＣＧ２における中吐出口列ＣＭ２の吐出口と１／２ピッチオフセットしている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory includes: a semiconductor substrate 1; a first gate electrode WG formed on the semiconductor substrate 1 through a gate insulating film 10; second gate electrodes CG1, CG2 formed in a side direction of the first gate electrode WG and electrically insulated from the first gate electrode WG; and an electric charge trapping film 30 formed at least between the semiconductor substrate 1 and the second gate electrodes CG1, CG2.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリは、半導体基板１と、半導体基板１上にゲート絶縁膜１０を介して形成された第１ゲート電極ＷＧと、第１ゲート電極ＷＧの側方に形成され第１ゲート電極ＷＧから電気的に絶縁された第２ゲート電極ＣＧ１、ＣＧ２と、半導体基板１と第２ゲート電極ＣＧ１、ＣＧ２との間に少なくとも形成された電荷トラップ膜３０と、を備える。 - 特許庁

An area immediately below the photo-gate electrode PG includes first areas CG1 located between the semiconductor areas FD1 and FD2 facing in the first direction and second areas CG2 sandwiched between the first areas CG1 in the second direction.例文帳に追加

フォトゲート電極ＰＧの直下の領域は、第１方向で対向する半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２の間に位置する第１領域ＣＧ１と、第１領域ＣＧ１に第２方向で挟まれる第２領域ＣＧ２と、を含む。 - 特許庁

Gate terminals of the n-type MIS transistors M1 and M2 are connected to the output node OUTT and OUTB through coupling capacitors CG1 and CG2, respectively, and a bias voltage VBIAS is applied through resistors RG1 and RG2.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びＭ２のゲート端子は、それぞれ結合容量ＣＧ１及びＣＧ２を介して出力ノードＯＵＴＴ及びＯＵＴＢと接続され、抵抗ＣＧ１及びＣＧ２を介してバイアス電圧ＶＢＩＡＳが印加される。 - 特許庁

The first control gate electrode CG1, the first interpoly insulation film IPD1, the floating gate electrodes FG, the second interpoly insulation film IPD2 and the second control gate electrode CG2 are stacked in the direction vertical to the main plane of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１コントロールゲート電極ＣＧ１、第１インターポリ絶縁膜ＩＰＤ１、フローティングゲート電極ＦＧ、第２インターポリ絶縁膜ＩＰＤ２、および第２コントロールゲート電極ＣＧ２は、半導体基板の主平面に対して垂直方向に積層されている。 - 特許庁

The transimpedance amplifier is equipped with a MOS transistor Q1 whose gate is grounded via a capacitor CG1 for an alternate current and a MOS transistor Q2 that is subjected to cascode connection with the MOS transistor Q1, whose gate is grounded via a capacitor CG2 for the alternate current, and further whose drain is connected to a load resistor RL.例文帳に追加

この発明は、ゲートをコンデンサＣＧ１で交流的に接地させたＭＯＳトランジスタＱ１と、このＭＯＳトランジスタＱ１とカスコード接続され、ゲートをコンデンサＣＧ２で交流的に接地させるとともにドレインに負荷抵抗ＲＬを接続させたＭＯＳトランジスタＱ２とを備えている。 - 特許庁