Compositionallyとは 意味・読み方・使い方

METHOD FOR MANUFACTURING WELD-FREE APPARATUS FOR CONNECTION OF DISSIMILAR METAL USING FUNCTIONALLY GRADED COMPOSITIONALLY CONTROL POWDER METALLURGY AND HOT ISOSTATIC PROCESSING METHOD例文帳に追加

機能的に類別された組成調整粉末治金処理および熱間静水圧処理を利用した異種金属同士の接続のための無溶接装置の製造方法 - 特許庁

The compositionally graded body 108 further includes a stress modulating region over the first region, where the stress modulating region applies tensile stress to the substrate 102.例文帳に追加

組成傾斜本体１０８は、第１の領域上に応力変調領域をさらに含み、その応力変調領域は基板１０２に引張応力を与える。 - 特許庁

The graded layer is compositionally graded over a certain distance from a first material to a second material, introducing a polarization-induced bulk charge into the 3DPG structure.例文帳に追加

傾斜層は、或る距離にわたって第１の材料から第２の材料へ組成傾斜していて、３ＤＰＧ構造中へ分極誘起バルク電荷を導入するものである。 - 特許庁

Dislocation pile-ups in compositionally graded semiconductor layers are reduced or eliminated, thereby leading to increased semiconductor device yield and manufacturability.例文帳に追加

組成的に勾配した半導体層における転位パイルアップは、減少もしくは実質的に除かれ、これによって、増加した半導体デバイス歩合および製造性に導く。 - 特許庁

This is accomplished by introducing a semiconductor layer having a plurality of threading dislocations distributed substantially uniformly across its surface as a starting layer before following growth and relaxation of the compositionally graded layer and/or at least one intermediate layer during the growth and relaxation of the compositionally graded layer.例文帳に追加

このことは、組成的に勾配したバッファ層の後に続く成長および緩和の前のスタート層としておよび／または組成的に勾配した層の成長および緩和中の少なくとも１つの中間層としてその表面にわたり実質的に均一に分布する複数のスレッディング転位を有する半導体層を導入することによって達成される。 - 特許庁

To provide a forming method for an electrode layer for a solid oxide type fuel cell which enables an easy formation of a compositionally gradient electrode and provides a good battery performance.例文帳に追加

配合組成比を傾斜させた電極形成が容易に行なえ、且つ、良好な電池性能が得られる固体酸化物形燃料電池用電極層の形成方法を提供する。 - 特許庁

A group III-V semiconductor device comprises a compositionally graded body 108 disposed over a substrate 102 and below a buffer layer 110 supporting an active area 112 of the group III-V semiconductor device.例文帳に追加

III−Ｖ族半導体装置は、基板１０２の上およびIII−Ｖ族半導体装置の活性領域１１２を支持するバッファ層１１０の下に配置された組成傾斜本体１０８を備える。 - 特許庁

A degree of the distribution uniformity of the component X in the composite oxide catalyst is set so that the dispersion value D_x of a signal intensity ratio of the component X to Si when the cross section of the particles of the composite oxide catalyst is compositionally analyzed is within a range of 0<D_x<0.5.例文帳に追加

分布の均一性の程度は、該複合酸化物触媒において、該複合酸化物触媒粒子の断面を組成分析した時の成分ＸとＳｉの信号強度比の分散値Ｄ_ｘが、０＜Ｄ_ｘ＜０．５の範囲にあるようにする。 - 特許庁